浙江省首個第三代半導體材料項目落戶寧波

本報訊 近日，寧波杭州灣新區與中國電子信息產業集團有限公司全資子公司——華大半導體有限公司完成寬禁帶半導體材料項目簽約，為“名城名灣”建設再添“芯”動能。

寧波杭州灣新區負責人指出，該項目系浙江省首個第三代半導體材料項目，項目總投資10.5億元，計劃年產8萬片4英寸～6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片，產品可廣泛應用于5G通信、新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。

華大寬禁帶半導體材料項目專注半導體制造過程的前端工序——半導體材料，而且還是屬于時下發展大熱門的第三代半導體材料。

第三代半導體材料即以碳化娃、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，已成為半導體技術研究前沿和競爭焦點，是國家戰略性新興產業。該項目的簽約對寧波杭州灣新區搶占下一代信息技術制高點具有較大發展意義。寬禁帶半導體材料項目的“落子”，蘊含著寧波杭州灣新區完善集成電路全產業鏈，搶抓半導體材料技術迭代發展機遇的決心。