蔣倩
與傳統(tǒng)的機械硬盤相比,固態(tài)硬盤有著速度快、重量輕和功耗低等優(yōu)點,可謂是當下裝機中的必需品。雖然固態(tài)硬盤的優(yōu)勢很多,但缺點也不少,例如“容量低”和“價格高”就是阻礙固態(tài)硬盤進一步普及的原因,很多用戶在有限的預算下為了兼顧速度和大容量存儲,只能選擇小容量固態(tài)硬盤與機械硬盤組合搭配的折中方案。
多年來的閃存顆粒的演變致力于平衡這個問題,從早期的Single-Level Cell顆粒(SLC)、到Multi-Level Cell顆粒(MLC),再到現(xiàn)在的主流Trinary-Level Cell顆粒(TLC),閃存顆粒中每個Cell所存儲的bit數(shù)量越來越大,每GB的價格也越來越低。當然這也有副作用,更繁瑣的尋址會加速顆粒老化和同容量下更低的性能,所以每次新一代閃存顆粒面世時都會引起廣大用戶的爭論。
當市場中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭論的時候,三星存儲發(fā)布了一款2.5英寸SATA接口的860 QVO固態(tài)硬盤,這是三星首款QLC顆粒的消費級固態(tài)硬盤,直接1 TB起步、另有2 TB和4 TB可選,官方宣傳持續(xù)讀取速度高達550 MB/s,持續(xù)寫入速度520 MB/s,4 K隨機讀寫(QD32)性能達到96 K和86 K IOPS,兼顧大容量與高性能。
三星860QVO的外包裝和860EVO相似,延續(xù)了簡潔、大氣的設(shè)計風格。QVO的產(chǎn)品后綴則表明了這是一款采用QLC顆粒的產(chǎn)品。
硬盤外殼由全金屬打造,表面經(jīng)過了磨砂處理,非常具有質(zhì)感。拆開外殼,可以看到硬盤內(nèi)部,860QVO的PCB板可以用“短小精悍”來形容。
一顆64層堆疊的4 bit QLC NAND芯片,容量為1 TB,質(zhì)保壽命為3年,約為860EVO的一半,從理論上來講應付日常使用綽綽有余。
影響固態(tài)硬盤性能的除了閃存顆粒以外,主控也非常重要。三星860QVO采用了和860EVO同款的MJX主控,這款主控飽受市場考驗,穩(wěn)定性和性能都有保障。
背部的PCB預留了一個空焊位,2 TB版本的860QVO會在1TB版的基礎(chǔ)上多一顆64層堆疊的4bitQLCNAND芯片。
Intel酷睿i9-9900K搭配了華碩ROG MAXIMUS XI GENE使用,華碩ROG MAXIMUS XI GENE采用Z390芯片組,10相CPU核心供電和2相Uncore供電,并擁有極強的拓展性,可以說是近些年來最為豪華的mATX規(guī)格主板了。
內(nèi)存方面選擇了2條芝奇幻光戟DDR4-3200 8GB C14組成雙通道,較高的頻率和極低的時序使其無論是寫入性能、讀取性能、還是內(nèi)存延遲表現(xiàn)都非常不錯。
首先使用CrystalDiskInfo檢測硬盤的使用狀態(tài),可以看到三星860QVO雖然是面向中端用戶的低價產(chǎn)品,但S.M.A.R. T,NCQ,TRIM,DevSleep等技術(shù)都被保留下來,值得肯定。
使用官方軟件SANSUNG Magician Software進行測試,順序讀取速度為559 MB/s、順序?qū)懭胨俣?28 MB/s;隨機讀取94 K IOPS、隨機寫入86 K IOPS。
在AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark二項常規(guī)的硬盤測試軟件中,三星860QVO的讀取和寫入速度都能達到500 MB/s左右,4 K讀寫穩(wěn)定在300 MB/s以上,和官方宣傳數(shù)據(jù)基本一致,也與SATA接口TLC顆粒的固態(tài)硬盤處于同一個水平線上。
在ATTO Disk Benchmark測試中,860QVO的最大讀取速度為561 MB/s、最大寫入速度為528 MB/s,同樣非常出色。
另一項測試TxBench中,860QVO的順序讀取速度達到了561 MB/s、順序?qū)懭胱畲笾禐?31 MB/s;4K QD32讀寫速度也達到了363 MB/s和345 MB/s。
為了進一步檢測三星860QVO的性能,使用HD TUNE對其進行全盤寫入壓力測試。可以看到,在空盤狀態(tài)下三星860QVO的寫入速度能穩(wěn)定在330 MB/s以上,證明當寫入文件大小沒有超出SLC緩存時成績非常不錯。
但寫入過半后,成績斷崖式下跌到了70 MB/s左右,可見在SLC緩存被寫爆后,QLC顆粒的硬盤速度確實會受到顯著影響。

為了進一步驗證,在970EVO PLUS系統(tǒng)盤中找到了一個高達62.6 GB的超大文件,并將其拷貝到860QVO中。通過Windows10自帶的資源管理器,可以看到在前40 GB時,平均復制速度高達450 MB/s,但后期的復制速度也出現(xiàn)了顯著的下降。從測試中可以看到,三星860QVO的緩內(nèi)讀寫速度都非常不錯,達到了官方宣傳的水平,并和市面上主流的SATA3接口TLC固態(tài)硬盤基本相當。
當數(shù)據(jù)寫入量超出SLC緩存后,硬盤性能會下降很多,但鑒于大部分用戶并不會經(jīng)常做超大文件讀寫,所以三星860QVO面對日常的辦公和游戲還是毫無壓力的。