別再討論內(nèi)存容量和價格了！DDR5/DDR6內(nèi)存殺到

近期，由于芯片價格不斷下滑，引發(fā)了業(yè)界人士對芯片市場的擔憂。市場觀察機構(gòu)DRAMeXChange數(shù)據(jù)顯示，僅在1月份，8GB DDR4 DRAM芯片的價格就比前一個月下跌了17.24%，創(chuàng)下2016年6月以來的最大跌幅，這顯然讓內(nèi)存巨頭不是太開心了，這不，三星“少主”就在中國度過了春節(jié)。

據(jù)韓國媒體報道，為了在內(nèi)存芯片市場尋找新戰(zhàn)略，三星電子副董事長李在镕（Lee Jae Yong）在中國度過了2019年的春節(jié)。

報道稱，李在镕在中國春節(jié)開始的前一天，離開首爾，前往中國的西安市，參觀了三星在該市的內(nèi)存芯片廠。自2014年以來，三星一直在西安運營著一家NAND閃存工廠。自去年開始，三星又開始在西安建設(shè)第二家工廠，計劃投資70億美元。

DDR5內(nèi)存加速

雖然終端產(chǎn)品售價下跌讓半導體廠商們操碎了心，但技術(shù)更迭卻一點沒有放慢腳步。電子測量企業(yè)Keysight Technologies近日推出了業(yè)界第一個完整的DDR5 DRAM測試與驗證系統(tǒng)“N6475A DDR5 Tx”，為新一代內(nèi)存的研發(fā)打開了方便之門。

這套系統(tǒng)包括Keysight N6475A DDR5 Tx兼容測試軟件、M8040A 64 Gbaud高性能比特誤碼率測試儀（BERT）和Infiniium UXR系列實時示波器兩種硬件，可對DDR5內(nèi)存進行抖動、電子、時序、波形、眼圖方面的測試，包括DDR5芯片、數(shù)據(jù)緩沖、寄存器芯片的發(fā)射器物理層。

在此之前，DDR5產(chǎn)品的開發(fā)者們必須自己設(shè)計軟件，或者手動執(zhí)行所有測試、分析，現(xiàn)在有了Keysight的這套完整測試與驗證系統(tǒng)，可以大大加速DDR5內(nèi)存的研發(fā)、優(yōu)化。

SK海力士DDR6內(nèi)存殺到

如果說DDR5還是測量企業(yè)的推動，那海力士這DDR6內(nèi)存就給市場打了不少雞血。

據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。

接受采訪時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5～6年內(nèi)發(fā)展起來。

Kim Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成形，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。

資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，工作頻率高達5200MHz，電壓僅1.1V，2020年起量產(chǎn)。

談及DDR5時，Kim Dong-kyun表示，他們繼承了多相位同步技術(shù)，從而實現(xiàn)低電壓下驅(qū)動高頻。SK海力士當時還預估，將不晚于2022年搞定DDR5-6400內(nèi)存顆粒，其實，這也等于為所謂的DDR6鋪平道路。