存儲器價(jià)格小幅上漲長期走勢尚需觀察

陳炳欣

存儲器一直是半導(dǎo)體市場中占比最大的產(chǎn)品之一。且被認(rèn)為是本輪全球半導(dǎo)體市場下滑的主要“罪魁”。然而。近日原本持續(xù)下跌的存儲器價(jià)格卻走出了一輪上漲行情。分析人士認(rèn)為，導(dǎo)致這波漲價(jià)的誘因正是近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)——日本對韓國半導(dǎo)體關(guān)鍵材料限制出口導(dǎo)致三星、SK海力士減產(chǎn)，反而間接有利于改善當(dāng)前存儲器市場供大于求的形勢。那么。這次存儲器的價(jià)格波動是少數(shù)企業(yè)借機(jī)炒作抬價(jià)，還是有著現(xiàn)實(shí)支撐？未來存儲器市場能否借此走出一輪長期的上揚(yáng)之勢呢？日本對韓禁運(yùn)，存儲器現(xiàn)貨漲價(jià)

在限令實(shí)行的3個(gè)月后，NAND閃存市場將會“極度”混亂，其他非韓廠的內(nèi)存廠商，將會因此受益。

在經(jīng)歷了接近一年“跌跌不休”的局面后，近日國際存儲器價(jià)格出現(xiàn)了一輪小幅上漲的行情。根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢旗下DRAMeXcbange數(shù)據(jù)，7月10日8GB DDR4 DRAM均價(jià)較前一天上漲1.2%。這是去年9月以來，現(xiàn)貨價(jià)首次上漲。

此外，部分內(nèi)存模組廠商如威剛等已經(jīng)開始限量供應(yīng)現(xiàn)貨產(chǎn)品。而隨著報(bào)價(jià)的反彈，具備NAND芯片制造能力的旺宏、華邦等廠，以及內(nèi)存模組廠威剛、創(chuàng)見、十銓、群聯(lián)、宇瞻和廣穎等受益明顯，營運(yùn)有望大幅提升。

那么，是什么導(dǎo)致了此輪存儲器的漲價(jià)呢？一些市場分析人士將原因指向近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)。由于韓國企業(yè)三星、SK海力士占據(jù)全球存儲器市場的主導(dǎo)地位，DRAM市場，三星占全球份額的43.9%，SK海力士為29.5%;NAND閃存市場，三星為36.5%，SK海力士為10.5%。在日韓貿(mào)易戰(zhàn)影響下，兩家公司均有可能縮減存儲器產(chǎn)能。但是，由于目前國際市場上DRAM和NAND閃存都存在著供過于求的隱憂。因此，這對存儲器市場來說反而是個(gè)好消息。

據(jù)韓國《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，三星和SK海力士正在考慮從本月開始減少NAND閑存產(chǎn)量。“對產(chǎn)量下降的預(yù)期可能會抬高價(jià)格。”首爾DB Financial Investment分析師Kwon snng-ryul表示。

內(nèi)存廠旺宏董事長吳敏求也認(rèn)為，在日本政府對半導(dǎo)體關(guān)鍵材料出口韓國祭出限令的情況下，短期內(nèi)雖有庫存可供給需求，長期來看一定會造成缺貨，在限令實(shí)行的3個(gè)月后，NAND閃存市場將會“極度”混亂。在供不應(yīng)求的情況下，其他非韓廠的內(nèi)存廠商，將會因此受益。

事實(shí)上，這并不是存儲廠商第一次從重大事件中受益。2013年，SK海力士在中國無錫工廠的火災(zāi)影響了全球DRAM產(chǎn)量的6%，并使這些芯片的價(jià)格一度飆升了約88%。

借機(jī)炒作抬價(jià)，還是有現(xiàn)實(shí)支撐？

雖然市場上免不了存在一定的炒作，但是，本輪存儲器價(jià)格上漲也有一定現(xiàn)實(shí)支撐的。

那么，這輪存儲器漲價(jià)的背后，是否有著借機(jī)炒作抬價(jià)的嫌疑呢？集邦咨詢研究協(xié)理陳玠瑋表示：“以NAND閃存合約價(jià)來看，目前觀察到報(bào)價(jià)確實(shí)是有所上漲。”也就是說，雖然市場上免不了存在一定的炒作，不過，本輪價(jià)格上漲也有一定現(xiàn)實(shí)支撐。

事實(shí)上，在日韓貿(mào)易戰(zhàn)發(fā)生之前，NAND閃存市場已經(jīng)有了庫存快速消化的跡象，并且出現(xiàn)存儲器價(jià)格將結(jié)束長期跌勢的呼聲。上個(gè)月，受到日本強(qiáng)震影響，東芝公司NAND閃存工廠產(chǎn)量減少20%以上。

此次事件不僅對東芝的產(chǎn)量造成影響，而且西部數(shù)據(jù)也在東芝的制造工廠生產(chǎn)NAND閃存，同樣受到重創(chuàng)。由于東芝和西部數(shù)據(jù)的市場份額分別高達(dá)19.3%和15.3%，這已經(jīng)在一定程度上形成減產(chǎn)、降庫存的效果，對存儲器價(jià)格形成了支撐。

陳玢瑋甚至認(rèn)為，近期存儲價(jià)格的小幅上漲主要是受到東芝部分工廠停電的影響。“日韓貿(mào)易戰(zhàn)目前更多還只是停留在消息面上。”陳玠瑋說。

長期走勢尚需觀察，反轉(zhuǎn)或在明年中期？

DRAM市場出現(xiàn)反轉(zhuǎn)的時(shí)間點(diǎn)有可能落在2020年第二季度末至第三季度以內(nèi)。屆時(shí)有可能出現(xiàn)終端的旺季需求。

長期來看，存儲市場將會如何發(fā)展？未來存儲器能否借助此次事件的影響，走出一輪長期的上揚(yáng)之勢呢？

集邦咨詢認(rèn)為，消息面只能影響短期市場走勢，長期變化還需看市場的供需形勢。DRAM價(jià)格已然歷經(jīng)了連續(xù)三個(gè)季度的快速下滑，下游模組廠的庫存普遍偏低。因此，在日韓貿(mào)易戰(zhàn)消息的影響下，確實(shí)有部分模組廠開出上揚(yáng)的價(jià)格或表示將停止生產(chǎn)。然而，現(xiàn)貨市場只占整體DRAM市場的10%，中長期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢仍需關(guān)注占比超過9成的合約市場。

集邦咨詢資深協(xié)理吳雅婷表示：“目前DRAM仍處于買方市場，原廠庫存只能降價(jià)求售。接下來價(jià)格何時(shí)反轉(zhuǎn)，仍然取決于需求面何時(shí)出現(xiàn)大幅增長。”

但從需求面來看，不論是零售端的PC、智能手機(jī)，還是企業(yè)用服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的建設(shè)，目前整體終端需求仍然呈現(xiàn)十分疲弱的態(tài)勢。因此，DRAM市場短期可能會受到日韓貿(mào)易戰(zhàn)消息的影響，但卻很難就因此得出市場將出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的結(jié)論。

吳雅婷預(yù)估，DRAM市場出現(xiàn)反轉(zhuǎn)的時(shí)間點(diǎn)有可能落在2020年第二季度末至第三季度以內(nèi)。屆時(shí)有可能出現(xiàn)終端的旺季需求，帶動存儲器的庫存消化，進(jìn)而推升價(jià)格。

至于NAND閃存市場，由于NAND閃存晶圓的市場報(bào)價(jià)已經(jīng)偏低，預(yù)計(jì)7月起各供應(yīng)商報(bào)價(jià)將出現(xiàn)漲勢。集邦咨詢認(rèn)為，由于供應(yīng)商普遍備有2至3個(gè)月的庫存，多數(shù)模組廠不會第一時(shí)間接受漲價(jià)，后續(xù)則需視市場及供應(yīng)端庫存狀況決定交易價(jià)是否上漲。雖然NAND閃存價(jià)格短期將出現(xiàn)上揚(yáng)，但長期仍有跌價(jià)的壓力。