◎ 鳳凰灣電子信息產業園管委會 鮑憲偉
鳳凰灣電子信息產業園總投資16 億元,占地339 畝,東臨鳳凰大道、北鄰創業路、西鄰高新路,交通便利。整個園區由標準廠房、定制廠房、園區服務中心3 個部分組成。產業園以半導體、電子、微電子專業為主,傾力打造一個地域結構完整、生態功能健全、空間層次清晰、可持續發展的標準園區,為中小企業、小微企業提供創業平臺和孵化空間。
產業園總建設面積約36 萬平方米,其中一期建筑面積10 萬平方米,二期建筑面積26 萬平方米。企業全部入駐達產后,可形成年產值200 億元規模園區。目前,產業園內已有中科智芯集成電路晶圓級封裝、聯立LCD 驅動芯片封裝、愛矽年產5.4 億片封測產品、奧尼克汽車專用集成電路芯片電氣、北京天科合達碳化硅晶片等項目入駐。
該項目由聯立(徐州)半導體有限公司建設,投資5億元,建筑面積2.3 萬平方米,建設具有月產能2.4 萬片之8 英寸芯片(晶圓凸塊及測試)、封裝(COG、COF)5千萬顆集成電路生產能力的生產線。公司是一家提供液晶顯示器驅動芯片的晶圓凸塊、封裝、測試服務的半導體后段代工廠,引進國際先進的集成電路封裝、測試和管理技術,滿足國際、國內市場對集成電路封裝、測試工程服務和營銷管理的需求。主營業務為半導體(硅片及化合物半導體)集成電路產品及半導體專用材料的開發、生產、封裝和測試、銷售及售后服務。未來,將建成一個世界一流水平的集成電路封裝、測試工程服務的專業公司,以適應21 世紀微電子產業更大發展的需要。目前裝修,機電收尾。
項目投資20 億元,建設5G 高端光芯片封測生產線,封裝1.25G-100G 速率光芯片,年產值30 億元。深圳芯思杰智慧傳感技術有限公司是國內屈指可數的包含光學材料設計、光芯片設計、流片為一體的全產業鏈國家高新企業,是粵港澳大灣區準獨角獸企業,主要從事光芯片、光傳感器、光調制器研發和批量化生產,擁有超百件核心技術專利、產業化技術能力、超億片的出貨量和高可靠性,贏得了全球近百家優質客戶的廣泛應用。核心技術方案和產品將在光通信、數據中心、3D 成像、近紅外攝像、無人駕駛、視覺系統、5G 通訊等相關領域,發揮其獨特的技術優勢和產業化優勢。
該項目由蘇州銳盈芯半導體科技有限公司建設,投資11 億元,建筑面積4 萬平方米。建設設施完善的現代化車間,購置國內外最先進的全自動研磨機、全自動晶圓劃片機、檢測系統、全自動塑封機等關鍵技術裝備,建設5 條方形扁平無引腳封裝(QFN 型)生產線。產品主要包括引線框架類封裝、倒裝芯片封裝、多層芯片堆疊封裝及晶圓級封裝,主要運用在智能手機、消費電子、安防系統、汽車電子及物聯網等行業。主要客戶有韋爾股份、雄邁電子等公司。年設計生產能力36 億顆芯片,年產值約10 億元。目前A10 廠房項目正處于試生產。

該項目總投資約3 億元,總建筑面積約2.2 萬平方米,主要生產半導體引線框架、塑封壓機、沖壓模具及配件,年產能50 億只,年利稅6000 萬元。公司核心技術主要是生產、制造和研發引線框架的核心技術,新材料配置以及精密模具設計制造技術,而目前只有日本住礦、日本三井等國際性公司能夠生產中高端產品,公司的核心團隊已經掌握中高端引線框架產品的核心技術,包括精密沖壓模具設計、沖壓模具設備的裝配技術、引線框架沖壓技術、引線框架的電鍍配方技術等。產品的各方面性能已經獲得國際和國內多家上市公司的認可。
該項目投資20億元建設,分二期建設,一期投資5億元,建設廠房1.2 萬平方米,年封裝12 英寸晶圓片12 萬片;二期投資15 億元,廠房面積3 萬平方米,年封裝12 英寸晶圓片120 萬片。晶圓級扇出型封裝是最先進半導體封裝技術之一,無須使用印刷電路板,可直接在晶圓上實現芯片封裝。晶圓級扇出封裝在電氣、熱性能上表現卓越,使封裝后的器件朝輕、薄、小的方向發展,并具有更低的成本優勢。項目采用晶圓級扇出型生產工藝制程,依托全球最具潛力的通訊、物聯網設備市場,以技術方案設計服務為切入點,吸收現有的三維扇出型堆疊封裝技術和設計上的精華,為客戶定制先進合理的方案設計,是客戶應用這門技術必不可少的商業伙伴。目前裝修收尾,設備安裝調試。
該項目投資5 億元,建筑面積2.4 萬平方米,購入碳化硅單晶生長爐150 臺及其配套的切、磨、拋和檢測等設備。達產后,年產能為碳化硅晶片4 萬片,外延片1 萬片,年產值3 億元人民幣,年產生稅收預計3000 萬元人民幣。目前公司產品涵蓋2-6 英寸導電型碳化硅晶片、2-6 英寸半絕緣碳化硅晶片和寶石晶體。產品已用于國產軍用核心微波器件的研發,并在國產充電樁和電焊機領域廣泛應用,帶動了中車國網、泰科天潤等20 余家國內企業進入下游產業,在國內形成了完整的碳化硅半導體產業鏈;產品出口歐、美、日等20 多個國家和地區,已成為行業國際知名品牌。

該項目是由江蘇中科漢韻半導體有限公司主導、中科院微電子所絕對控股,采用加工下料、清洗、光刻、刻蝕鍍膜和測試等全自動化裝備的工藝流程,年產5000 片碳化硅功率器件等分立半導體器件項目化硅功率器件及半導體技術創新平臺項目,采用中科院微電子所碳化硅技術、依靠微電子所豐富的研發與產業化經驗歸國專家隊伍,確保企業管理、平臺運行的優質與高效。江蘇中科漢韻半導體有限公司是中國科學院微電子研究所和徐州金龍湖產業發展基金有限公司合資的國有企業。該公司是一家以碳化硅(SiC)功率器件制造為主,集研發、生產、銷售為一體的國有科技企業。
該項目投資主體是江蘇星輝半導體有限公司。項目總投資11200 萬元,占地約22 畝,規劃總建筑面積16100平方米,全部建成達產后,預計可實現年銷售收入上億元,年稅收約450 萬元。江蘇星輝半導體公司公司主營電力電子元器件、半導體分立器件、電子元件及組件等。一直以來,公司堅持自主創新,并獲得多項實用新型及發明專利(專利號:ZL201410439434.1/ZL201420498420.2/ZL201520893481.3/ZL201621341032.9),產品生產工藝和技術已經達到業內領先水平。