新金屬芯片能提高存儲速度百倍

張夢然

據英國《自然·物理學》雜志近日發表的一項研究，一個美國聯合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個原子，在更節能的同時，儲存速度提高了100倍之多，為開發下一代數據存儲材料奠定了基礎。

目前，團隊已為該設計申請了專利。他們還在研究下一步改進的方法，例如尋找除二碲化鎢之外的其他2D材料。研究人員表示，對超薄層進行非常小的調整，就會對它的功能特性產生很大的影響，而人們可以利用這一知識來設計新型節能設備，以實現可持續發展和更智慧的未來存儲方式。