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一種L波段高線性砷化鎵驅(qū)動放大器

2020-11-16 02:11:06童偉王測天王亞文鄔海峰林倩
數(shù)碼世界 2020年10期

童偉 王測天 王亞文 鄔海峰 林倩

摘要:本文介紹了一種基于0.5 μm GaAs pHEMT工藝的L波段高線性度驅(qū)動放大器(DA)。該雙級放大器由堆疊結構構成,基于自偏置技術與負反饋技術,該放大器在保持低噪聲的同時能夠具有高線性度。實測結果顯示,在0.5-1GHz寬頻帶范圍內(nèi),輸入以及輸出反射系數(shù)均低于﹣20 dB,帶內(nèi)的典型噪聲系數(shù)為0.6 dB,輸出功率1dB壓縮點大于17 dBm。芯片尺寸為0.8×0.75 mm2。因此,該芯片在兼顧低噪聲的同時具有極佳的線性度特性和高增益,具有廣泛的市場應用前景。

關鍵詞:堆疊;低噪聲;GaAs pHMET;高線性度;寬帶驅(qū)動放大器

1 概述

隨著4G、5G無線通信系統(tǒng)的發(fā)展,移動通信的基站系統(tǒng)對射頻前端中的寬帶驅(qū)動放大器的性能提出了低噪聲、良好輸入輸出駐波匹配以及高線性度等要求。尤其在5G無線通信系統(tǒng)中,700MHz左右的頻段具有傳播損耗低、覆蓋范圍廣、穿透能力強的特點而得到廣泛應用,因此系統(tǒng)迫切需求覆蓋700MHz左右的頻段的低噪聲、寬匹配以及高線性度的驅(qū)動功率放大器芯片。為實現(xiàn)較低的噪聲和高線性度,現(xiàn)有商用寬帶驅(qū)動放大器芯片往往采用傳統(tǒng)的兩級共源放大器采用分別饋電的方式工作,并且前級晶體管通過電阻降壓獲得合適的漏壓來改善噪聲系數(shù),從而造成芯片功耗增加。

本文設計了一種堆疊結構的驅(qū)動放大器芯片結構,利用堆疊(Stacked)結構大幅提高輸出阻抗匹配,拓展帶寬;同時,采用電感串聯(lián)負反饋結構優(yōu)化線性度與輸入匹配的同時保證低噪聲性能;采用自偏置技術減少外圍電路的復雜度。芯片流片后,測試結果顯示該芯片在低功耗情況下,具有優(yōu)異的寬帶低噪聲性能和高線性度指標。

2 芯片結構

本論文的驅(qū)動寬帶放大器電路采用堆疊放大器電路結構,如圖1所示,同時采用單電源供電模式。共源級電路使用源極串聯(lián)電感負反饋結構來增加輸入阻抗;在堆疊結構中,共源電路對芯片性能的影響占主導作用,為減小工藝波動對性能的影響,共源級電路偏置采用有源偏置結構;共柵級電路偏置直接采用電阻分壓結構。同時本電路使用了RC負反饋結構,來調(diào)節(jié)輸入輸出匹配,并擴展帶寬。Stacked結構與傳統(tǒng)共源共柵(Cascode)晶體管的不同之處在于堆疊結構中的柵極匹配電容的容值較小,用于實現(xiàn)堆疊晶體管的最佳源極阻抗匹配,而傳統(tǒng)Cascode晶體管的堆疊柵極補償電容容值極大,從而將柵極實現(xiàn)交流接地。

共源晶體管M1和共柵晶體管M2的柵寬分別為8×100 μm和8×120 μm。電感L1源極串聯(lián)負反饋電路能夠調(diào)節(jié)輸入匹配與增益。電容C1和電阻R1為輸出端到輸入端的負反饋電路,能夠調(diào)節(jié)輸入與輸出阻抗,增加帶寬,改善穩(wěn)定性能;電容C2和電阻R2為輸出端到共柵管M2柵極的負反饋電路,能夠改善電路穩(wěn)定性、調(diào)節(jié)增益并改善線性度性能;電容C3和電阻R3為共柵管M2柵極到地通路,改善電路穩(wěn)定性。為實現(xiàn)單電源供電,本方案采用自偏置技術,包括有源偏置和電阻分壓結構。本電路需要具有一定的抗靜電沖擊能力,在電路的所有對外端口均加有ESD二極管進行靜電防護。

3 實驗結果

采用0.5 μm的GaAs pHEMT工藝流片加工后,該芯片厚度為100 μm,芯片尺寸為0.8×0.75 mm2。如圖2所示為其芯片照片。利用定制的芯片測試夾具進行測試后,施加工作電壓5 V,測試得靜態(tài)電流83mA。圖3為測試的增益、駐波曲線。從測試結果中可以看出,增益測試結果的高頻部分漲了1dB左右,具有一定正斜率,在0.5-1 GHz典型增益約為20dB。輸入與輸出反射系數(shù)較好,均小于-20 dB。圖4噪聲系數(shù)和線性度測試結果,在工作頻段內(nèi)噪聲系數(shù)約為0.6dB,輸出P-1dB大于17 dBm,OIP3大于39 dBm。

4 結論

本論文采用0.5 μm GaAs pHEMT工藝研制了一款0.5-1GHz高線性度驅(qū)動放大器芯片,芯片尺寸為0.8×0.75 mm2。在0.5-1GHz頻帶內(nèi)測試結果顯示:驅(qū)動放大器芯片增益為20 dB,噪聲系數(shù)典型值為0.6 dB,輸入、輸出反射系數(shù)小于-20 dB,P-1dB大于17dBm,OIP3性能大于39dBm。在5V工作電壓下,芯片的靜態(tài)電流為83mA。該芯片可以滿足相關無線通信系統(tǒng)前端的需求。

參考文獻

[1]S. Hu, W. Zhong, H. Gao, et al., “A novel Darlington Cascode broadband drive power amplifier in 2μm InGaP/GaAs HBT technology,” IEEE Wireless & Microwave Technology Conference. 2012.

[2]S. Hu, et al., “A 0.2–6 GHz linearized Darlington- Cascode broadband power amplifier,” IEICE Electronics Express, 15(8), 2018.

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