羅世忠, 王 琦, 孫光瑀, 張大偉
(上海理工大學 光電信息與計算機工程學院,上海 200093)
導模共振(guide mode resonance, GMR)是指外部傳播的衍射場與受調制波導的泄漏模之間產生耦合,當入射光參數或光柵結構參數發生極小變化時,光柵衍射波的傳播能量發生劇烈變化的現象[1-2]。GMR光譜具有高衍射效率和窄帶寬性質,可應用于窄帶濾光片、光學調制器和傳感器等光學器件的設計。當介質光柵附著在具有吸收特性的襯底(例如金屬材料)上時,在GMR發生時具有強烈的吸收特性[3],反射譜中會出現窄帶的共振缺陷峰。
由于GMR傳感器具有高靈敏度、免標記、微型化以及實時檢測等優勢,將基于共振效應的器件應用于傳感領域的研究越來越多[4-5]。Hemmati等[6]通過微加工工藝,在光纖頂端制作集成的GMR結構,能夠實現約77%的光傳輸效率,同時可以實現傳感功能,其靈敏度約為200 nm/RIU(refractive index unit,RIU)。Lin 等[7]提出在全介質 GMR 傳感器結構中增加一層金屬緩沖層,可以顯著提高傳感器的靈敏度。Wang等[8]設計了一種透射式的氣體傳感器,靈敏度高達748 nm/RIU。燕山大學的陳穎等[9]提出一種用于近紅外波段的混合波導傳感結構,結構中可產生多種共振模式,模式之間相互耦合,反射譜中出現兩個窄帶缺陷峰,結構靈敏度分別為466 nm/RIU和628 nm/RIU,品質因數(figure of merit,FOM)分別可達 42.3/RIU 和78.5/RIU。
但是,當前大多研究基于共振效應的傳感結構,其品質因數并不優越,從而會影響測量結果的精確性。為了設計一種具有較高FOM的傳感結構[10],本文提出一種應用于可見光波段的混合波導結構,在結構中產生導模共振模式,反射光譜中出現4個共振缺陷峰,其中3個共振峰擁有較好的FOM,可以用于氣體傳感,利用多孔硅的折射率可調特性,能夠實現待測氣體濃度的動態測量。
圖1為亞波長介質光柵/介質波導/金屬襯底結構模型(yz面截面圖),該結構從上至下依次為介質光柵層、電介質層和金屬層(當結構參數一致,將襯底材料換為電介質時,該結構的靈敏度基本不變,但其品質因數明顯降低)。根據Lin等[7]的研究,該現象可歸因于金屬層對倏逝波的調制作用,GMR傳感器是一種高諧振器件,必須很好地滿足波導的高約束條件,金屬由于反射率高,可以將光反射到任意方向,在任何傳播角度都可以很容易實現對高品質因子共振的約束。采用的結構參數為:光柵層材料為二氧化鈦(TiO2);光柵周期為Λ=430 nm;光柵脊寬度為w=180 nm;厚度為dg=40 nm;外部環境氣體為空氣,折射率為nc=1;選用多孔硅作為電介質材料,厚度為dw=725 nm。由Bruggeman等效介質理論[11]可知,當多孔硅的孔隙率為71.8%時,其等效折射率為nw=1.5;金屬襯底選用金屬銀,其介電常數由Lorentz-Drude模型描述。

圖 1 混合波導結構模型Fig.1 Structural model of the hybrid waveguide
該研究利用時域有限差分法(FDTD)對所提結構的光學特性進行研究,結構參數如表1所示。采用FDTD Solutions軟件對該結構進行模擬分析,以一個光柵周期為一個單元,TM模式光垂直入射到光柵表面,收集反射光(平行于入射光),分析其光學特性。

表 1 結構參數表Tab.1 Structure parameters
光柵可以看作是周期調制的波導,當光柵的高級次子波與波導所支持的導模在參數上接近時,光柵的能量重新分布。由于光柵的周期調制性使得光柵波導有泄漏,因而泄漏能量也重新分布形成導模共振效應。根據光波導理論,光柵層等效的光波導與第j級消逝波的有效傳播常數β可以表示為:

式中:n為介質折射率;θ為折射角;λ為入射光波長;k0=2π/λ。
該式表明第j級消逝波與導模相位匹配時,能夠產生導模共振[12]。根據導模共振的約束條件,在非正入射條件下,共振峰將會分裂成兩個,單通道結構演變為雙通道結構[13]。本研究提出的結構為四通道導模共振結構,能夠同時調諧4個波長的光,與傳統的單通道結構相比,該結構可以簡化光學系統,減輕系統的負荷[14]。
王振華等[15]提出增加緩沖層可以得到多通道的濾波結構,在保持光柵參量以及其他參量不變的情況下,只改變緩沖層的厚度,隨著緩沖層的厚度改變,波導所支持的模式將會增加,將會出現更多的共振峰。此外,共振結構的反射率也會隨著緩沖層厚度的改變而改變。
根據時域有限差分法,采用FDTD Solutions在單層導模共振結構的基礎上,增加一層介質層充作緩沖層,優化結構參數,獲得了光學特性較好的四通道結構。
采用FDTD Solutions軟件進行計算得到該結構的反射光譜,如圖2所示,在可見光波段得到4個共振缺陷峰,λ1為 436.072 nm,λ2為 486.675 nm,λ3為 554.309 nm,λ4為 609.921 nm。

圖 2 傳感結構反射光譜Fig.2 Reflection spectrum of the sensing structure
同時,對共振缺陷波長處的電場進行了模擬計算,觀察結構中的共振情況,圖3為4個共振波長的電場分布圖:圖(a)中能量集中分布在光柵脊兩側;圖(b)中能量分布在結構各層,但光柵與介質層接觸面處的能量更集中,電場強度最大;從圖(c)可以看出,電場主要分布在介質層內部,且最大電場強度高于圖(b)中數值;從圖(d)可知,當共振波長為609.9 nm時,能量高度集中在介質層內部,電場強度達到最大,且分布在光柵兩側,說明該處的共振效應最強。

圖 3 不同共振波長處的電場分布圖Fig.3 Electric field distributions at different resonant wavelengths
該結構采用多孔硅充作波導層介質,在進行氣體濃度測量時,當多孔硅的孔隙內吸附一定濃度的待測氣體時,多孔硅的有效折射率會隨著氣體濃度的改變隨之發生變化[16],使得結構光學響應特性發生變化,因而該結構能夠實現待測氣體濃度的動態測量,例如折射率較高的甲醛氣體等。將傳感結構放置于一定濃度的待測氣體中,通過分子的自由運動,待測氣體擴散到多孔硅的孔隙中,當傳感結構內外氣壓穩定時,多孔硅的有效折射率發生相應變化,其變化規律遵循Bruggeman介電函數近似模型[17]:

式中:nSi為硅的折射率;nρSi為多孔硅的等效折射率;ρ為多孔硅的孔隙率;nc為空氣折射率。為了進一步研究該結構傳感特性,以0.01為步長,將多孔硅的有效折射率增加到1.55,得到圖4所示的光學響應曲線。從圖4可以看出,隨著多孔硅有效折射率的增加,共振峰向長波長方向漂移。當其折射率從1.5增加到1.55時,共振峰1漂移到 446.092 nm,半高全寬(full width at half maximum,FWHM)為 3.5 nm,其波長靈敏度(S=Δλ/Δn,Δλ為共振波長變化量,Δn為折射率變化量)為200 nm/RIU,品質因數(FOM=S/FWHM)達到 57.1/RIU;峰2漂移到501.703 nm,半高全寬為2.5 nm,靈敏度為300 nm/RIU,品質因數為120/RIU;峰3漂移到571.841 nm,半高全寬為2.3 nm,靈敏度為350 nm/RIU,品質因數為152.2/RIU;峰4漂移到 629.96 nm,半高全寬為 1.3 nm,靈敏度達到400 nm/RIU,品質因數達到307.7/RIU。

圖 4 多孔硅不同折射率時共振波長漂移Fig. 4 Resonant wavelength shift of porous silicon with different refractive indexes
此外,本文還研究了共振波長差隨著多孔硅折射率增加的變化情況。這里,共振波長差定義為λi+1–λi(i=1,2,3,定義為波長差的階次),即高階共振波長減去次階共振波長的差值,結果如圖5所示。不難發現,隨著多孔硅的折射率增加,3個階次的波長差均在逐漸增大,而且,階次越高,波長差值隨著折射率增加的變化范圍越小。

圖 5 多孔硅不同折射率時共振波長差Fig.5 Resonant wavelength difference of porous silicon with different refractive indexes
本文提出的結構能夠得到4個共振缺陷峰,其中,共振峰2,3,4具有優異的傳感特性,表現出高品質因數和高靈敏度。與燕山大學的陳穎等人提出的傳感結構相比,前者靈敏度分別可達466 nm/RIU 和 628 nm/RIU,品質因數較低。較于前者,該結構的靈敏度雖然較低,但品質因數極為優越,在進行氣體濃度測量時,誤差更小,測量結果更加精確。而且該結構適用于可見光范圍,無電磁輻射,成本低,頻譜豐富。此外,可見光傳感器的光譜響應接近人眼函數曲線,能夠透過可見光,過濾紫外線以及中遠紅外光,增強了光學濾波效果。
設計了一種一維亞波長介質光柵/多孔硅/金屬襯底的傳感結構,該結構可以產生導模共振,利用FDTD進行參數掃描優化,在反射光譜中形成4個窄帶共振缺陷峰。其中3個共振峰表現出優異的傳感性能,品質因數分別達到120,152.2和307.7/RIU,檢測精度高,皆可用于氣體傳感。該研究能夠為氣體檢測以及空氣污染監測提供一定的參考價值。