釉面輥棒印分析及預防解決措施

李清蓮，陳健，楊濤，熊勛旺，江健，黃焱墉，査武華

摘 要： 目前，拋釉磚的吸水率越來越低，意味著燒結程度越好，玻化程度越高，也就說明坯體在燒成區域越軟，磚形比較難以控制。一般的拋釉磚在燒結過后，磚坯朝出窯方向的前后邊相距5～20cm的位置處容易產生較嚴重的S型變形，也就是陶瓷行業俗稱的波浪紋或輥棒印。當陶瓷磚的波浪紋過大，會嚴重影響瓷磚的鋪貼及其美觀度，所以如何改善波浪紋（輥棒印）成為了業界比較關注的技術難題。本文結合作者自身陶瓷生產經驗以及向同行了解到的相關信息，分析棍棒印產生原因以及對應的解決措施。

關鍵詞：輥棒印;配方;工藝控制

1 前 言

目前，拋釉磚的市場占有率高，客戶對其釉面品質的要求也相對提高。然而一般的拋釉磚在燒結過后，磚坯朝出窯方向的前后邊相距5～20cm的位置處容易產生較嚴重的S型變形，為解決磚坯釉面的這種輥棒印，需對工藝進行進一步的調整，下面就輥棒印產生原因以及對應的解決措施作進一步分析。使得后期出窯磚坯平整度高，鋪貼效果美觀，滿足客戶要求，提高產品市場競爭力。

2棍棒印產生原因

3 解決方法措施

3.1? 坯釉配方調整

將底釉的膨脹系數與坯體的膨脹系數兩者之間的差值控制在小于30×10-7/k以內，有利于避免拋釉磚爬坡拱著進入高溫區，能有效提高磚坯的平整度。配方化學成分如下：

底釉包括以下化學成分：Al2O3：22%～24%、SiO2 ：60%～65%、K2O：2%～2.2%、Na2O：4%～4.5%、MgO：0.3%～0.5%和Cao：1.8%～2.2%。

坯體包括以下化學成分：Al2O3：11%～13%、SiO2： 60%～65%、K2O：4%～5%、Na2O：1%～1.5%、MgO：1.5%～3%和CaO：13%～16%。

3.2? 壓制工序調整

采用條紋結構代替現有的方格紋理結構，有利于壓制過程中磚坯能排氣順暢，避免坯體層出現分層，還能在燒制過程中有效減少輥棒印的出現，進一步提高拋釉磚的平整度。

拋釉磚模具如圖2所示，包括上模1和下模2，上模1和下模2扣合形成模腔，下模2的內底面設有排氣區21和收縮區22，排氣區21突出設置于下模2的內底面，且位于內底面的邊緣，收縮區22突出設置于內底面的中部，收縮區22設有多條排氣凸條221，且排氣區21包圍所述收縮區22。其作用 由于拋釉磚下模的上表面底紋與拋釉磚底部底紋互為陰陽，因此，使得拋釉磚的下表面分別設置有與排氣區21相對應的排氣部、與收縮區22相對應的收縮部和與排氣凸條221相對應的排氣槽。拋釉磚底部設置有凹陷的排氣部，磚坯燒制過程中產生的氣體可依次經過排氣部排出，有利于磚坯在燒制過程中排氣順暢，避免分層;同時，在燒制過程中容易使得拋釉磚底部邊緣的致密度均勻且與拋釉磚底部中心的致密度的接近，收縮均勻一致，有利于拋釉磚底部邊緣塌角的減小。收縮區設有多條凹陷的排氣槽，有利于在燒制過程中的排氣，從而能有效減小拋釉磚底部中心的收縮，提高磚坯整體的平整度。

3.3? 釉線淋釉工藝控制

淋釉量左右差控制在2g范圍之內，對提高拋釉磚的平整度有利。

3.4? 燒成調整

3.4.1入窯走磚控制

采用進磚定位裝置來改變進磚排布方式，使得燒成后的磚坯鋪貼面的平整度較高，有利于提高瓷磚鋪貼的美觀度。

進磚排布方式及定位裝置，包括：同排磚坯間距定位、造型定位1、造型定位2。

同排磚坯間距定位（對中）：通過對中裝置，使得同排磚坯間距一致。

造型定位1：通過偏正裝置，使得磚坯左間距縮小，右間距擴大，為角度留有位置

造型定位2：在造角度前，將磚坯放置于同一水平線上，通過具有斜度的擋磚裝置，使得中間磚坯與左右兩件磚成固定夾角進磚，改變原有同一水平同一間距方向進磚，使得磚坯在高溫段走磚時，壓棒行進，避免棍棒跳動，磚坯軟化行走時形成波浪紋或輥棒印。

3.4.2 燒成曲線及窯爐棍棒設置

燒成帶沿出窯方向依次包括前溫區、中溫區、中高溫區和高溫區，且前溫區、中溫區、中高溫區和高溫區的數量比例為16：5：（2～4）：（9～10）。 在前溫區內的走磚時間為8～10min，中溫區和中高溫區內的走磚時間為4～6min，在高溫區內的走磚時間為9～12min。 高溫區輥棒直徑為50cm，且相鄰兩輥棒的支撐點之間的距離為65mm。

3.5? 拋光控制

拋光半成品進入粗拋工序拋光，在進入中拋前將半成品旋轉90度，利用皮帶速度差將磚坯旋轉拋光，其目的在于前后左右邊拋削量不一致，拋光時磨塊左右擺動，在一個水平方向上。為使拋削一致將磚坯旋轉方向拋光。

4結語

綜上所述，陶瓷輥棒印是多個因素疊加造成的問題，配方、壓制、窯爐燒成等都是重中之重，需要各工藝參數結合，才能使磚坯出窯平整度高，拋后釉面效果好。