低維光電材料缺陷與界面增強拉曼散射

侯翔宇，邱 騰

（東南大學 物理學院，江蘇南京 211189）

1 引 言

表面主要指物體與外界接觸的最外層。在科學研究中，從自然界物質常見相態出發，表面被定義為氣相（或真空）與凝聚相（包括固相、液相）之間的分界面。以氣固相中周期性排列的晶格為例，由于界面處體系的邊界條件發生改變，周期性勢場被中斷，不同體態的晶格排列或電子電荷密度分布將導致表面層的形成。表面層原子為了滿足能量最低原則，常發生弛豫和再構，其化學組分也會不同于體態發生偏析或分凝，這都使得固體表面具有不同于固體內部的物理和化學性質。對表面物化性質和微觀結構的研究逐漸形成表面科學這一研究領域，成為涉及化學、材料、物理、生物等多學科工程的交叉領域，對各學科的發展有著重要影響。材料物理學領域的領先科學家厄爾?沃德?普拉默教授在其課題組主頁上就用“Surfaces are the playground of Solid State Physics”來形容表面對于固體物理學的重要性。隨著科學技術的發展和進步，表面科學的研究在不斷深入，對于表面層尺度的定義和認識也在不斷更新和發展中。起初表面是指晶體三維周期結構與氣相（或真空）之間的過渡區，是不具備三維結構特征的最外原子層，Honig 將其定義為“鍵合在固體最外面的原子層”。隨著研究深入，表面層尺度的量化定義被提出，Vickerman 將表面指定為固體外表約一至十個單原子層。目前廣泛接受的觀點認為表面是指固體最外層的一個或幾個原子層，厚度約為十分之幾至幾納米。

表面增強拉曼散射(Surface-Enhanced Raman Scattering, SERS)作為表面科學中重要研究方向，在生物分子檢測、細胞捕獲和環境污染物監測等方面具有重要應用。1974 年，Fleischmann等研究人員最先發現吸附在粗糙銀電極表面的吡啶分子具有強的拉曼散射現象[1]。隨后，Van Duyne 及其合作者通過實驗和計算證明吸附在粗糙銀表面的每個分子都具有比溶液中更強的拉曼散射信號，認為這是一種與粗糙表面有關的表面增強效應，從而提出SERS 的概念[2]。可以看出，此時人們對SERS 中表面的定義是宏觀上氣固相間界面的概念。1997 年，聶書明教授發現吸附在銀顆粒聚集體上的單分子有拉曼增強效應，從而提出了與多級等離激元共振有關的活性位置即“熱點”的新概念[3]。至此之后，利用納米金屬顆粒間增強局域電磁場實現吸附分子的拉曼增強效應成為SERS 研究的主要手段，表面也因此被認為是納米尺度下金屬顆粒與氣相(或真空)間的分界面。近年來，隨著材料科學的發展，特別是對低維光電材料研究的深入，涌現了越來越多的低維光電材料用于SERS 的報道[4-6]。由于它們的拉曼增強效應無法用電磁場增強機制來解釋，化學增強機制的作用被廣泛關注。目前認為光致誘導電 荷 轉 移(Photoinduced Charge Transfer, PICT)是低維光電材料實現拉曼增強效應的主要過程，它們通過改變體系的極化率達到調節SERS 的目的[7,8]。由于電荷轉移受能帶、態密度等基底物化性質的影響，為了提高低維光電材料的拉曼增強效應，缺陷和界面工程被引入其中。這些缺陷和界面結構作用于低維光電材料內部，可以影響電荷轉移過程，達到提高SERS 活性的目的，但這些現象難以用SERS 中已有的表面概念來理解和認識。程光煦先生在《也談光散射增強》中提到：“增強”不僅僅發生在表面，對于體內結構也有該現象[9]。這啟發人們對于SERS 中的表面是否需要重新理解和認識，其尺度范圍是否需同前文一樣進行科學有效的定義。

基于上述思考，本文將著重介紹近年來低維光電材料中不同缺陷和界面類型增強拉曼散射的研究進展，展望缺陷與界面增強拉曼散射的應用前景和發展方向，希望對人們進一步理解和認識SERS 中表面的概念有所啟發。

2 缺陷增強拉曼散射

如圖1 所示，低維光電材料結構中存在著多種缺陷類型，包括吸附原子、替換原子、邊界、晶界和空位等[10]。這些缺陷可以在低維光電材料能帶中產生相應的缺陷能級，調節材料與吸附分子間的電荷轉移過程，實現增強拉曼散射的目的。目前，通過摻雜原子可以實現吸附原子或替換原子型缺陷增強拉曼散射，制造空位可以實現空位型缺陷增強拉曼散射，下文將具體介紹這些缺陷類型增強拉曼散射的研究。

圖1 以單層硫化鉬為代表的低維光電材料晶體結構中存在的缺陷類型示意圖[10]Fig. 1 Schematic diagram of the defect types in the crystal structure of low-dimensional optoelectronic materials represented by monolayer molybdenum sulfide[10]

2.1 吸附原子增強拉曼散射

吸附原子型缺陷可通過摻雜原子與低維光電材料晶體結構中的原子成鍵形成。2010 年首次提出石墨烯基于化學機制增強拉曼散射，增強因子在103左右，難以媲美傳統貴金屬材料的增強效果[11]。為了提高化學機制的增強作用，2011 年，首次報道了通過紫外臭氧處理石墨烯增強拉曼散射[12]。圖2(a)（彩圖見期刊電子版）中，紫外光誘導產生的臭氧與石墨烯反應，在石墨烯表面形成氧原子吸附，實現p 型摻雜。摻雜后石墨烯的費米面會發生下移，調節其與分子（如羅丹明B，羅丹明6G 和結晶紫）間的電荷轉移過程，增強分子的拉曼散射信號，將增強因子提高到104。氧氣等離子體輕度處理石墨烯也可以增強拉曼散射[13]。與紫外臭氧處理石墨烯類似，氧氣等離子體處理后石墨烯表面會吸附氧原子，費米面產生下移，使能帶接近入射激光的光子能量，增強電荷轉移過程。氬氣或氧氣等離子體處理可在硫化鉬中實現氧原子吸附型缺陷增強拉曼散射[14]。通過吸附氧原子實現價態降低和空穴摻雜，降低的價態增強了硫化鉬與分子能帶間的電荷轉移過程并抑制了分子的熒光過程，使得處理后的硫化鉬有更強的拉曼散射活性。除了氧原子吸附型缺陷外，氟原子吸附型缺陷增強拉曼散射也有報道[15]。圖2(b)（彩圖見期刊電子版）中，四氟化碳等離子體處理完全氧化石墨烯，可在氧化石墨烯表面吸附氟原子，實現氟還原氧化石墨烯。與氧吸附型缺陷通過費米面的下移調節拉曼散射活性不同，氟吸附型缺陷主要改變電荷濃度利用強的局域偶極子增強拉曼散射。

圖2 (a)氧化石墨烯中缺陷增強拉曼散射示意圖[12]；(b)氟還原氧化石墨烯中缺陷增強拉曼散射的示意圖[15]Fig. 2Schematic diagram of defects-enhanced Raman scattering in (a) graphene oxide[12]and (b) fluorinated reduced graphene oxide[15]

2.2 替換原子增強拉曼散射

替換原子型缺陷主要通過摻雜原子替換低維光電材料晶格中的原子形成。目前，氮摻雜在替換原子型缺陷增強拉曼散射中應用最為廣泛。Lv 等研究人員發現氮摻雜石墨烯可以增強羅丹明B 的拉曼散射，掃描隧道顯微鏡圖像及其光譜說明氮摻雜石墨烯存在著大量雙氮原子替換晶格中碳原子的缺陷類型[16]，如圖3(a)（彩圖見期刊電子版）所示。摻雜后的石墨烯與羅丹明B 分子間形成強的π-π 堆疊，在增強電荷轉移的同時也猝滅了熒光背底。通過控制摻雜條件，如溫度和反應時間等，可以調節石墨烯晶格中單氮原子或雙氮原子的替換比例，達到控制氮摻雜濃度的目的[17]。調節氮摻雜濃度后的石墨烯可以進一步增強羅丹明B 的拉曼散射信號并增強更多分子(如羅丹明6G 和原卟啉IX)的拉曼信號。Ren 等研究人員利用脈沖激光沉積技術直接生長不同濃度的氮摻雜石墨烯也可以調控缺陷增強拉曼散射活性[18]。通過拉曼和X 射線光電子能譜的結果證明存在氮原子替換石墨烯晶格中碳原子的缺陷類型，且氮摻雜濃度可以通過控制生長環境中的氮氣氣壓來調節。通過氮摻雜的方式也可實現二維碳納米片和石墨烯量子點等低維材料缺陷增強拉曼散射[19-20]。除了氮摻雜外，近期也有關于鈉摻雜銻量子點增強拉曼散射的報道[21]。電化學剝離和同步摻雜策略可以實現鈉原子替換銻晶格結構中的原子，形成鈉摻雜銻的量子點，如圖3(b)（彩圖見期刊電子版）所示。摻雜后的量子點能帶從摻雜前的間接型帶隙轉變成直接帶隙，促進電荷轉移，實現缺陷增強拉曼散射。

圖3 (a)雙氮原子替換石墨烯中碳原子的掃描隧道顯微鏡圖像[16]；(b)鈉摻雜銻量子點的電荷密度分布[21]Fig. 3 (a) Scanning tunneling microscopic image of nitrogen doped graphene in which double carbon atoms are replaced by nitrogen atoms[16]; (b) 3D charge density distribution of sodium-doped antimonene quantum dots[21]

2.3 空位增強拉曼散射

空位型缺陷是由于低維光電材料完美晶格中原有原子缺失形成的。自從富含氧空位的半導體材料可以實現媲美貴金屬的拉曼增強效果[22-24]，在低維材料中氧空位型缺陷增強拉曼散射被廣泛研究。目前制造氧空位的方式大致可分為兩類：一類是直接合成富含氧空位的低維光電材料；另一類則是通過處理手段在已合成低維光電材料中引入大量氧空位。這兩種方式制造氧空位用于增強拉曼散射的研究均有報道。在二維材料中，直接制備的富含缺陷的二氧化釩納米片具有比其塊體材料更強的SERS 活性[25]。納米片晶格中周期性氧空位(圖4(a)(彩圖見期刊電子版))增強電荷轉移過程被認為是二氧化釩強SERS 活性的主要原因。對于一維材料，溶液法可以直接合成富含氧空位的定向密集排列的氧化鎢納米線，如圖4(b)(彩圖見期刊電子版)所示[26]。這些納米線的兩端及納米線之間存在著強的局域等離激元共振效應，它們與氧空位輔助實現電荷轉移效應耦合，協同增強拉曼散射。在更低維度中，氧化鉬可以通過激光誘導或一鍋溶液法直接合成富含氧空位的量子點[27-28]。與富含氧空位的氧化鎢納米線相似，這些具有氧空位的量子點在可見或近紅外區間內存在著局域等離激元共振效應(圖4(c)、4(d)(彩圖見期刊電子版))，它們耦合電荷轉移效應協同增強拉曼散射，使得富含氧空位的氧化鉬量子點具有強的SERS 活性。利用處理手段在已合成材料中引入氧空位的方法目前主要用于氧化物納米線中。如圖5(a)(彩圖見期刊電子版)和5(b)(彩圖見期刊電子版)所示，已合成的氧化鎢納米線可以通過在氬氣和氫氣混合氣中經退火處理引入大量氧空位，二氧化鈦納米線則通過水熱反應制造大量氧空位[29-30]。吸收光譜說明這些富含氧空位的納米線同樣存在著局域等離激元共振與電荷轉移之間的協同作用，實現氧空位增強拉曼散射。

除了氧空位外，在非氧化物中硫空位增強拉曼散射的研究也有報道。如圖4(d)(彩圖見期刊電子版)所示，利用鋰溶液直接剝離的二維硫化鉬具有豐富的硫空位，比缺陷較少的硫化鉬材料具有更高的金屬性，有利于增強電荷轉移過程，提高SERS 活性[31]。飛秒激光可以直接在單層硫化鉬中誘導產生硫空位，由第一性原理計算出的能帶說明硫空位產生后硫化鉬的能帶發生了變化，與鋰溶液中剝離的硫化鉬一樣具有更強的金屬性，有利于增強拉曼散射(圖5(c)(彩圖見期刊電子版))[32]。

圖4 (a)本身具有周期性氧空位的二氧化釩納米片的晶體結構示意圖[25]；(b)合成富含氧空位的氧化鎢納米線利用電荷轉移和等離激元共振協同增強拉曼散射的示意圖[26]；(c)合成富含氧空位的氧化鉬量子點與吸附分子體系的吸收光譜[28]；(d)鋰溶液直接剝離富含硫空位的二維硫化鉬示意圖[31]Fig. 4 (a) Schematic diagram of crystal structures of vanadium dioxide nanosheets with periodic oxygen vacancies[25];(b) schematic diagram of enhanced Raman scattering caused by the synergistic effect of surface plasmon resonance coupling and charge transfer in tungsten oxide nanowires with oxygen vacancies[26]; (c) UV-vis spectra of adsorbed molecules and molybdenum trioxide quantum dots with oxygen vacancies[28]; (d) schematic diagram of lithium-exfoliated molybdenum disulfide with suffur vacancies[31]

圖5 (a)退火形成富含氧空位的氧化鎢納米線的掃描電子顯微鏡圖像(上)和吸收光譜(下)[29]；(b)水熱反應制造富含氧空位的二氧化鈦納米線的掃描電子顯微鏡圖像(上)和吸收光譜(下)[30]；(c)激光誘導富含硫空位的單層硫化鉬的能帶(上)和增強拉曼散射譜圖(下)[32]Fig. 5 (a) Scanning electron microscopy image (top) and UV-vis spectra (bottom) of tungsten oxide nanowires rich in oxygen vacancies formed by annealing[29]; (b) scanning electron microscopy image (top) and UV-vis spectra (bottom) of titanium dioxide nanowires rich in oxygen vacancies produced by a hydrothermal reaction[30]; (c) bandgaps (top) and surface-enhanced Raman spectra (bottom) of femtosecond laser-treated molybdenum sulfide rich in sulfur vacancies[32]

3 界面增強拉曼散射

與缺陷工程不同，界面工程是一種不需要破壞晶體結構實現電荷濃度調節的非缺陷摻雜方式[10]。界面處的相互作用實現低維光電材料的能帶調節和表面電荷摻雜，使得低維界面結構滿足增強拉曼散射的要求。下面將主要介紹低維界面增強拉曼散射的研究進展。

3.1 二維層狀結構界面增強拉曼散射

在二維層狀結構中，異質結由于具有特殊的化學和物理性質而被廣泛研究。不同層狀二維材料利用范德華力實現縱向堆疊可形成異質結構。如圖6(a)(彩圖見期刊電子版)所示，Tan 等研究人員發現通過碳離子照射形成的石墨烯和硒化鎢異質結比單獨的石墨烯或硒化鎢具有更強的SERS 活性[33]。第一性原理計算態密度說明異質結具有比單獨材料更高的態密度，泵浦探測實驗證明這一更高的態密度來源于層間電荷轉移。態密度的提高使得異質結與吸附分子間發生電荷轉移的幾率變大，是異質結具有更高SERS 活性的主要原因。考慮到上層硒化鎢下層石墨烯異質結具有比單層硒化鎢強但比石墨烯弱的SERS 活性，研究人員認為增強效果依賴異質結中上層材料的性質。除此之外，構筑的四層異質結構具有與雙層結構類似的增強效果，從而說明異質結增強拉曼散射具有表面效應，超過兩層的異質結構對于電荷轉移的影響與雙層異質結類似。

圖6 (a)石墨烯與二硒化鎢異質結利用層間電荷轉移實現增強拉曼散射的示意圖[33]；(b)富含氧空位的氧化鎢與單層硫化鉬異質結利用層間電荷轉移和多種激子共振實現增強拉曼散射的示意圖[34-35]；(c)單層硫化鉬和二硒化錫異質結利用非輻射能量轉移效應增強拉曼散射的示意圖[36-37]；(d)外加磁場下形成的石墨烯和羅丹明6G 三明治結構的示意圖[38]Fig. 6 Schematic diagram of enhanced Raman scattering caused by (a) the interlayer charge transfer in the graphene and tungsten disulfide heterojunction[33], (b) the interlayer charge transfer and multiple exciton resonances in tungsten oxide rich in oxygen vacancies and with a monolayer molybdenum sulfide heterojunction[34-35], and (c) nonradiative energy transfer effect in monolayer molybdenum sulfide and tin diselenide heterostructure[36-37]; (d) pressure-induced surface enhanced Raman scattering in graphene-molecule-graphene sandwich structures under an external magnetic field[38]

由于異質結增強拉曼散射的效果受結構上層材料性質的影響較大，為了提高SERS 活性，具有更強SERS 活性的層狀光電材料被用來構建異質結。在上一節中提到缺陷可以提高低維材料的SERS 活性，因此具有缺陷的層狀材料也被用于構筑異質結構。如圖6(b)(彩圖見期刊電子版)所示，具有豐富氧空位的氧化鎢可通過磁控濺射和氫氣退火在單層硫化鉬表面沉積形成異質結[34]。異質結中由于存在層間電荷轉移和多種激子共振，使得SERS 活性強于單獨的氧化鎢和硫化鉬，對羅丹明6G 的檢測極限可達10?9M。氧化硫化錸和石墨烯的異質結構可以通過液相沉積的方式構建，由于層間電荷轉移對上層氧化硫化錸電子結構的調節，使得異質結中存在強的激子共振和電荷轉移共振耦合，對羅丹明6G 的檢測極限提高到10?15M[35]。異質結中除了存在層間電荷轉移外，其它層間效應增強拉曼散射也有報道。如圖6(c)(彩圖見期刊電子版) 所示，Dandu 等研究人員發現在單層硫化物和二硒化錫異質結中非輻射能量轉移效應可增強拉曼散射[36]。通過調節異質結所處環境溫度可以實現拉曼增強效果的調節，這種變化被認為是異質結中非輻射能量轉移效應導致的。Ren 等研究人員報道氧化鉬納米片中存在避雷針效應增強拉曼散射的情況[37]。他們通過將二氧化鉬納米片在空氣中退火處理可在表面形成三氧化鉬，構筑成氧化鉬異質結構。由于表面三氧化鉬是粗糙非連續的，間隙處存在的避雷針效應可增強局域電磁場，從而提高異質結的SERS 活性。

除了二維異質結外，三明治結構也可增強拉曼散射。如圖6(d)(彩圖見期刊電子版)所示，通過外加磁場形成的靜壓可以構筑石墨烯-羅丹明6G-石墨烯的三明治結構[38]。與二維異質結僅有表面與吸附分子接觸不同，三明治結構中上下層石墨烯和羅丹明6G 直接接觸增加了化學連接，雙層石墨烯與吸附分子間的接觸面都起到了增強拉曼散射的作用。另一方面在壓力作用下可以有效的猝滅熒光，進一步增強拉曼散射。這都使得石墨烯和羅丹明6G 的三明治結構具有比非三明治結構更強的SERS 活性。

3.2 其它低維結構界面增強拉曼散射

在更低維度和不同維度間存在著多種結構可實現界面增強拉曼散射。如圖7(a)(彩圖見期刊電子版)所示，硫化鉬量子點由于量子限制效應展現出不同于半導體的金屬性質，可以與二維還原氧化石墨烯形成界面結構[39]。在界面處的電荷轉移導致整體結構的費米面低于單純硫化鉬量子點的費米面，從而提高了異質結與吸附分子間的電荷躍遷幾率，實現拉曼散射增強。混雜二氧化鎢和碳納米線束狀界面結構在表面等離激元共振和電荷轉移協同作用下，具有10?8M 的檢測極限(圖7(b)(彩圖見期刊電子版))[40]。同種石墨烯量子點組成的一維納米線具有比石墨烯量子點薄膜更強的SERS 活性，形狀的不同使得石墨烯量子點組成的納米線與吸附分子可以更充分的接觸連接，充分有效的電荷轉移過程被認為是其具有更高SERS 活性的主要原因(圖7(c)(彩圖見期刊電子版))[41]。不同種材料(如CdSe/Zn1-xBexSe,InAs/GaAs)組成的半導體量子點由于帶間躍遷和電荷轉移的貢獻也可實現增強拉曼散射[42-43]。

圖7 (a)硫化鉬量子點和二維還原氧化石墨烯界面結構的能帶和態密度[39]；(b)混雜二氧化鎢和碳納米線束狀界面結構的吸收光譜[40]；(c)石墨烯量子點形成一維納米管和其表面增強拉曼散射的示意圖[41]Fig. 7(a) The energy band and density of the states of the interface structure between a molybdenum disulfide quantum dot and reduced graphene oxide[39]; (b) UV-vis spectra of hybrid tungsten dioxide/carbon ultrathin nanowire beams[40];(c) scheme of the fabrication of graphene-quantum-dot assembled nanotubes and their SERS function[41]

4 可增強吸附分子對象

與傳統貴金屬材料通過增強局域電磁場實現拉曼增強效應不同，低維光電材料主要依賴PICT 過程增強吸附分子的拉曼散射。增強機制的不同導致低維光電材料不能像貴金屬一樣對表面吸附的分子均有增強效應，存在著選擇性增強分子拉曼散射現象。缺陷與界面增強拉曼散射在機制上主要是對PICT 過程的調節，因此合理選擇吸附分子對整個體系的增強性能至關重要。本節將先從增強機制的角度說明合理選擇吸附分子的重要性，再對缺陷與界面增強拉曼散射中常用吸附分子對象進行總結歸納，并給出選擇意見。

4.1 電荷轉移增強機制

電荷轉移是SERS 化學增強理論中的重要機制，由于在貴金屬材料SERS 中的貢獻較弱，長期以來并未受到廣泛關注和研究。近年來隨著非貴金屬SERS 材料的發展，電荷轉移增強機制的研究才不斷深入，多種研究模型被提出。對于低維光電材料而言，電荷轉移機制多從能帶角度出發，基于Lombardi 教授提出的電荷轉移模型來進行研究和分析[7,44]。本文將主要介紹這一電荷轉移模型。該模型認為電荷轉移過程主要影響體系的極化張量(α)，拉曼峰的強度正比于α2。如公式(1)所示，α由A、B、C三種形式相加組成：

其中，A形式主要考慮單一電荷轉移過程，滿足Franck-Condon 選擇定則，用來描述完全對稱模式。一般性模式(Qk)受B和C形式的影響，B形式主要考慮從分子到基底的PICT 過程與其它過程的耦合，C形式主要考慮從基底到分子的PICT過程與其它過程的耦合。如圖8 所示，從分子的最高占據分子軌道(the Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO)到分子的最低未占據分子軌道(the Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUMO)間的電荷躍遷相關的共振形式被稱為分子共振(μmol)，半導體中與價帶到導帶間的電荷躍遷相關的共振形成激子共振(μex)。

圖8 電荷轉移在(a)金屬-分子體系和(b)半導體-分子體系[44]Fig. 8 Charge transfer in (a) a metal-molecule system and (b) a semiconductor-molecule system[44]

在B和C形式中都包含著PICT 共振與μmol（或μex）間的耦合，以吸附分子相關的μmol與PICT 共振耦合為例，其表達形式如公式(2)：

其中，hmol?PICT為Herzberg-Teller 耦合常數，用來描述耦 合 情況。當 頻 率ω分別等于 ωPICT或 ωmol時，將產生PICT 共振或 μmol。若兩者共振頻率相接近則具有強的耦合增強效果。在實際實驗中，當入射激光頻率選定時，同時可以產生PICT 共振和 μmol的系統實現增強拉曼散射的幾率會大大提高。這也就說明合理選擇吸附分子在電荷轉移增強機制中的重要性。

對于低維光電材料而言，具有金屬性的材料可以用圖8(a) 中的金屬-分子體系來分析，PICT過程主要發生在分子與材料的費米能級之間，由于沒有μex過程只需要考慮PICT 共振與 μmol間的耦合。缺陷與界面可改變其費米能級的位置，調節PICT 過程從而增強拉曼散射。對于具有半導體性質的低維光電材料而言，主要利用圖8(b)中的情況來分析。缺陷可改變其原有能帶，或在其能帶中產生缺陷能級改變原有的電荷轉移過程，達到增強拉曼散射的目的。界面則多從整體能帶的變化說明對拉曼散射的影響。

除了本文主要介紹的缺陷與界面調節電荷轉移過程實現增強拉曼散射外，其它因素例如外加電場、調節測試溫度等也可調節電荷轉移過程。石墨烯的費米能級可以通過輸入不同的門極電壓進行調節，費米能級的變化導致電荷轉移過程的改變從而達到調節拉曼散射強度的目的[45]。鈉摻雜銻的量子點同樣受外加門極電壓的影響，隨著輸入的負電壓值的提高，更多空穴被注入量子點中，從而提高電荷轉移的幾率，實現增強拉曼散射[21]。在源極和漏極間通入電流也可調節拉曼散射強度，具有氧空位的氧化鎢材料在電流調節下使得空位數量增加，從而降低能級促進電荷轉移過程，實現拉曼散射增強[46]。降低測試溫度被認為可以提高有效的電荷轉移過程，在具有缺陷的氧化鋅納米片中，隨著測試溫度的降低，光子輔助非輻射復合將減少，PICT 的數量將提高，達到增強拉曼散射的目的[47]。

4.2 缺陷與界面可增強分子對象

從前文機制介紹中可以看出，電荷轉移過程受基底與吸附分子間的能帶關系影響，只有當入射激光光子能量大于躍遷所需能量時，電荷轉移過程才會產生。除此之外μmol與PICT 共振能否很好的耦合，對于整個體系的增強性能也有較大影響。這都表明在低維光電材料缺陷與界面增強拉曼散射中除了需要關注基底的情況外，對于吸附分子的選擇也至關重要。吸附分子的能帶與基底能帶間的關系直接決定了在特定入射激光光子能量下，PICT 過程是否可以產生。而吸附分子的帶隙則決定了在入射激光波長選定的情況下是否可以與基底間形成有效的共振耦合，從而提高增強性能。因此，對低維光帶材料缺陷與界面增強拉曼散射中經常使用的吸附分子的HOMO、LUMO能級位置、帶隙大小進行總結歸納，對各吸附分子最適用的入射激光波長給出建議，希望對具體實驗中選擇最佳可增強分子提供幫助。如表1所示。

表1 可增強分子特點總結Tab. 1 Summary of the characteristics of the enhanced molecules

5 展 望

目前，已知的缺陷和界面增強拉曼散射的研究仍有限，關于它們和其它結構增強拉曼散射的研究和應用期待被報道。在缺陷增強拉曼散射中，僅研究了幾種吸附原子、替換原子和空位缺陷的情況，更多缺陷類型包括尚未報道的晶界和邊界期待被用于增強拉曼散射的研究中。現有研究已經定性說明缺陷有利于增強拉曼散射，通過控制特定缺陷產生的位置和缺陷的數量等方法來定量研究缺陷對拉曼增強的影響可作為今后的研究方向。對于界面增強拉曼散射而言，利用二維材料形成界面結構的研究較為系統，但在更低維度中可增強拉曼散射的界面結構種類較少，其增強機制尚不清晰，系統研究更多低維界面結構增強拉曼散射也是重要研究方向之一。由于缺陷與界面增強拉曼散射的應用鮮為人知，我們認為它們是研究缺陷演化和證明是否有效構筑了界面結構的重要手段，將它們與傳統貴金屬相結合，希望可用于生物醫學等應用中。

6 結束語

綜上所述，本文介紹了低維光電材料中多種缺陷和界面類型增強拉曼散射的研究，探討了它們的應用前景和今后的研究方向。需指出的是缺陷與界面增強拉曼散射的概念仍屬于SERS 范疇，但無法用之前表面的觀點去理解和認識。希望通過本文的報道，讓大家對SERS 中表面的概念進一步思考和認識，從而擴展SERS 的研究領域，實現更深遠的研究價值。