廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開發(fā)出高性能銅銦硒納米材料

近日，廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所新型顯示團(tuán)隊開發(fā)出高性能環(huán)境友好型銅銦硒納米材料并成功應(yīng)用于薄膜電子器件。相關(guān)研究以封面文章的形式發(fā)表于《材料化學(xué)》。

作為一種新興的半導(dǎo)體材料，膠體納米晶體因優(yōu)異的光電特性和低成本的制備工藝，在薄膜電子器件中具有廣泛的應(yīng)用前景。然而迄今為止，由于毒性重金屬元素的存在，大多數(shù)高性能含鎘和鉛的硫族化合物半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用被嚴(yán)重限制。

該研究圍繞新型高性能環(huán)境友好型Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米材料體系，利用一種簡單高效的液相膠體合成和配體交換方法，制備出了高性能無重金屬元素的銅銦硒納米材料。

研究人員通過將銅銦硒納米晶體的長鏈表面配體替換為金屬—硫化物無機短鏈配體，減少了帶隙內(nèi)陷阱態(tài)產(chǎn)生，避免了材料本征載流子濃度的降低。利用簡單的旋涂和低溫退火工藝將其應(yīng)用于薄膜場效應(yīng)晶體管和集成電路，得到了優(yōu)異的電學(xué)性能。

該研究為設(shè)計及制造低成本、高性能、大面積、環(huán)境友好型納米薄膜電子器件提供了一種新穎的研究策略與方法。

（來源：中國科學(xué)報）