梧桐
3月30日晚間,新潔能(605111.SH)發布了2020年年度報告。報告期內,公司分別實現營收9.55億元,同比增加23.62%;實現歸母凈利潤1.39億元,同比上漲41.89%。同時,公司擬以現有總股本1.012億股為基數,向全體股東每10股送紅股4股,每10股派發現金紅利4.15元(含稅),預計送紅股4048萬股,派發現金紅利4199.8萬元(含稅)。
報告期內,公司圍繞市場需求、客戶需求以及行業發展趨勢,進行研發升級與產品開發迭代;持續開發與維護供應鏈資源,爭取更多的產能支持;同時,優化市場、客戶與產品結構,開拓新興市場與開發重點客戶,最終實現經營規模和經濟效益的穩定增長。
作為國內功率器件領先設計企業,目前公司擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和IGBT四大品類,產品覆蓋12V~1350V電壓范圍、0.1A~350A電流范圍,共計1300余款細分型號產品,是國內擁有MOSFET產品種類最齊全的公司之一。
年報顯示,報告期內,公司根據下游需求調整細分領域產品結構,積極布局中高端產品和新材料器件,基于多年積累的大量封裝測試技術和工藝逐步實現部分功率器件自主封裝能力。同時,在行業需求大幅增長,國產替代加速,市場、客戶和產品結構優化等合力的作用下,公司業績在2020年繼續錄得高增長,歸母凈利潤同比增速約為營收同比增速的兩倍,這凸顯出在營收規模一定的情況下,公司主營業務盈利能力更為強勁。
除營收及歸母凈利潤雙雙增長外,公司毛利率及凈利率表現也相對可觀。數據顯示,2020年公司毛利率為25.37%,同比增加4.64個百分點;凈利率為14.59%,同比上漲1.88個百分點。
由于大陸廠商以二極管、中低壓MOSFET、晶閘管等產品為主,整體呈現出中高端產品供給不足、約九成依賴進口的態勢。考慮到當前下游景氣度持續上行,且國內終端客戶正加大國產替代力度,公司作為國內功率器件龍頭之一,產品豐富、產能擴張明確、品牌實力突出,有望在國產替代浪潮中顯著受益,由此,安信證券、開源證券、國盛證券等多家券商給予公司“增持”“買入”投資評級。
2020年,國內8英寸芯片代工產能日益緊俏,MOSFET、IGBT等8英寸半導體功率器件下游需求旺盛,行業內企業紛紛提高產品銷售單價,市場整體供不應求。在此背景下,新潔能積極爭取產能,確保公司供應鏈穩定供貨。年報顯示,2020年公司8吋片產量27.5萬片/年,12吋片產量1.32萬片/年,合計約當30.5萬片/年8吋產量,同比增長約18%。隨著華虹12吋平臺產能持續爬坡,將為公司芯片代工產能增長提供有效支持。此外,公司已在積極開發海外芯片代工廠,并建立了初步合作關系。目前公司已在海外某芯片代工廠實現第一顆產品的首批投產,并向另一芯片代工廠采購芯片作為產能補充。
封裝方面,2020年公司封裝數量突破17億只,同比上漲24.8%。同時,報告期內,公司封裝子公司電基集成完成了TO-252工藝調整后的成本測算與框架設計,使產能順利擴增一倍;完成了PDFN5X6框架與Clip的設計與開發等,預計2021年度均可實現經濟效益。
據Wind數據顯示,近五年公司研發費用呈現出連續增加的趨勢,已經由2016年的0.21億元增加至2020年的0.52億元,年復合增速為25.44%,這為公司鞏固并拓展技術競爭優勢提供了資金保障。具體到研發成果方面,報告期內,公司新增產品超400款,且各產品條線均獲得突破性進展。展開來看,公司Trench-MOS、SGT-MOS、SJ MOS 等三大MOS平臺均于12英寸產線實現量產,且多電壓平臺第二代SGT-MOS實現量產,產品進入多行業龍頭客戶,并完成650V SJ-MOS新平臺開發;公司IGBT平臺在已量產IGBT-B系列產品基礎上工藝優化,并完成IGBT-C650V系列產品開發;此外,公司穩定推進第三代半導體研發,目前已選定境內外代工合作伙伴,1200V新能源汽車用SiC MOSFET和650V PD電源用GaN HEMT正在積極研發中。
值得一提的是,領先的技術優勢也幫助公司培育了一大批忠實客戶,目前公司已經進入的下游應用領域龍頭客戶,如:中興通訊、寧德時代、美的、長城汽車、比亞迪、大疆創新等,應用領域既包括消費電子、汽車電子、工業電子等穩定增長的行業,也涵蓋新能源汽車/充電樁、物聯網、智能裝備制造、5G等新興領域,未來公司將依托龍頭客戶產生的市場效應,進一步向下游其他客戶拓展,為實現健康可持續發展奠定根基。