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滿足TDRSS測控需求的箭載中繼終端小型化設計

2021-07-27 03:48:14廖彥杰葉琪瑋周林
電子元器件與信息技術 2021年5期
關鍵詞:信號

廖彥杰,葉琪瑋,周林

(中國西南電子技術研究所,四川省 成都 610036)

關鍵字:TDRSS;箭載中繼終端;小型化;芯片;自主可控

0 引言

跟蹤與數據中繼衛星系統TDRSS是利用同步衛星和地面終端站,對中、低軌飛行器進行高覆蓋率測控和數據中繼的測控通信系統,它具有跟蹤和測軌和數據中繼兩個功能,是一種先進的天基測控系統。基于中繼衛星系統的天基測控技術為新型運載火箭的遙測遙控和數據通信提供了先進技術途徑,不僅從根本上解決了地基、海基測控通信覆蓋率低的問題,還解決了高速測控通信等技術難題[1]。

通常情況下,箭載中繼終端應具備接收火箭遙測數據,并對數據進行成幀、編碼、調制、變頻輸出;能根據火箭姿態、位置信息,結合中繼衛星經、緯、高等信息計算出相控陣天線的波束指向角;同時能對前向控制命令進行變頻輸入、解調、解析等功能。

自2012年9月,箭載中繼終端成功運用于長征三號甲系列運載火箭實現首飛以來[2],運載火箭配備箭載中繼終端進行天基測控已經常態化。新一代的火箭測量系統在體積,功耗,可靠性,性能上都提出了新的需求,基于目前傳統的箭載中繼終端的解決方案,難以滿足在低功耗、小體積、高穩定性和靈活的開發模式等方面的需求。

因此,如何實現箭載中繼終端的小型化、低功耗是目前亟待解決的關鍵技術,并且這也是我們為之不懈努力的奮斗目標。

1 傳統箭載中繼終端的設計架構

如圖1所示,傳統的中繼終端一般由三部分組成:電源模塊、收發信道和基帶信號處理三個部分組成。電源模塊的功能是為中繼終端提供各模塊所需的、穩定的二次電壓,并且滿足相關電磁兼容規范的要求。

圖1 傳統箭載中繼終端組成架構圖

收發信道模塊共包含S/Ka上下變頻單元、中頻上下變頻單元、頻綜單元和AGC。S/Ka下變頻單元主要實現射頻輸入信號的放大、濾波和變頻至L頻段的功能;S/Ka上變頻單元主要實現L頻段的信號到S/Ka頻段的上變頻及S/Ka頻段信號的放大、濾波功能;中頻上下變頻單元主要實現基帶輸入的中頻信號到L頻段的變頻功能及S/Ka下變頻單元輸出的L頻段信號到中頻信號的變頻功能;頻綜主要輸出接收信道和發射信道所需的本振信號。AGC的作用是保證輸出電平的穩定。

基帶信號處理模塊完成基帶信號的數字化處理,即完成前向遙控指令信號的接收,解調和譯碼,輸出指令信號給執行控制單元;同時將狀態信息以及遙測等返向數據編碼、調制到中頻載波上[3]。同時具備各個數據接口功能。

2 小型化設計思路

隨著我國集成電路技術產業鏈的發展,工藝的提高,為實現高性能的專用通信芯片解決方案提供了可能。

傳統的箭載中繼終端構成主要包括了由微波器件組成的模擬電路和以FPGA為架構的大規模數字電路。目前微波器件的制造工藝主要分為以 CMOS 或鍺硅(SiGe)為代表的硅基半導體工藝和以砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)為代表的 III-V 族化合物半導體工藝兩大類。砷化鎵(或氮化鎵)工藝器件的優勢在于可以獲得較大的輸出功率和較低的噪聲特性,但其缺點是集成度低、成本高、無法集成大規模數字電路、工藝一致性較差。CMOS工藝,雖然在最大輸出功率和噪聲性能方面遜于 GaAs 工藝,但具有集成度高、功耗低、成本低等優勢,已成為制備大規模集成電路的主流工藝技術[4-5]。基于 CMOS 工藝的高集成度片上系統(SOC)可以在同一芯片上集成模擬電路、數字電路和射頻電路等具有不同功能的模塊,已廣泛應用于無線移動通信、光纖通信、數字信號處理、數據存儲等軍用和民用領域[6]。隨著 CMOS 工藝的發展,器件特征尺寸的減小使得器件工作頻率不斷提高,使其在微波電路制造上的應用逐漸成熟,采用基于 CMOS 工藝的集成芯片化設計方法是實現箭載中繼終端小型化的有效技術途徑。

因此,本文針對箭載中繼終端的收發信道和基帶信號處理模塊,通過設計專用芯片,將上變頻信道、下變頻信道以及基帶信號處理分別進行單片集成,最終達到小型化的設計目標。

3 小型化設計

3.1 架構設計

小型化的箭載中繼終端架構如圖2所示。其核心架構依托于上變頻信道集成芯片、下變頻信道集成芯片及基帶芯片,再加上給芯片提供所需電源的電源模塊和簡單的外圍及接口電路,就能實現傳統箭載中繼終端的所有功能。

圖2 小型化箭載中繼終端組成

3.2 上變頻信道芯片

上變頻信道芯片基于CMOS集成工藝,設計上采用兩次上變頻結構,將中頻輸入信號與 L 頻段和 S/Ka 頻段的本振信號進行兩次上變頻,至射頻發射頻率,再經過射頻放大器放大后輸出至芯片外,為實現更高的系統集成度,將本振信號產生電路、變頻器、濾波器等模塊全部實現單芯片集成。

按此原理架構通過合理的設計、布局,從模塊到通道、再到芯片的過程逐級完成。流片后的上變頻信道芯片尺寸為3.2mm×2.1mm,芯片功耗0.3W。

3.3 下變頻信道芯片

下變頻信道同樣基于 CMOS 集成工藝,采用兩次下變頻結構,將接收射頻信號與 S/Ka 頻段和L 頻段的本振信號進行兩次下變頻,至中頻輸出頻率。為適應接收信號的輸入動態范圍,下變頻信道芯片將集成自動增益控制放大器以保證輸出電平的穩定,降低基帶芯片的動態適應要求和設計難度。

同樣,按此原理架構通過合理的設計、布局,從模塊到通道、再到芯片的過程逐級完成。流片后的下變頻信道芯片尺寸為5.2mm×4.4mm,芯片功耗0.22W/通道,AGC動態范圍優于25db,可開環工作,開環增益可通過控制接口進行外部控制。

上下芯片由于模數混合,對供電比較敏感,所以供電必須經過DC/DC和LDO后再提供給芯片,以保證芯片工作的穩定,不惡化相噪等重要指標。

3.4 專用通信基帶芯片

專用通信基帶芯片在設計上,首先考慮到調制/解調、編譯碼、快捕、等前返向鏈路信號處理相關功能,傳統的都是基于FPGA平臺的軟件無線電算法實現。因此,對于該部分算法對應的可編程邏輯電路進行流片,為了保證芯片工作的穩定性,以及降低流片難度,將基帶處理中數字部分和模擬部分分開處理,數字部分(數據的組幀、編譯碼、調制解調模塊等)采用COMS工藝進行單獨流片,模擬部分(AD,DA)采用成熟的商業化產品,最后進行SIP封裝,集成為一顆芯片,架構如圖3所示。同時,在芯片的設計過程中,不僅考慮了低功耗、低成本和高穩定性要求的芯片架構設計;還要兼顧數字模擬電路高度集成在一個芯片上,數模信號、時鐘信號及芯片內部之間的抗干擾設計;再者還要滿足協議演進和功能增強對芯片設計靈活性的要求。

圖3 專用基帶芯片架構框圖

如圖5所示,專用基帶芯片在架構上主要分為兩大功能模塊,芯片控制模塊和前返向鏈路信號信號處理模塊。

為了動態配置前返向鏈路參數,在芯片中集成了ARM處理器。根據上位機提供的系數或者存儲在NAND FLASH里的參數,經過一定算法處理,得到前向鏈路以及返向鏈路的參數配置,并通過APB總線配置到相應的寄存器;其次每隔一段時間,如1秒,讀取前向鏈路和返向鏈路的寄存器值,并可以通過UART串口發送給上位機。芯片控制模塊的接口具有豐富的擴展性,支持UART,SPI以及GPIO接口,既滿足了芯片的當前的要求,也為將來的擴展預留了接口。

專用基帶芯片的核心是其軟件算法,不僅要實現基帶信號處理的各種功能,同時僅通過外部參數配置就能適應中繼傳輸規范的不同的工作模式。所以在流片前需對基于FPGA平臺的軟件算法進行全方位的測試和驗證。流片后的專用基帶芯片尺寸為30mm×30mm,功耗小于3W。

4 小型化成果

采用本文所述方法設計出的小型化箭載中繼終端,整機體積110mm×60mm×40mm,重量520g,功耗9.6W。同時具備S和Ka信道,且擴頻碼速率、數據碼型、編碼和調制方式等內容可配置,根據任務需求進行靈活選擇。

圖4 小型化中繼終端實物圖

5 結論

本文給出了一種基于專用芯片的小型化箭載中繼終端的設計方法,在芯片的設計上,充分考慮了芯片的高集成度、低功耗、高性能、抗干擾、低成本、合理散熱等內容,使得小型化箭載中繼終端在體積、重量、功耗上比傳統的小了百分之89%,74%,49%。并且專用基帶芯片能擺脫對國外FPGA的依賴,實現自主可控,具有很高的戰略意義。該小型化箭載中繼終端可通過軟件重構配置、能適應中繼衛星傳輸規范的所有應用模式,因此具有非常廣泛的應用前景和非常高的工程應用價值。

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