頻率可“免費(fèi)”提升1000MHz　英睿達(dá)鉑勝RGB DDR4 3200 16GB內(nèi)存套裝

馬宇川

這款內(nèi)存采用了低矮的外形設(shè)計(jì)，從內(nèi)存金手指到內(nèi)存頂部導(dǎo)光條最高點(diǎn)只有約3.9cm的高度，不易和高大的風(fēng)冷散熱器出現(xiàn)安裝沖突。內(nèi)存正反兩面不僅配備了鋁質(zhì)散熱片，還在PCB頂部加入16顆RGB LED與導(dǎo)光條。這款內(nèi)存的燈效有豐富的可玩性，首先英睿達(dá)為內(nèi)存提供了名為M.O.D.Utility的燈效控制與硬件監(jiān)控軟件，其次這款內(nèi)存還支持華碩Aura Sync、華擎Polychrome RGB及微星MYSTIC LIGHT等主板的同步發(fā)光技術(shù)，用戶(hù)也可使用這些主板廠商的軟件對(duì)光效進(jìn)行控制。

顆粒方面，通過(guò)專(zhuān)業(yè)軟件檢測(cè)，英睿達(dá)鉑勝RGB DDR4 3200 16GB內(nèi)存套裝的每根內(nèi)存采用單面8顆粒設(shè)計(jì)，內(nèi)存顆粒則是美光編號(hào)為“C9BJZ”的產(chǎn)品，該顆粒因?yàn)槌l性能較強(qiáng)，在玩家中擁有較好的口碑。要想讓其超頻工作在DDR43200頻率下也非常簡(jiǎn)單，用戶(hù)只要在支持英特爾XMP或AMD D.O.C.P技術(shù)的主板BIOS里開(kāi)啟內(nèi)存一鍵超頻功能，即可一鍵將內(nèi)存超頻到DDR4 3200下使用。在DDR4 3200下內(nèi)存電壓為1.35V，延遲為16-18-18-36-72。

接下來(lái)我們搭配英特爾酷睿i9-11900K處理器、ROG MAXIMUS XⅢ HERO主板、GeForceRTX 3090顯卡對(duì)內(nèi)存進(jìn)行了測(cè)試。首先從默認(rèn)狀態(tài)下的性能表現(xiàn)來(lái)看，這款內(nèi)存發(fā)揮出了DDR4 3200的正常性能—AIDA64的最高內(nèi)存?zhèn)鬏攷捦黄?8000MB/s，《魯大師》內(nèi)存性能也達(dá)到了137774分，其CINEBENCH R 20處理器渲染性能達(dá)到6219pts。同時(shí)我們測(cè)試了英睿達(dá)鉑勝RGB DDR43200 16GB內(nèi)存套裝在DDR4 3200下的工作穩(wěn)定性。測(cè)試中運(yùn)行了AIDA64內(nèi)存烤機(jī)測(cè)試，當(dāng)運(yùn)行時(shí)間達(dá)到半小時(shí)后，內(nèi)存沒(méi)有出現(xiàn)任何不穩(wěn)定或藍(lán)屏的現(xiàn)象。不過(guò)從FLIR紅外熱像儀偵測(cè)來(lái)看，內(nèi)存散熱片的溫度稍有一點(diǎn)偏高，散熱片表面最高溫度為55℃，內(nèi)存表面整體溫度在52℃左右。

接下來(lái)我們還測(cè)試了英睿達(dá)鉑勝RGB DDR43200 16GB內(nèi)存套裝的頻率是否有進(jìn)一步提升的空間。經(jīng)多次嘗試，我們發(fā)現(xiàn)在處理器內(nèi)存控制器頻率減半的GEAR 2模式下，當(dāng)我們將內(nèi)存延遲提升到19-23-23- 43@1T，內(nèi)存電壓增加到1.6V后，這款內(nèi)存的最高工作頻率可提升到DDR4 4266，相對(duì)默認(rèn)頻率提升了1000MHz以上，其內(nèi)存性能有了明顯提升。如AIDA64內(nèi)存讀取帶寬從DDR4 3200下的48296MB/s提升到62109MB/s，性能增幅達(dá)28.6%，而AIDA64內(nèi)存寫(xiě)入帶寬則從DDR4 3200下的47069MB/s提升到61097MB/s，性能增幅更達(dá)29.8%。內(nèi)存性能的提升也同時(shí)帶動(dòng)《魯大師》6.1021處理器性能與游戲《全面戰(zhàn)爭(zhēng)：特洛伊》《坦克世界》的成績(jī)獲得了同步提升。不過(guò)需要注意的是，由于GEAR 2模式下的內(nèi)存控制器頻率減半增加了延遲，因此在CINEBENCH R20、3DMark、Corona 1.3渲染測(cè)試中，DDR4 4266下的成績(jī)較DDR4 3200下的成績(jī)不升反降。

如要追求兼得延遲與頻率的超頻，則可在內(nèi)存與內(nèi)存控制器同頻工作的GEAR 1模式下進(jìn)行超頻。在此模式下，當(dāng)我們?nèi)员３?6-18-18- 36的延遲設(shè)置，只是將內(nèi)存電壓增加到1.6V后，內(nèi)存頻率最高可提升到DDR4 3600。從測(cè)試成績(jī)來(lái)看，雖然GEAR 1模式下的DDR4 3600內(nèi)存帶寬增幅不如DDR4 4266，但內(nèi)存的訪問(wèn)延遲卻得到了一定降低，AIDA64的內(nèi)存訪問(wèn)延遲可以控制在50ns以?xún)?nèi)。同時(shí)各項(xiàng)測(cè)試的成績(jī)也基本獲得了同步增長(zhǎng)，特別是DDR4 3600下的3DMark Fire Strike、《坦克世界》等測(cè)試表現(xiàn)最佳，僅僅是將內(nèi)存頻率提升到DDR4 3600，其在《坦克世界》中的平均幀數(shù)就增加了17fps。

總體來(lái)看，這款英睿達(dá)鉑勝RGB DDR4 3200不僅擁有漂亮的燈效，還憑借體質(zhì)優(yōu)秀的美光原廠顆粒，在性能上具備較好的表現(xiàn)。其649元的售價(jià)也不算太貴，具備一定的性?xún)r(jià)比，值得那些追求原廠顆粒，希望兼顧性能與燈效的玩家采用。