金剛石晶界輔助石墨烯沉積的成核機理仿真*

陳善登 白清順 竇昱昊 郭萬民 王洪飛 杜云龍

(哈爾濱工業大學機電學院,哈爾濱 150000)

石墨烯在新基材上的生長一直是被關注的焦點,而在以金剛石多晶體為基底沉積石墨烯的成核機理方面的研究對石墨烯大規模的制備具有重要的現實意義.本文采用反應性分子動力學仿真技術,模擬了鎳催化雙晶金剛石輔助石墨烯沉積生長的過程,研究了金剛石晶界對石墨烯成核生長過程中動力學行為的影響.研究結果表明晶界碳原子可作為補充碳源擴散至鎳自由表面,參與石墨烯的成核生長.論文探究了溫度對碳原子擴散行為的影響,發現當沉積溫度為1700 K 時,利于晶界碳原子在鎳晶格中擴散,有效提高石墨烯成核密度;探究了沉積碳源流量對石墨烯表面質量影響,發現1700 K 下采用較低的碳沉積速率1 ps–1 有利于獲得最佳的石墨烯表面質量.本文的研究結果不僅為金剛石晶界輔助石墨烯沉積生長提供了有效的理論模型和機理解析,還揭示了沉積溫度和沉積碳源流量對生長石墨烯表面質量的影響規律,為石墨烯/金剛石多晶體異質結構在超精密制造和微電子領域的實際應用提供理論基礎.

1 引言

石墨烯作為新型材料,具備許多優良本征特性[1?3]的同時,其光、電及摩擦學行為很大程度上取決于其應用基材[4,5].因此,石墨烯在新基底上的生長也受到持續關注.當前,將石墨烯轉移至金剛石多晶體表面形成的石墨烯/多晶金剛石異質結構在超精密機械、微電子等領域已展現出一定優勢,但石墨烯的本征特性會因轉移至介電基材后缺陷和界面處的聲子散射而明顯減弱[6?9].因此,為消除對轉移流程的需求,多晶金剛石上石墨烯高質量生長的研究引起了重點關注.Zapol 等[10]在密度泛函理論(density functional theory,DFT)理論框架中引入緊束縛近似的半經驗式計算方法建立金剛石晶界模型,對氮、硅和氫摻雜計算出替代能、優化幾何形狀和電子結構.結果表明,金剛石晶界可導致界面中sp2三重配位原子占據約40%.Ueda等[11]利用沉積銅的催化作用,在金剛石多晶體上獲得了低覆蓋率的單層石墨烯.結果也指出銅催化金剛石生長的石墨烯是自限制性的,且與金剛石晶面取向無關.Berman 等[12]在高溫條件下利用鍍層鎳催化多晶金剛石,隨后刻蝕去除鎳,實現了少量石墨烯在金剛石基底的直接制備,也難以避免產生褶皺.Kanada 等[13]將鎳沉積到具有階梯構型的金剛石結構,在鎳催化作用下得到多層石墨烯.結果表明在催化初始階段金剛石表面位錯、層錯等缺陷可促進碳與鎳反應.這與Barnard 等[14]指出的金剛石表面缺陷和損傷易誘發石墨化發生的觀點類似.Tokuda 等[15]通過實驗證明了在熱梯度下跨金剛石凹坑缺陷的局部石墨烯橫向生長.Rasuli 等[16]則通過分子動力學模擬改變基底溫度、碳源流量研究了化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)法在Ni(100)晶面石墨烯生長的微觀行為,結果表明單層石墨烯在鎳上的生長是與鎳的組合沉積機制.Syuhada 等[17]也研究了鎳上石墨烯的CVD 初期生長.結果表明隨著碳原子濃度增大,鎳表面形成碳化鎳二聚體.Xu 等[18]使用分子動力學方法模擬了在Ni(111)晶面上生長石墨烯的過程,提出高溫會促進碳原子間的連接,部分石墨烯缺陷容易產生“自愈”現象.王浪等[19]則改進了CVD制備石墨烯的預處理方法,在銅箔上沉積得到質量較高的石墨烯.最近的研究表明,金屬催化金剛石多晶體作為唯一碳源所生長的石墨烯,通常具有晶格缺陷多、疇區尺寸小等缺點.多種過渡金屬已被證明具有催化碳源分解的能力,但鮮有金屬催化金剛石結構生長石墨烯的原子尺度生長機制解析和表面質量影響因素的仿真研究.

本文使用大規模原子分子并行模擬器(largescale atomic/molecular massively parallel simulator,LAMMPS)進行分子動力學仿真.為提高模擬計算效率,沉積使用的碳氫化合物采用分解后的碳原子代替.以鎳作為頂部催化物,雙晶金剛石為基底,研究金剛石晶界對石墨烯成核生長過程中反應性動力學行為的影響,同時探究溫度和沉積碳源流量對所生長石墨烯表面質量的影響規律.

2 模擬方法

2.1 模擬體系的建立

為深入研究晶界在鎳輔助金剛石表面石墨烯沉積生長中的分子動力學行為,本文利用LAMMPS構建了滿足高角度扭轉晶界所需晶胞尺寸要求的金剛石雙晶基底三維模型.將單晶金剛石(100)兩部分沿垂直于(100)晶面的z軸進行67.4°的相對旋轉,形成二維周期性重合位置點陣(∑13twist(100)),通過z方向每個拓展重復單元實現三維的周期性建模,獲得含高角度扭轉晶界的雙晶金剛石基底.雙晶金剛石基底仿真模型如圖1 所示.

圖1 雙晶金剛石基底仿真模型 (a)俯視圖;(b)正視圖Fig.1.Simulation model of bi-crystal diamond substrate:(a) Top view;(b) front view.

該基底每層包含216 個碳原子,共11 層,外形尺寸為32.13 ? × 32.13 ? × 14.28 ? (1 ?=0.1 nm),為防止基底在沉積過程中發生運動,將底部2 層碳原子固定.由于本研究不考慮除晶界外其他缺陷的影響,因此設置沉積生長表面為完整且光滑的雙晶金剛石基底表面.在高于金剛石頂部2 ?處建立厚度為21.12 ?的Ni(111)原子層作為鍍層催化金屬層,沉積碳原子數為320 個.仿真體系模型如圖2 所示,其中紅色為金剛石碳原子,灰色為標記的晶界碳原子,藍色為鎳原子層,綠色為沉積碳原子.

圖2 金剛石晶界輔助石墨烯沉積仿真模型Fig.2.Simulation model of graphene deposition assisted by grain boundary.

本模擬體系x,y方向施加周期性邊界條件,z方向施加固定邊界條件.首先采用共軛梯度法優化體系結構,并在Nose-Hoover 控溫機制下對模擬體系進行沉積溫度下歷時100 ps 的熱平衡弛豫,以確保得到合理的晶體結構.弛豫結束后在沉積溫度下開始碳原子沉積模擬,模擬全程在正則系綜(NVT 系綜)下進行,體系原子的初速度滿足Maxwell-Boltzmann 分布,并采用基于速度迭代的Verlet算法更新原子速度和位置,以0.2 fs 的時間步長對運動方程進行積分,溫度阻尼系數設定為0.2 ps,以減小沉積溫度誤差.待全部碳原子沉積完成且體系總能量達到穩態后模擬結束.

2.2 勢函數的選取

原子間相互作用勢的選取極大程度上影響分子動力學仿真結果的準確性.本模擬體系由Ni 和C 兩種原子組成.由于晶界碳原子裂解和碳原子沉積過程中涉及碳的三重配位、四重配位等多價態且金屬和共價體系共存,適合采用反應性鍵序勢建模.因此選擇針對C—Ni 間相互作用的ReaxFF反應性勢函數[20],該勢函數已通過鎳催化金剛石快速高溫退火實驗得到驗證[12],并與量子力學計算的能量,過渡態和反應路徑等結果高度一致,已應用于石墨烯在鎳不同晶面生長的分子動力學研究,可準確描述C—C,C—Ni 和Ni—Ni 原子間的相互作用[21?23].ReaxFF 反應性力場的基本假設是成對原子i與j的鍵序直接由原子間間距rij計算獲得,其函數關系為

這使得在鍵序計算過程中ReaxFF 反應性力場得以區分σ鍵、π 鍵和 π — π 鍵對原子間作用的不同貢獻.通過闡釋鍵程和鍵序關系來描述碳的化學特性,包括對離子鍵、金屬鍵和共價鍵的合成和斷裂進行連續性描述,因此Reaxff 反應性勢函數已應用于鎳介導的重構過程與碳納米管手性關系的研究[24,25],成功揭示了鎳納米團簇表面上單壁碳納米管生長機制.在ReaxFF 的算法框架中,體系總能量由不同能量項共同作用,具體包括與成鍵、孤對電子、高/低配位補償、價角、能量損耗、C2分子校正、三鍵校正、扭轉角、三體共軛、四體共軛、氫鍵、范德瓦耳斯作用和庫侖作用等相關的能量[20].體系總能量為

另外,ReaxFF 反應性力場需通過電負性均衡函數實現電中性環境中原子間的動態電荷轉移,最大限度地降低靜電力影響,以準確描述化學反應路徑和相關障礙.電負性均衡函數的靜電能為[26]

其中,E(q) 為靜電能,q為原子的電荷,χ為電負性,η原子硬度,T(r) 為七階錐型函數,kc為介電常數,γ為屏蔽參數.本文模擬采取每10 個時間步長進行一次原子電荷更新.

3 結果與分析

3.1 晶界對鎳催化金剛石表面石墨烯沉積成核的影響

根據高溫下過渡金屬催化金剛石多晶體的實驗研究結果,首先進行體系溫度為1700 K 情況下的鎳催化雙晶金剛石基底輔助石墨烯沉積生長的分子動力學仿真分析.結合實際宏觀進氣量的具體范圍和推薦數值,在仿真中沉積碳源流量采用1 ps–1的碳沉積速率(carbon deposit rate,CDR)進行表征,表示1 ps 沉積1 個碳原子.

晶界存在條件下金剛石基底輔助石墨烯沉積生長過程中不同時刻的頂面,側面原子分布分別如圖3 和圖4 所示.其中,紅色為金剛石碳原子,藍色為鎳原子,綠色為沉積碳原子,灰色為標記的晶界碳原子.研究中重點關注界面間原子的擴散現象以及石墨烯在自由表面的成核過程.在沉積進行至80 ps 時,如圖3(a)和圖4(a)所示,由于碳原子在鎳中相對較高的溶解度,且碳原子從表層進入亞表層的勢壘較低,1700 K 條件下產生的熱能足夠克服該勢壘.因此模擬初期沉積碳原子優先滲入鎳金屬亞表層或晶格內部,而留在鎳表層的碳原子以碳單質和sp1雜化短碳鏈的形式存在.沉積第170 ps時,鎳原子開始擴散進入金剛石晶界,導致晶界處C—C 鍵斷裂解出少量游離態碳原子在鎳晶格內部進行擴散,如圖4(b)所示.同時,如圖3(b)中圓環標記所示,隨著碳沉積濃度逐漸增大,表層碳原子主要以連接點為“Y”字構型的碳鏈形式存在,且極少數金剛石晶界碳原子和金剛石頂部晶面裂解的碳原子已擴散至鎳自由表面.在沉積270 ps 時,如圖4(c)圓環標記處所示,伴隨更多鎳原子進入晶界,晶界處C—C 鍵進一步斷裂,且金剛石晶界和頂部晶面碳原子持續擴散.如圖3(c)所示,在頂部由于碳鏈之間的相互連接和少量金剛石晶界碳原子參與石墨烯成核,局部已形成少量多元碳環網格.沉積380 ps 時,由于大量鎳原子已進入了晶界,晶界處點陣畸變和能量起伏較大,為晶界不穩定碳原子裂解提供了足夠驅動力[12].這導致晶界處的結構紊亂和金剛石晶界的快速非晶化,從而觀察到圖4(d)中圓環標記處白色晶界碳原子明顯減少.如圖3(d)中圓環標記處所示,大量晶界碳原子被裂解擴散滲過鎳層,最終作為補充碳原子在鎳自由表面參與單層石墨烯成核生長.

圖3 1700 K 下鎳催化雙晶金剛石輔助石墨烯沉積生長過程的頂面原子分布 (a) 80 ps;(b) 170 ps;(c) 270 ps;(d) 380 psFig.3.Top atomic distribution of graphene deposition and growth on bi-crystal diamond assisted by nickel catalyzed at 1700 K:(a) 80 ps;(b) 170 ps;(c) 270 ps;(d) 380 ps.

圖4 1700 K 下鎳催化雙晶金剛石輔助石墨烯沉積生長過程的側面原子分布 (a) 80 ps;(b) 170 ps;(c) 270 ps;(d) 380 psFig.4.Lateral atomic distribution of graphene deposition and growth on bi-crystal diamond assisted by nickel catalyzed at 1700 K:(a) 80 ps;(b) 170 ps;(c) 270 ps;(d) 380 ps.

分子動力學的瞬間原子位圖從原子運動軌跡的角度展現了晶界對鎳催化金剛石表面石墨烯沉積成核的影響.為了定量分析金剛石基底到石墨烯的結構轉變,引入了徑向分布函數(radial distribution function,RDF)和價鍵角分布函數(angular distribution function,ADF).RDF 可以提供短程有序和化學鍵的信息,峰值對應的原子間距是體系結構中出現次數最多,出現概率最大的原子間距.雙晶金剛石結構沉積生長石墨烯前后的RDF,ADF曲線分別如圖5(a),(b)所示.

圖5 沉積前后模擬體系的 (a)徑向分布函數,(b)價鍵角分布函數Fig.5.(a) RDF and (b) ADF of initial and final deposition simulation system.

在RDF 曲線中,金剛石晶體和石墨烯第一鄰近距離的理論值分別為1.54 ?和1.42 ?.在沉積前,100 ps 弛豫后體系的RDF 曲線僅在鍵距為1.574 ?時出現金剛石第一鄰近峰,該形成位置的鍵距非常接近理論值.在沉積完成后,在鍵距1.427 ?處出現了石墨烯特征峰,同時金剛石特征峰明顯降低.這表明在晶界處金剛石結構確實發生了解離,裂解出游離態的碳原子,促進石墨烯成核.另外,在約1.8 ?處出現一個低峰突起,理解為體系中的C—Ni 鍵合作用.在圖5(b)中,金剛石和石墨烯的價鍵角理論值分別為109°和120°.108.9°鍵角處的金剛石峰在沉積完成后明顯降低,且在119.7°鍵角處出現了石墨烯特征峰.沉積仿真中RDF 和ADF 曲線的分析結果表明,沉積過程中石墨烯成核生長的同時,金剛石結構也發生了部分解離.因此,晶界對鎳催化金剛石輔助石墨烯成核的影響機理表現為:在鎳原子對金剛石晶界的催化作用下,導致金剛石晶界的快速非晶化,裂解出游離態碳原子,并擴散至鎳層頂部,提高了沉積表面的碳原子密度,最終作為補充碳原子參與石墨烯的沉積成核.

3.2 沉積溫度對金剛石碳原子擴散的影響

沉積溫度是影響碳原子擴散行為關鍵因素.為了探究沉積溫度對碳原子擴散作用的影響,本文利用裂解碳原子數表征不同溫度裂解碳原子能力,并通過擴散系數(diffusion coefficient)描述裂解碳原子在鎳晶格中的擴散遷移能力.擴散系數是描述體系內指定原子擴散行為的重要參數,在仿真過程中通過計算原子的均方位移(mean square displacement,MSD)得到擴散系數來描述晶界碳原子在鎳晶格中的擴散作用.MSD 是原子軌跡隨模擬時間的統計平均,通過Einstein 方程計算得到擴散系數的計算式為[27]

其中,N為裂解碳原子數,t為模擬時間,ri代表第i個碳原子最終的位置向量,“〈〉”表示統計平均.分別在1500,1600,1700 和1800 K 的沉積溫度條件下進行4 組獨立的沉積模擬.因此,晶界和金剛石頂部晶面裂解C 原子數量結果和擴散系數曲線分別如圖6(a),(b)所示.

由于高溫可提供用以克服斷鍵勢壘的熱能,因此晶界裂解的碳原子數隨溫度的升高而增多;而金剛石頂部晶面原子因有序排列且熱穩定性較好,裂解出的碳原子數較少且隨溫度升高并無明顯變化.值得注意的是,如圖6(a)所示,由于1700 K 時鎳中碳溶解度已趨于飽和,因此當體系溫度高于鎳熔點(1726 K)時,晶界裂解的碳原子數相比于1700 K時并無明顯增長.如圖6(b)所示,當體系溫度低于鎳熔點時,晶界碳原子擴散系數同樣隨著溫度的上升而增大.然而當體系溫度為1800 K 時,鎳原子因高溫劇烈的熱振動導致動能增大,從而鎳晶格結構遭到破壞,原子排列處于無序的高頻運動狀態,從而阻礙碳原子擴散導致晶界碳原子和金剛石頂部碳原子擴散系數均有所降低.綜合考慮不同位置裂解碳原子的全部金剛石碳原子擴散系數曲線,擴散系數從1700 K 到1800 K 也相應下降.

圖6 不同溫度下晶界及金剛石頂部晶面裂解的 (a) 碳原子數和(b)擴散系數Fig.6.(a) The number of carbon atom and (b) diffusion coefficient of grain boundary and top of diamond at various temperatures.

沉積溫度為1500,1600,1700,1800 K 時,完成生長后的六元環成核數分別為43,46,49,43.可以看出:1700 K 條件下金剛石碳原子擴散系數最大時,表面六元環數量最多,石墨烯成核密度最大;六元環數隨沉積溫度的變化也驗證了前述晶界碳原子擴散行為對石墨烯成核密度的影響機制.值得注意的是,1800 K 時基于金剛石碳原子的擴散受阻以及熔融態鎳表面形貌發生明顯熱波動,從而對石墨烯沉積生長行為產生影響,導致六元環的成環數下降.除此之外,對1800 K 條件下的成核密度相較于1700 K 時有所降低的現象進行了基于形成能的分析,所生長的石墨烯網格的形成能(EF)定義為

其中,ESystem為模擬體系總能量,EG為所構成石墨烯網格結構的單個碳原子能量,N為構成石墨烯網格的碳原子數,ENi為鎳層能量,ED為金剛石基底層能量.1700 K 和1800 K 條件下對應的形成能計算結果分別為19.32 eV 和21.58 eV.由于1800 K條件下所生長的石墨烯網格結構具有更高的形成能,說明當溫度為1800 K 時沉積過程中,碳原子相對更容易相互連接形成碳鏈或四元環等不穩定碳結構[28],從而所形成的碳六元環穩定結構數量相比1700 K 時少.綜上分析可得出結論:作為補充碳源參與石墨烯成核的碳原子絕大多數來自于金剛石晶界,且當沉積溫度控制在接近卻不高于鎳的熔點約1700 K 條件下,鎳晶格結構維持較好的同時,晶界碳原子擴散數量趨于最大值,最有助于金剛石碳原子在鎳晶格中的擴散,有效提高石墨烯成核密度.沉積溫度對金剛石碳原子擴散的影響結果,也再次揭示并印證了鎳催化條件下金剛石晶界輔助石墨烯沉積生長的機理.

3.3 碳沉積速率對石墨烯生長行為的影響

碳沉積速率也是影響石墨烯沉積生長行為的關鍵因素.結合沉積溫度對晶界碳原子擴散作用的研究結果,本節在沉積溫度為1700 K 的條件下,研究了碳沉積速率對石墨烯生長過程的影響.在模擬過程中,通過改變前后兩個碳原子沉積之間的時間間隔,進行不同CDR 值的模擬,分別為0.5,1.0,2.0,3.0,5.0 ps–1.石墨烯頂面,側面生長結果分別如圖7 和圖8 所示.

圖7 不同碳沉積速率下石墨烯的頂面生長情況 (a) 0.5 ps–1;(b) 1.0 ps–1;(c) 2.0 ps–1;(d) 3.0 ps–1;(e) 5.0 ps–1Fig.7.Top growth of graphene at various CDR:(a) 0.5 ps–1;(b) 1.0 ps–1;(c) 2.0 ps–1;(d) 3.0 ps–1;(e) 5.0 ps–1.

圖8 不同碳沉積速率下石墨烯的側面生長情況 (a) 0.5 ps–1;(b) 1.0 ps–1;(c) 2.0 ps–1;(d) 3.0 ps–1;(e) 5.0 ps–1Fig.8.Lateral growth of graphene at various CDR:(a) 0.5 ps–1;(b) 1.0 ps–1;(c) 2.0 ps–1;(d) 3.0 ps–1;(e) 5.0 ps–1.

由于鎳層以下擴散金剛石碳原子供應不足以及鎳較高的碳溶解度[16],難以達到多層石墨烯成核密度,鎳自由表面易形成單層石墨烯.值得注意的是,對于不同CDR 值下石墨烯的生長狀態發生了明顯變化.如圖7 所示,CDR 值大于1 ps–1時,隨著CDR 值增大,石墨烯覆蓋率下降,缺陷環數量增加,且缺陷尺寸變大.與此同時,由于碳原子沉積時間間隔變小,在鎳表面易形成站立式或拱橋式碳鏈,如圖8(c)—(e)所示.基于強C—Ni 相互作用,這些碳多聚體的擴散勢壘很大,極大阻礙碳原子在鎳自由表面的遷移[17].因此如圖7(e)所示,CDR 為5 ps–1時成核的石墨烯較少,缺陷幾乎占據整個二維網絡.再者,隨著CDR 增大,站立式碳鏈優先吸附沉積碳原子,導致參與成核的晶界碳原子數和石墨烯成核密度都有所降低.更值得注意的是,如圖7(a)所示,當CDR 為0.5 ps–1時,石墨烯成核密度也發生了明顯降低.結合石墨烯成核過程部分的分析,由于碳沉積時間間隔過長,導致模擬初期沉積碳原子在形成碳鏈前進入了鎳晶格內部,從而石墨烯覆蓋率有所降低.因此,CDR 取值為1 時有利于更多晶界碳原子參與石墨烯成核,從而獲得較高的石墨烯表面覆蓋率.

隨著CDR 變化,石墨烯側面生長情況也有明顯變化.為進一步分析不同碳沉積速率對石墨烯側面生長情況的影響規律,進行了CDR 分別為0.1,0.5,1.0,2.0,3.0,5.0 ps–1的模擬,并引入均方根粗糙度(root mean square,RMS),用Rs表示,以研究不同CDR 值和生長石墨烯表面平整度的關系.Rs計算式為

其中,n為形成的二維網格中碳原子數,zi為第i個碳原子向量坐標的z值,z表示所有碳原子z坐標的平均值.RMS 值越大,石墨烯表面粗糙度越高,表面質量越差.不同CDR 值條件下的RMS隨模擬時間的變化趨勢如圖9 所示.

圖9 不同碳沉積速率生長石墨烯的RMS 變化情況Fig.9.The change of graphene RMS with time at different CDR.

在1700 K 條件下隨著碳原子的沉積和來自金剛石碳源的補充及熱波動,石墨烯表面粗糙度前期呈現上升趨勢.在仿真進行約620 ps 后,6 組體系的總能量均達到穩態,RMS 值也均趨于穩定.從RMS穩定后的表面RMS 值觀察到,當CDR 值大于1.0 ps–1時,隨CDR 減小石墨烯表面粗糙度逐漸降低.當CDR 值不大于1.0 ps–1(0.1,0.5,1.0 ps–1)時,由溫度和析碳所造成的鎳表面形貌的波動成為影響石墨烯表面粗糙度的主因,而過小的CDR 值對石墨烯表面粗糙度不會造成明顯影響[21].從而對應的RMS 值十分接近,其差值僅在0.1 ?以內,可忽略不計.因此,在鎳催化金剛石晶界輔助石墨烯沉積生長過程中,若采用小于1.0 ps–1的碳沉積速率雖然可獲得較好的石墨烯表面平整度,但會降低石墨烯表面覆蓋率;大于1.0 ps–1的碳沉積速率則會從石墨烯覆蓋率和表面平整度兩方面降低石墨烯表面質量;采用CDR=1.0 ps–1的低碳沉積速率最有利于獲得最佳的石墨烯表面質量.在其他化學氣相沉積的實驗與模擬中[29?31]也得出類似結論,在0.5—3.0 ps–1范圍內的CDR 值有助于高質量單層石墨烯的合成,說明了本文研究結果的合理性.

4 結論

鎳催化金剛石晶界輔助石墨烯沉積生長的反應性分子動力學仿真結果,對以金剛石多晶體為基底制備石墨烯生產實踐具有重要的指導意義.鎳催化金剛石晶界輔助石墨烯沉積生長機理表現為,鎳原子對金剛石晶界的催化作用導致的晶界快速非晶化,裂解出游離態碳原子擴散至自由表面,作為補充碳源參與沉積石墨烯的成核.根據本文仿真結果,在不高于催化金屬鎳熔點的條件下,提高沉積溫度可以促進金剛石晶界碳原子在鎳晶格中的擴散,從而提高表面石墨烯成核密度.與此同時,在最佳擴散溫度1700 K 條件下應對沉積碳源進氣量予以控制,碳沉積速率選擇在1 ps–1左右有利于在鍍層鎳的催化作用下雙晶金剛石上生長成核密度和表面平整度較高的高質量石墨烯.