不同還原劑對鍍銀鋁粉的微觀結構與性能影響

李盼濤，蘇曉磊，劉 毅，盧琳琳

(西安工程大學 材料工程學院，陜西 西安 710048)

0 引 言

目前，電子通信在現代社會中發揮著關鍵作用。但是，電子產品在提供人們方便交流的同時，產生的電磁輻射也對人體和周圍環境有明顯的干擾，而且會造成較大的危害[1-3]。貴金屬銀具有優良的導電性能，可以作為優良的電磁屏蔽材料[4-7]。然而，近年來，隨著銀價的不斷上漲，嚴重限制了其作為電磁屏蔽材料的使用。亟待尋找一種低密度、高導電性的電磁屏蔽材料。鍍銀銅粉作為電磁屏蔽材料，解決了貴金屬銀價格昂貴問題。但銅粉容易氧化，在潮濕的空氣中表面容易形成銅綠，縮短了其使用期限[8-9]。鍍銀玻璃微珠作為另一種電磁屏蔽材料，解決了鍍銀銅粉表面氧化的問題。但作為基體的玻璃微珠，韌性差，基體容易破裂，限制了它在許多行業應用[10]。鍍銀鋁粉中鋁粉具有不易氧化、密度小、價格低等優點，已廣泛應用于電子、航空等領域[11-12]。一方面鋁粉屬于兩性金屬，導致其不能在復雜環境中應用[13]；另一方面由于鋁粉的導電性能較差，限制了其使用范圍[14-15]。而鍍銀鋁粉不僅解決了鋁粉良性金屬的弱電，同時，由于在鋁粉表面包覆一層純銀，使其具有良好的導電性能[16]，作為填料制備的復合材料也具有良好的屏蔽性能[17]。

余鳳斌等以氟離子作為鋁的絡合物，確定鍍銀鋁粉粉體中銀的質量隨著氟化銨質量濃度增加而提高，且制備過程簡單可控[18]。但使用大量的氟化物對環境和人體有所危害，并不適用于大規模生產中。李傳友等使用氯化亞錫對鋁粉進行敏化，提出銀氨絡合體系制備鍍銀鋁粉，但鋁粉易與氯化亞錫發生反應，并且腐蝕鋁粉，得到的鍍銀鋁粉鍍層疏松多孔，結合力不強[19]；賈賢瀟等使用4種單還原劑體系制備鍍銀鋁粉，但僅靠銀鋁置換反應無法得到致密的鍍銀層[20]；張愛女等使用聚多巴胺對鋁粉表面進行改性，使銀沉積在鋁球表面，但制備工藝只適用于低濃度硝酸銀溶液[21]；張振華等使用堿洗去除鋁粉表面氧化膜，再對鋁粉表面鍍銅，使用置換法鍍銀，但銅在空氣中易被氧化，使置換反應不徹底[22]。

本文使用復合化學鍍的方法制備鍍銀鋁粉，根據金屬活動順序表先在鋁粉表面鍍鎳，再分別使用雙還原劑和2種單還原劑體系，通過銀鎳置換和還原的方法制備20%銀含量的鍍銀鋁粉，表征分析制備粉體的微觀結構與物理性能。

1 實 驗

1.1 材料與儀器

1.1.1 材料

球形鋁粉(銳利合金焊接材料有限公司，平均粒徑為400目)；硝酸銀(AgNO3，98%，廣州光華科技股份有限公司)；稀鹽酸(HCl，5%，天津河東區紅巖試劑廠)；酒石酸(C4H4O6，天津河東區紅巖試劑廠)；甲醛(HCHO，天津河東區紅巖試劑廠)；葡萄糖(C6H12O6，天津河東區紅巖試劑廠)；六水硫酸鎳(NiSO4·6H2O，天津河東區紅巖試劑廠)；十二烷基磺酸鈉(C12H25SO3Na，天津河東區紅巖試劑廠)；檸檬酸(C6H8O7，天津河東區紅巖試劑廠)；聚乙烯吡咯烷酮((C6H9NO)n，天津市鼎盛鑫化工有限公司)；無水乙醇(C2H6O，工業級，天津市富宇精細化工有限公司)；氨水(NH3·H2O，天津市鼎盛鑫化工有限公司)。以上試劑均為分析純。

1.1.2 儀器

X射線衍射儀(Philips X-Pert Pro型，Netherlands公司)；場發射掃描電鏡顯微鏡(Quanta-450-FEG+X-MAX50型，荷蘭FEI公司)；激光粒度分布儀(Bettersize2000B型，丹東百特儀器有限公司)；直流低電阻測試儀(TH2516型，同惠柏萊電子有限公司)；矢量網格分析測試儀(E5061B ENA型，是德科技(中國)有限公司)。

1.2 鍍銀鋁粉的制備

圖1為鍍銀鋁粉的制備工藝流程。

圖 1 化學鍍制備鍍銀鋁粉Fig.1 Preparation of Ag/Al power by electroless plating

采用復合化學鍍的方法制備鍍銀鋁粉，具體實驗過程分為5個步驟。

1) 除油。稱取一定量的鋁粉，用除油液乙醇(5 g/L)預處理鋁粉表面，將混合液放入超聲波清洗儀上，去除鋁粉表面的雜質，將鋁粉抽濾干燥。

2) 粗化。將除油后的鋁粉放入質量分數為5 %的稀鹽酸(10 g/L)中，將鋁粉表面的氧化鋁薄膜去除，使得鋁粉表面充滿活性。

3) 配制溶液。稱取六水硫酸鎳(15 g/L)、十二烷基磺酸鈉(2 g/L)、氟化鈉(6 g/L)，檸檬酸(1.25 g/L)放入小燒杯里，機械攪拌配制溶液。將預處理后的鋁粉加入到配置好的溶液中。

4) 置換鍍。將粗化的鋁粉加入鍍鎳的鍍液中，并放入恒溫水浴鍋中機械攪拌，使鋁粉在混合溶液中分散均勻，1 h后將制備的鎳包鋁粉抽濾，烘干。

5) 復合化學鍍。將制備的鎳包鋁粉放入還原液中，使用NaOH(1 g/L)調節pH至強堿性，因為在堿性環境下反應更加充分。攪拌10 min后，將銀氨(25 g/L)加入鍍液，使銀與鎳相互置換。使用膠頭滴管取溶液上層清液，將稀鹽酸滴入上層清液中，如果沒有白色沉淀，則反應結束。使用循環水式真空泵抽濾制備的鍍銀鋁粉混合液，并將獲得的鍍銀鋁粉放置在真空條件下，80 ℃烘箱真空干燥4 h。

1.3 鍍銀鋁粉/石蠟電磁屏蔽樣品的制備

為得到更加準確的電磁屏蔽數據，將制備的鍍銀鋁粉與石蠟按照質量比8∶2相互混合，測試電磁屏蔽的主要影響因素——樣品厚度。所有的電磁屏蔽測試樣品厚度應在2 mm，具體操作如下。

選用石蠟為基體，將石蠟放入坩堝里加熱直至融化，融化后從加熱臺取下坩堝，按照質量比稱取所制備的鍍銀鋁粉。將所稱取的鍍銀鋁粉與石蠟攪拌混合，然后涂覆其模具之中。模具規格為10 mm×20 mm×2 mm，使用重物手動壓制成型，放置室溫冷卻固化10 min。冷卻成型后，使用量尺測量其厚度。因實驗存在誤差，如果樣品未達到2 mm，則需要重新按照比例壓制成型。

1.4 測試與表征

采用Philips X-Pert Pro型X射線衍射儀測試粉體晶體結構與物相組織；采用Quanta-450-FEG+X-MAX50型場發射掃描電鏡顯微鏡觀察粉體包覆形貌；采用Bettersize2000B型激光粒度分布儀測試粉體包覆前后粒徑變化；采用TH2516型直流低電阻測試儀測試粉體導電性能；采用Keysight E5061B ENA型矢量網格分析測試儀測試鍍銀鋁粉/石蠟樣品電磁屏蔽性能。

2 結果與討論

2.1 物相分析

圖2為不同還原劑制備的鍍銀鋁粉XRD圖譜。其中1#樣品是Al粉；2#樣品是以酒石酸+葡萄糖為還原劑制備的鍍銀鋁粉；3#樣品是以甲醛為還原劑制備的鍍銀鋁粉；4#樣品是以葡萄糖為還原劑制備的鍍銀鋁粉。

圖 2 Al粉與鍍銀鋁粉的XRD圖譜Fig.2 XRD of Al and Ag/Al power

從圖2可以看到，鍍銀鋁粉的XRD衍射圖中特征峰所的2θ衍射角分別為38.11°、43.93°、64.55°、78.12°，分別對應銀結構的(111)、(200)、(220)、(311)晶面特征衍射峰。經過雙還原劑酒石酸+葡萄糖制備的鍍銀鋁粉在38.11°處對應的Ag(111)晶面衍射峰值(2#樣品)，處于2種單還原劑衍射峰值(3#、4#樣品)的中間值，說明銀在鋁球上的結晶度好，沒有生成銀單質或者不規則晶體。另外在圖2中，只出現了銀、鋁2種元素的特征峰，說明過渡鎳層已經被完全置換；圖2中銀的特征峰都比較尖銳，說明了銀在鋁球表面有著良好的結晶度。由于銀與鋁為面心立方晶體，所以衍射角角度十分接近。

2.2 不同還原劑下鍍銀鋁粉的形貌和生長機理

探究不同還原體系對鍍銀鋁粉形貌的影響。圖3(a)～(d)分別為原始鋁粉和酒石酸+葡萄糖、甲醛、葡萄糖等3種不同類型的還原劑制備的鍍銀鋁粉SEM圖。

(a) 1#樣品 (b) 2#樣品 (c) 3# 樣品 (d) 4#樣品

從圖3(a)可以看出，鋁粉的粒徑大小基本一致，呈橢圓狀；圖3(b)是使用酒石酸+葡萄糖還原劑制備的鍍銀鋁粉，可以看出，銀以顆粒狀態包覆在鋁粉表面，且周圍沒有獨自形核的銀顆粒；圖3(c)是以甲醛為還原劑制備鍍銀鋁粉復合材料，可以看到，在鋁粉周圍有少量散落的銀顆粒，而且包覆也不致密；圖3(d)是使用葡萄糖為還原劑制備鍍銀鋁粉復合材料，可以看出，圖中銀類似花瓣形狀形核生長，且包覆不致密，大部分鋁球表面裸露在外面。

進一步分析鍍銀鋁粉中銀生長過程，圖4為不同還原劑制備的鍍銀鋁粉銀離子生長機理。

圖 4 不同還原劑體系下銀生長機理Fig.4 The growth mechanism of Ag under different reducing agent systems

圖4中，以酒石酸+葡萄糖為還原劑時，葡萄糖還原性強，可先將銀氨溶液的銀離子還原出來；表層的鎳被置換后，鎳以離子狀態存在溶液中，而銀會沉積在鋁球表面。當鋁球表面包覆了一層銀后，開始鍍在鋁球表面的銀可作為還原反應的活性位點，這些活性位點則是鍍銀鋁粉制備的開始。由于葡萄糖還原能力最強，所以加入酒石酸減緩葡萄糖的還原能力。鍍液中剩余的銀離子以球狀的形態堆積包覆在鋁球表面，最終形成包覆致密的鍍銀鋁粉。以甲醛為還原劑，剛開始時，甲醛將硝酸銀的銀離子還原出來，銀離子與鋁球表面的鎳發生置換反應，一部分銀離子會沉積在鋁球表面。由于甲醛較強的還原性會使反應加快，導致少量的銀離子自身發生反應形核，形成游離的銀顆粒。當鋁粉表面的鎳全都置換完成后，鋁粉表面已經生長了一層銀，鍍液中剩余的銀離子將會沿著包覆在鋁球表面的銀表面不斷生長，不會自身形核生成游離的銀顆粒，因為包覆在鋁球表面銀比表面積占比小，會有更多的銀離子接觸發生反應。當以葡萄糖為還原劑制備鍍銀鋁粉時，開始發生置換反應，銀沉積在鋁球表面。由于葡萄糖還原性強，反應速率加快，導致鍍液中的銀離子消耗完鍍液中的OH-離子，鍍液中的剩余銀離子則會在之前鋁球表面沉積的銀層上繼續生長，無法在鋁球表面其余位置生長，導致銀發生均勻形核。而均勻形核相比非均勻形核需要更多的形核功，沉積在鋁球表面的銀在不穩定的溫度梯度下，在晶體的尖端或者棱角不斷生長成為樹枝狀晶體。為了使銀反應更加充分，防止銀生長為樹枝狀晶體，需要調節鍍液的pH值，充分發揮葡萄糖還原性。鋁為兩性金屬，當pH值為強堿或者強酸性時，鋁粉在鍍液里被腐蝕，所以僅依靠葡萄糖作為還原劑時候，只能使一定量的銀在鋁粉表面發生沉積，且非均勻分布，包覆效果較差。

為驗證鍍銀鋁粉包覆效果，使用掃描電鏡和能譜儀共同對其分析。圖5為鍍銀鋁粉2#樣品的截面圖和元素含量分布圖。

(a) 截面圖 (b) EDS圖 圖 5 鍍銀鋁粉2#樣品的斷面圖與EDS圖Fig.5 Section and EDS of Ag/Al powder

為了區分銀與鋁的分布，使用背散射電子成像。由于鋁元素的原子序數小，核電荷數少，導致鍍銀鋁粉截面圖中鋁粉顏色偏暗。對酒石酸+葡萄糖為還原劑制備的包覆性最好的鍍銀鋁粉進行鑲樣，磨拋后觀察其截面圖，見圖5(a)。可以看出,銀元素比鋁元素明亮，所制得銀層連續并且包覆緊密。對截面進行EDS面掃描分析，見圖5(b)。可以看到有銀和鋁元素的存在，鋁的峰值大于銀的峰值。說明制備的粉體為鍍銀鋁粉，且沒有其他元素雜質。

2.3 粒徑分析

制備的鍍銀鋁粉是通過先置換后還原的方法制得。為了防止粗化過度和置換過度導致鋁粉粒徑變小，使用激光粒度分析儀測定鍍銀鋁粉的粒徑大小及分布狀況。圖6為鋁粉和3種不同還原劑制備的鍍銀鋁粉粒徑分布。

(a) 1#樣品

(b) 2#樣品

(c) 3#樣品

(d) 4#樣品圖 6 鋁粉與不同還原劑制備的鍍銀鋁粉的粒徑分布Fig.6 Particle size distribution of Al and Ag/Al powder prepared by different reducing agents

從圖6(a)看出，鋁粉的粒徑大部分分布在40 μm左右，只有少量粒徑在10 μm以下，而且純鋁粉的粒徑圖呈現出多峰分布。是因為鋁粉的粒徑小，表面有活性位點，自身可以團聚引起的，所以在制備鍍銀鋁粉時需要加入分散劑PVP。對比3種不同還原劑制備的鍍銀鋁粉粒徑圖可知：使用雙還原劑體系和甲醛制備的鍍銀鋁粉，粒徑在40 μm左右，且沒有出現多峰狀態和小粒徑鋁粉；而在葡萄糖制備的鍍銀鋁粉中，出現粒徑15 μm的鋁粉。這是因為大顆粒鋁粉比表面積小，銀顆粒容易在粒徑大的鋁粉表面生長，且葡萄糖有較強的還原性能，加快了在大粒徑生長速度，導致小粒徑鋁粉并沒有被銀包覆。從整體看，使用稀鹽酸粗化和銀鎳置換的方法制備的鍍銀鋁粉，對鋁粉的粒徑沒有太大的影響。

2.4 導電性能和外觀

圖7為鋁粉和3種不同還原劑制得的鍍銀鋁粉宏觀照片。

(a) 1#樣品 (b) 2#樣品

(c) 3#樣品 (d) 4#樣品

從圖7可以看出，使用酒石酸+葡萄糖、甲醛、葡萄糖制得的鍍銀鋁粉顏色分別為黃白色、土黃色、黑色。

在制備鍍銀鋁粉過程中，置換反應可用離子方程式(1)～(3)解釋:

Ni-2e-→Ni2+

(1)

(2)

2[Ag(NH3)2]++3H2O

(3)

在進行鍍銀鋁粉化學鍍時，鍍液先變成黑色。當銀氨溶液中的Ag+擴散到鎳原子表面時發生置換。隨著置換反應不斷進行，鍍液中的銀氨絡合物不斷增多。為了使銀沉積在鋁粉表面，需要還原劑提供電子，發生還原反應。3種不同還原劑的化學鍍銀反應現象可用離子方程式(4)～(6)解釋：

(4)

[Ag(NH3)2]++3OH-+HCHO→Ag↓+

2NH3↑+HCOO-+2H2O

(5)

C6H12O6+2[Ag(NH3)2]++2OH-→

2Ag↓+3NH3↑+H2O+

CH2OH(CHOH)4COONH4

(6)

使用葡萄糖+酒石酸雙還原劑體系制備鍍銀鋁粉時，由于葡萄糖的強還原性，銀氨絡合物先與葡萄糖反應，生成銀沉淀。為防止鍍液中的OH-快速消耗完，加入酒石酸減緩OH—消耗，保證還原反應充分繼續進行，生成銀沉淀，銀通過還原反應沉積在鋁粉表面。2種還原劑共同作用，一方面防止銀氨絡合物自身發生反應結合生成銀顆粒；另一方面保證了銀氨絡合物的利用率。之后滴加氫氧化鈉提供氫氧根離子，保證鍍液剩余的銀氨絡合物離子反應完成。

當使用甲醛作為還原劑時，甲醛在堿性環境下與銀氨絡合物發生反應，生成銀沉淀，見式(5)。由反應方程式(3)中可知：氧化銀與氨水反應生成2個銀氨絡合物，甲醛與1個銀氨絡合物離子發生反應生成銀沉淀，另一個銀氨絡合物則自身發生反應，導致制備的鍍銀鋁粉里有游離的銀顆粒存在，銀顆粒被氧化，因此顏色為土黃色。

在使用葡萄糖作為還原劑時，葡萄糖與銀氨絡合物發生反應，生成銀沉淀，見式(6)。因葡萄糖還原性強，快速消耗鍍液里原有的OH-，此時加氫氧化鈉，會導致未完全被銀包覆的鋁粉基體被氫氧化鈉腐蝕。銀氨絡合物自身反應，在已經沉積在鋁粉表面的銀上發生均勻形核，生長為樹枝狀，如圖3(d)所示。在粉末狀態下，銀生長為樹枝狀，晶格排列不整齊，當光線發射在粉體表面時，吸收可見光而不進行反射，所以為黑色，如圖7(d)所示。

測試制備的鍍銀鋁粉導電性能，結果如表1所示。使用的鋁粉壓實電阻率為260.7 mΩ·cm。

表 1 不同還原劑制備的鍍銀鋁粉的電阻率、外觀及密度

從表1可以看出，在鋁粉表面鍍銀后壓實電阻率比純鋁粉低。因為銀的導電性比鋁的導電性優異，所以鍍銀鋁粉的壓實電阻率比鋁粉壓實電阻率低。在鍍銀鋁粉制備過程中，銀與鋁的相互擠壓形成導電通路。壓實電阻率數值越低，其包覆效果越緊密。使用酒石酸+葡萄糖為還原劑時，鍍銀鋁粉的壓實電阻率最低，為11.3 mΩ·cm；葡萄糖作為還原劑時，壓實電阻率最高。對比圖3微觀結構可以得出，表面銀顆粒生長越均勻，包覆越緊密，壓實電阻率越小；對比圖7鍍銀鋁粉的宏觀圖可以發現，葡萄糖+酒石酸為還原劑制備的鍍銀鋁粉，顏色呈現出黃白色，且顆粒感明顯，導電性能更好。

2.5 松裝密度與振實密度

表1還比較了不同還原劑對鍍銀鋁粉松裝密度與振實密度的影響。從表1還可以看出，鋁粉的松裝密度最低，為1.023 g/cm3。影響松裝密度的2個主要因素是鍍銀鋁粉的表面粗糙度和銀與鋁的相對密度。使用酒石酸+葡萄糖作為還原劑時，鍍銀鋁粉的松裝密度最高，為1.352 g/cm3，振實密度值為1.651 g/cm3。這是因為銀的相對密度比鋁的相對密度大，進行化學鍍后的粉體松裝密度更大，粉體包覆性好。使用甲醛為還原劑時，鍍銀鋁粉的表面比較粗糙，且在鍍銀鋁粉周圍有大量的銀顆粒，所以空隙增多，導致松裝密度值下降；用葡萄糖作為還原劑時，鍍銀鋁粉表面的銀以片狀生長(見圖3)，且制備的鍍銀鋁粉不致密，使得所制備的鍍銀鋁粉松裝密度最差。

2.6 電磁屏蔽

使用矢量網格分析儀測試鍍銀鋁粉的電磁屏蔽性能。電磁屏蔽的屏蔽方式可以分為材料表面的反射衰減(SER)、材料內部的吸收損耗(SEA)以及材料界面的多次反射損耗(SEM)等3部分。電磁屏蔽效果以總屏蔽效能(SET)[23]表示，單位為dB。一般SET的值越高，屏蔽性能就越好。可表示為

SET=SER+SEA+SEM

(7)

當入射的電磁波與鍍銀鋁粉表面的銀接觸時，銀產生的自由電子導致空氣與鍍銀鋁粉界面產生阻抗匹配，有較少的電磁波反射回來，剩下的絕大多數電磁波進入銀鋁之間的內部結構中。由于銀和鋁之間的導電層相互作用，自由電子在傳輸過程時會產生微電流。而微電流會形成歐姆損耗，使得電磁波更快地衰減[24-25]。另外，銀鋁的雙層結構及多層復合對電磁波多次反射，導致電磁波吸收和能量耗散，從而達到電磁屏蔽功能。

將鍍銀鋁粉和石蠟按照8∶2混合，測試其電磁屏蔽性能。鍍銀鋁粉/石蠟樣品的電磁屏蔽性能測試結果如圖8所示。

(a) SET曲線

(b) SEA曲線

(c) SER曲線

(d) 屏蔽效能平均值圖 8 鍍銀鋁粉/石蠟樣品電磁屏蔽性能Fig.8 Electromagnetic shielding performance of Ag/Al powder/paraffin samples

圖8(a)為鍍銀鋁粉復合材料在X波段(8.2～12 GHz)的SET曲線圖。由圖8(a)可知，制備的鍍銀鋁粉在8.2～12 GHz波段電磁屏蔽效能均呈現明顯的增長趨勢。可見，在鋁粉表面鍍銀對其屏蔽性能產生了較大影響。圖8(d)為鍍銀鋁粉/石蠟樣品在8.2～12 GHz的電磁屏蔽效能平均值。與鋁粉相比，使用還原劑制備的鍍銀鋁粉SET值均有所增加，其中采用雙還原劑體系的SET值為28.62 dB，遠遠超過商業需求目標值(>20 dB)。而且，由酒石酸+葡萄糖制備的鍍銀鋁粉由SET曲線優于其余2種還原液制備的鍍銀鋁粉，進而說明雙還原劑鍍銀鋁粉包覆更致密，電磁屏蔽性能更好。

進一步探究鍍銀鋁粉復合材料的屏蔽機制，計算不同還原劑體系下制備的鍍銀鋁粉的SEA、SER值，結果如圖8(b)、(c)所示。從圖8(b)、(c)可以看出，使用3種不同還原劑制備的鍍銀鋁粉，電磁屏蔽吸收損耗(SEA)的占比遠大于反射損耗(SER)，說明使用不同的還原劑制備的鍍銀鋁粉都是以吸收為主的屏蔽材料。原因是鍍銀鋁粉有獨特的分層結構，對電磁波具有優異的吸收性能。

當入射電磁波入射在鍍銀鋁粉表面銀層時，首先反射先發生，部分反射后的電磁波在空氣中消耗掉，此時，材料的電磁波吸收能力只與入射在鍍銀鋁粉內部的電磁波功率有關[26]。為了進一步證明鍍銀鋁粉的吸收性能占主導屏蔽機制，引入吸收效率Aeff進行評價，即

Aeff=(1-R-T)/(1-R)

(8)

式中：R為反射功率系數；T為透射功率系數；Aeff為有效吸收率。

表2在8.2～12 GHz波段內，鍍銀鋁粉使用不同還原劑體系的反射、透射和有效吸收功率平均值。

表 2 鍍銀鋁粉/石蠟樣品反射、透射和有效吸收功率平均值

從表2可以看出，采用雙還原劑體系制備的鍍銀鋁粉吸收效率(Aeff)達到了99.8 %，其余的粉體有效吸收功率也在90 %以上。表明鍍銀鋁粉對電磁波的吸收能力大于反射能力，所以吸收損耗是鍍銀鋁粉的主要屏蔽機制。同時說明采用雙還原劑體系下制備的鍍銀鋁粉具有很強的屏蔽吸收能力，能有效防止二次反射電磁波造成的電磁波污染。

3 結 論

1) 以球型鋁粉為基材，用酒石酸+葡萄糖的雙還原劑體系得到鍍層均勻、致密的鍍銀鋁粉，且壓實電阻率可低至11.3 mΩ·cm。

2) 結合實驗現象和反應方程式，銀沉積的過程可分為銀鎳置換、銀顆粒沉積、銀層展開、銀自催化生長等4個階段。

3) 采用復合化學鍍的方法，制備出成本低、包覆性致密、無銀脫落的鍍銀鋁粉。用酒石酸+葡萄糖制備的鍍銀鋁粉，在頻率8.2～12 GHz波段平均屏蔽效能達28.62 dB。