有機分子插層調控二維關聯電子系統的研究進展*

石孟竹 康寶蕾 孟凡保 吳濤 陳仙輝3)4)?

1) (中國科學技術大學物理系,合肥 230026)

2) (中國科學技術大學,中國科學院強耦合量子材料物理重點實驗室,合肥 230026)

3) (南京大學,人工微結構科學與技術協同創新中心,南京 210093)

4) (中國科學院超導電子學卓越創新中心,上海 200050)

在采用機械解理方法制備的二維關聯電子系統薄層樣品中,人們觀察到了豐富的新奇物性.發展新的宏觀二維塊材制備方法,有可能在塊體材料中發現與薄層樣品類似的新奇物性.結合傳統的表征手段,可以進一步地加深對低維系統的理解,并將這些新奇物性推向潛在的應用領域.本文將介紹一類有機分子插層調控二維關聯電子系統的方法,重點介紹層狀結構材料在有機分子插層后結構和物理性質的變化,分析其演化過程.文章將介紹有機分子插層法在熱電、磁性、電荷密度波和超導電性等物性調控方面的研究進展.

1 引言

二維材料,是由單個原子層或幾個原子層通過范德瓦耳斯相互作用堆垛而成的晶體材料.自2004 年單層石墨烯被發現以來,二維材料得到了越來越廣泛的關注和研究.在這些二維材料中,由于層數的變化,材料表現出與塊材截然不同的物理性質.從石墨烯開始,二硫化鉬[1]、黑磷[2]、硒化鉍[3]、單層鐵硒薄膜[4]、二維磁性材料[5,6]以及邁克烯(MXene)材料[7],都受到物理、化學和材料領域研究者的廣泛關注.

在這些二維材料中,許多材料的能帶結構隨著厚度的改變而發生顯著的變化,從而帶來了豐富的物性變化.將石墨解理到單層后,費米面附近的線性色散帶來零質量的狄拉克電子激發,大大提高了材料中的電子遷移率;塊體MoS2解理到單層后,能帶從1.2 eV 間接能隙變為1.8 eV 直接能隙[8];在黑磷中,其能隙則隨著厚度的降低,從塊體的0.3 eV 連續增大到單層的1.8 eV[9];更為有趣的是,生長在SrTiO3襯底上的單層FeSe 表現出高達65 K的超導轉變溫度[4],“魔角”雙層石墨烯[10]和邁克烯(MXene)材料[7]也表現出超導電性,這些現象都吸引了凝聚態物理學家的廣泛關注.另外,電荷、自旋、晶格之間的相互作用也是這些二維材料表現出與塊體不同物理性質的原因之一.

隨著二維材料基本單元之間距離的變化,層間相互作用會逐漸演化,使得二維材料體系的超導電性、電荷密度波、磁性和熱電性能得到連續調控.然而,目前所研究的二維材料,大多是采用機械解理或者生長薄膜的方式制備.這些方法獲得的材料尺寸較小,難以對其進行詳細的結構表征和物性研究.除了譜學等表面探測手段外,其他的塊體測量,如比熱、熱電性能、核磁共振,以及磁化率等測量在這些二維材料中都難以開展.最近,采用一種有機分子插層的方法[11,12],本文研究者得到了大尺寸均勻插層的塊體單晶,并觀察到材料的物理性質隨著維度變化以及電荷摻雜量的演化[11].同時,一些有趣的量子物態也被發現,使得該有機分子插層的方法變得越來越重要[13,14].在本文的后續部分,將對這一有機分子插層的方法進行系統性的介紹和總結,著重介紹有機分子插層在幾個代表性的層狀材料體系中帶來的結構和關聯電子態的演化及其物理內涵.

2 有機分子插層二維塊材制備的原理與晶體結構

制備有機分子插層二維塊材主要有三種方法.第一種方法是離子交換法[15],這種方法主要用于黏土材料的改性過程.將含有堿金屬或堿土金屬離子的黏土材料,浸泡在含有表面活性劑有機分子的溶液中,改變浸泡反應的溫度和時間,有機分子就會與堿金屬或者堿土金屬離子發生離子交換.有機分子進入黏土材料以后,材料的層間距離增大,比表面積增大,提高了黏土材料的使用效率.如果直接離子交換難以進行,同時材料對于酸堿比較穩定,可以考慮先把堿金屬或者堿土金屬離子交換為H+,然后再利用酸堿中和反應的原理,加入有機堿進行反應,實現有機分子的交換過程[16].第二種方法是溶劑熱反應法[17?19].將過渡金屬二硫族化合物與有機胺混合,經過溶劑熱反應以后,有機胺分子就可以插入層間,撐大層間距離.同時,由于氨分子中N 原子處存在孤電子對,層間的有機胺分子可以對二維材料進行適量的電荷摻雜,使得二維材料表現出超導電性.第三種方法是采用電化學插層的辦法[11,12].電化學插層法是將二維材料作為工作電極,以導電碳布/Pt/Ag 作為對電極,包含有機銨離子的溶液作為電解液,再通以恒定的電流作為驅動力,使得二維材料發生還原反應,有機分子伴隨著還原反應的發生進入二維材料的層間.由于采用外加電流的方式直接對材料進行電化學反應,這是最為強大和普適性的一種方法,可以推廣到許多二維材料體系中.除了有機陽離子以外,無機陽離子、有機陰離子和無機陰離子都可以采用此種電化學插層的方式插入二維材料的層間[20].

以TaS2電化學插層有機分子十六烷基三甲基銨(CTA+)為例,介紹電化學插層反應的過程和原理,如圖1(a)—(c).首先,固定在柔軟的In 絲上的二維材料TaS2用作工作電極,剪為合適尺寸的Ag片用作對電極,溶有0.5 g 十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)的20 mL 有機溶劑N-甲基吡咯烷酮(NMP)用作電解液.在氬氣手套箱中將以上工作電極,對電極和電解液組裝成電解池,如圖1(a)所示.當電解池中通過一個恒定的電流時,對電極上的Ag 失去電子,并與溶液中的Br–結合成AgBr沉淀;工作電極上的TaS2得到電子,同時CTA+分子插入TaS2層間,撐大層間距離.以上過程的電化學反應如下:

圖1 電化學有機分子插層的過程及結構演化 (a)電化學電解池的結構及電荷流動示意圖,包括工作電極(固定有二維材料的In 絲)、對電極(Ag 片)和電解液(溶有季銨鹽的有機溶液);(b),(c) CTA+插層TaS2 前后的結構示意圖,其中有機分子CTA+垂直于TaS2 的ab 面[11];(d),(e),(f) (TBA)xFeSe[12],(CTA)xFeSe[13]以及(TBA)xCr2Ge2Te6[25]的結構示意圖,其中TBA+在層間單層排列,CTA+在層間以雙層平行排列;(g),(h) (Cp)2Co 插層SnSe2 的STM 形貌圖和其對應的結構示意圖,有機分子(Cp)2Co 的五元環平面與SnSe2 的ab 面垂直[18];(i) (CTA)xFeSe 的STM 形貌圖,其中CTA+分子在FeSe 層間緊密 排列,且CTA+分子的長 鏈與FeSe 的ab 面平行[13]Fig.1.Process of the electrochemical intercalation and the structure of the intercalated materials:(a) The illustration of the electrolytic cell which includes the working electrode (In wire fixed with two-dimensional material),counter electrode (Ag sheet) and the electrolyte (organic solution containing quaternary ammonium salt).(b),(c) The structure of TaS2 and (CTA)xTaS2,respectively.The organic molecule CTA+ is perpendicular to the ab plane of TaS2[11].(d),(e),(f) The structure of (TBA)xFeSe[12],(CTA)xFeSe[13]and (TBA)xCr2Ge2Te6[25],respectively.The TBA+ is arranged in a monolayer mode,while CTA+ is arranged in a double-layer mode.(g),(h) The STM image and surface structure of (Cp)2Co intercalated SnSe2.The five-membered ring plane of organic molecule (Cp)2Co is perpendicular to the ab plane of SnSe2[18].(i) The STM image of (CTA)xFeSe.The CTA+ molecules are closely arranged in the interlayer of FeSe,and the long chain of CTA+ molecules is parallel to the ab plane of FeSe[13].

將以上插層產物用有機溶劑NMP 清洗后,在手套箱中真空抽干,即可用于后續的X 射線衍射、輸運和磁化率測試.需要指出的是,插層后的產物大多對水和氧氣敏感,樣品保存和物性測量的時候需要進行適當的保護.

介紹了以上的電化學反應之后,下面對這一插層反應發生的條件做一些簡單總結.事實上,除了以上的電化學插層反應的過程,在工作電極這一側,電解池體系中還可能發生電解質溶液中的溶質與溶劑分子的還原分解反應.假設溶劑分子與溶質分子的還原電極電位為V溶劑與V溶質,二維材料發生電化學插層還原反應對應的電極電位為V二維材料,為了讓電化學插層反應順利進行,通常需要滿足V溶劑

關于有機分子插層二維材料的結構,人們從石墨插層化合物以及有機分子插層的黏土材料的研究中可以得到許多啟發.對于石墨,當外界離子/分子插入層間的時候,會形成不同的stage-n(n=1,2,3,···)化合物.以石墨電化學插鋰為例,stage-2 化合物是指石墨層間每間隔一層插入一個鋰離子,stage-1 化合物指石墨的每一層都被鋰離子插入了.這樣的結構差異使得stage-2 和stage-1 化合物在c軸方向的周期不同,因而采用X 射線衍射的方法可以很輕松地分辨出這些結構.stage-2和stage-1 化合物的形成,主要受到外來插入離子/分子的種類和含量控制,插入離子的含量可以通過控制流經電解池的總電荷量來控制,進而控制產物的晶體結構.對于有機分子插層的黏土材料,產物的結構主要受到黏土的類型、有機分子的種類和離子交換溶液的濃度控制.改變有機分子插入黏土結構中的含量,有機分子可以在層間采取不同的排列構型[15].對于長鏈有機分子,例如CTA+,有機分子的長鏈可以垂直(圖1(c))或平行(圖1(e))于二維層狀材料的平面,甚至能以CTA+分子二聚體的形式,垂直或平行于二維材料的平面排列[15].這些結構上的差異,可以通過測量插層產物的成分和X 射線衍射圖譜進行推測.

需要指出的是,這些有機分子插層二維材料,由于有機分子中的碳原子和氫原子對X 射線的散射能力較弱,確認這些有機分子的位置較為困難.同時,由于樣品對水分和氧氣的敏感性,嚴格的晶體結構還難以給出.最近,對于球型TMA+分子插層的FeSe,研究者采用粉末衍射精修的方式,給出了插層產物的晶體結構,并從第一性原理計算的角度給出了結構模型的合理性[22].

另外,也可以采用掃描隧道顯微鏡(STM)的方法直接觀察有機分子在二維材料中的排列方式,如圖1(g)—(i).例如,對于二茂鈷((Cp)2Co)插層的SnSe2,如圖1(h)所示,STM 則觀察到有機分子(Cp)2Co 中的茂基五元環平面垂直于SnSe2平面[18].對于CTA+分子插層的FeSe 材料,如圖1(i)所示,STM 可以觀察到緊密堆疊的CTA+分子的側鏈平行于FeSe 平面[13].

最后,需要指出的是,由于電解液中有機分子和溶劑分子之間的相互作用,一些電解液溶劑分子可能會發生共插層,與有機分子一同插入二維材料的層間.當采用其他溶劑清洗或者浸泡的時候,這些溶劑分子之間可相互替換,進而改變材料的層間距離和結構.例如,在組銨(HA+)插層的TiS2中[23],有機溶劑分子二甲基亞砜(DMSO)也會一起插入TiS2層間,此時,有機分子在插層產物中以雙層形式排列.當采用部分水分子對DMSO 進行交換后,有機分子HA+在層間則以單層形式排列.另外,采用一些有機胺溶解堿金屬,再與二維材料發生化學反應,也可以使得溶劑分子與堿金屬共插層進入層間[24].

3 有機分子插層二維材料的輸運性質

有機分子插層二維材料的輸運性質受結構影響較大.在這些有機分子插層的二維材料中,由于層間距離通常大于1 nm,且有機分子本身具有絕緣性,因此電子很難沿著c軸輸運,主要被限制在ab面內,從而使材料表現出明顯的二維性特征.插層之前的母體材料已經具有磁性、超導和電荷密度波等豐富的電子態,在經過插層后的二維材料中則會表現出更加有趣的物理性質,例如磁結構的變化[25]、二維超導[26]、“贗能隙”[13]、電荷密度波態[27]和量子格里菲斯奇異性[14]等.此外,由于有機分子與無機二維結構的界面極大地增加了聲子散射,導致有機分子插層后的二維材料可以表現出極低的聲子熱導,這一物理性質可以在熱電能量轉換器件中有重要的應用價值[23].

3.1 有機分子插層二維材料中的低熱導

3.2 有機分子插層二維材料中的磁性調控

對于具有各向同性海森伯相互作用的磁性材料體系,當進入二維極限時,面內的自旋漲落會被極大地增強,熱漲落將會阻止任何磁有序態在有限溫度的形成.然而,對于具有各向異性相互作用的二維磁性材料,材料在單原子層厚度的時候也可以表現出磁有序態.對于這類二維磁性材料,隨著材料厚度的降低,材料的層間磁耦合強度會逐漸減弱,磁有序溫度逐漸下降.例如,在層狀磁性二維材料CrI3中,雙層CrI3薄層樣品的鐵磁轉變溫度為45 K,略低于CrI3塊體中的61 K[5];在二維磁性材料Cr2Ge2Te6中,雙層Cr2Ge2Te6薄層樣品的鐵磁轉變溫度為30 K,也遠遠低于塊體中的65 K[28];尤其值得一提的是雙層與單層Fe3GeTe2的鐵磁轉變溫度分別為30 K 和20 K,而塊體Fe3GeTe2的鐵磁轉變溫度則高達205 K[6].這些結果表明,由于二維磁性材料的磁相互作用受層間耦合的調控,改變材料的維度可以實現對這類二維材料磁性的調控.因此,通過對這些二維磁性材料進行電化學插層,改變材料的層間距離,可以調控二維磁性材料中磁性相互作用的各向異性,從而調控材料的磁性質及轉變溫度.

基于上述思路,采用電化學插層的方法,本課題組成功將有機分子TBA+插入Cr2Ge2Te6的層間[25],如圖2(a)和圖2(b)所示.經過電化學插層以后,插層產物的鐵磁轉變溫度從67 K 提高到了208 K,易磁化軸也從c方向轉到ab面內.鐵磁轉變溫度的顯著提高主要是由于電荷摻雜使得材料的磁性相互作用發生改變.在電化學插層之前,Cr2Ge2Te6的電阻曲線表現出絕緣體的行為;電化學插層以后,引入載流子對Cr2Ge2Te6進行摻雜,插層產物的電阻曲線表現出金屬行為.不同的電輸運行為導致磁相互作用機制發生改變.第一性原理計算表明,Cr2Ge2Te6在插層之前是一個弱的超交換相互作用,鐵磁耦合強度為–J0=10.21 meV.插層以后,由于電荷摻雜,材料的磁相互作用變為雙交換相互作用,鐵磁耦合強度為–J0=19.69 meV.鐵磁耦合強度的增加導致鐵磁轉變溫度的上升.此外,第一性原理計算(圖2(c))表明,Cr2Ge2Te6在插層之前是一個絕緣體,Cr 離子之間的自旋相互作用是通過Cr 離子的 3dz2軌道間接地發生超交換相互作用.插入有機分子以后,由于電荷填充到Cr離子的3dxz和3dyz軌道,插層后的材料基態變為金屬.Cr 離子的面內軌道3dxz和3dyz的相互作用,使得易磁化軸從原來的c方向轉到ab面.

圖2 Cr2Ge2Te6 中插層TBA+分子后的結構和磁作用機制變化 (a),(b) Cr2Ge2Te6 插層TBA+分子前后的結構示意圖[25];(c) Cr2Ge2Te6 插層TBA+分子前(左 圖)和 插層TBA+分子后(右圖)的磁性作用機制示意圖[25]Fig.2.Changes of structure and magnetism origin in TBA+intercalated Cr2Ge2Te6:(a),(b) The structure of Cr2Ge2Te6 and (TBA)xCr2Ge2Te6[25];(c) the magnetism exchange interaction of Cr2Ge2Te6 (left panel) and (TBA)xCr2Ge2Te6 (right panel)[25].

3.3 有機分子插層二維材料中的關聯電子態

有機分子插層可以導致二維材料的層間距離顯著增大.由于有機分子本身的絕緣性,使得材料中電子的輸運被限制在ab面內,這極大地增強了材料的各向異性.這種各向異性的增強,可以使得材料更加有利于出現電荷密度波態和二維超導電性.例如,TBA+分子插層的VSe2中出現了金屬-絕緣體相變,并伴隨出現了新的3a×3a的電荷密度波調制[27];TBA+分子插層的SnSe2中則出現了準二維超導電性[26].除此以外,在CTA+和TBA+分子插層的FeSe 超導體中[13],巨大的各向異性增強了超導漲落,使得電子在遠高于超導轉變溫度(Tc)以上就已經開始發生超導預配對(Tp)[13].本節將詳細介紹上述有機分子插層關聯電子體系中的電輸運性質.

首先,將簡要介紹有機分子插層的VSe2體系.VSe2中插入有機分子TBA+后,插層材料出現由維度轉變引起的金屬絕緣體相變,并伴隨著出現了新的3a×3a的電荷密度波態[27].VSe2是一種層狀過渡金屬二硫族化合物,在插層有機分子之前,VSe2在110 K 發生了一個電荷密度波相變.電阻曲線上表現為金屬行為,并在110 K 附近出現反常行為,表明體系發生電荷密度波轉變;與此同時,磁化率和比熱曲線與電阻曲線行為一致,也在110 K 附近出現反常行為.由于在110 K 附近發生了電荷密度波轉變,VSe2晶格發生畸變,形成4a×4a×3c的電荷密度波態.當有機分子TBA+插入VSe2層間以后,電阻曲線表征的電荷密度波轉變溫度提高到了165 K.在轉變溫度之下,電阻率曲線表現出絕緣體的行為,這與母體進入電荷密度波態后的金屬行為完全不同.并且在300 K 時,面外電阻和面內電阻率比值ρc/ρab明顯增大,從插層前的150 增大到插層后的4000,表明材料的二維性顯著增強.與此同時,磁化率和比熱測量在165 K 附近也出現了轉變.在低溫130 K,ab面選區電子衍射圖譜中觀察到3a×3a的超結構,這與母體中ab面內的4a×4a超結構完全不同,暗示著插層產物在165 K 附近出現了新的電荷密度波態.第一性原理計算結果(圖3(c)—(j))表明,對于母體VSe2,進入電荷密度波態形成4a×4a的超結構時,費米面嵌套較弱,費米面處打開部分能隙,費米面附近仍有態密度存在,系統進入電荷密度波態后仍然表現出金屬行為.然而,VSe2插入有機分子后,VSe2的層間距離增大并被電荷摻雜,VSe2的費米面嵌套會增強,形成一個完全的能隙,費米面附近的態密度完全消失,使得材料進入絕緣態.并且,費米面嵌套矢量從q=1/4a*變為q=1/3a*,這與選區電子衍射的結果相一致.

圖3 VSe2 中插層TBA+分子后的結構和能帶結構變化 (a),(b) VSe2 和(TBA)xVSe2 的結構示意圖[27];(c)—(f) 第一性原理計算的VSe2 的層間距離為6.12,8.62,11.02,18.62 ?時對應的能帶結構[27];(g)—(j) 第一性原理計算的VSe2 的層間距離為18.62 ?時,費米面移動0,0.05,0.1,0.15 eV 后,能帶結構的演化,其對應的費米面嵌套波失分別為1/4a*,0.26a*,0.29a*,1/3a*[27]Fig.3.Changes of crystal structure and Fermi surface topology in the TBA+ intercalated VSe2:(a),(b) The crystal structure of VSe2 and (TBA)xVSe2[27].(c)–(f) The calculated Fermi surface topology of VSe2 with the interlayer distance of 6.12,8.62,11.02 and 18.62 ?[27].(g)–(j) The calculated Fermi surface topology of VSe2 with the different amount of Fermi surface shift with the interlayer distance at 18.62 ?.The shift amount is 0,0.05,0.1 and 0.15 eV,respectively.The nesting vectors are 1/4a*,0.26a*,0.29a*,1/3a*[27].

接下來,將介紹有機分子插層后二維材料表現出的超導電性及其二維電輸運行為[26].除了電阻率各向異性,有機分子插層超導體的上臨界場也表現出顯著各向異性.對于準二維超導,通過擬合I-V曲線和超導轉變溫度附近的電阻率曲線,可觀察到相應的Berezinskii-Kosterlitz-Thouless (BKT)相變.在CTA+分子插層的SnSe2中,插層樣品在磁場沿著ab面和c方向時的上臨界磁場分別為0.5 T和6 T.同時,通過測量超導轉變溫度附近的I-V曲線,證實了(CTA)xSnSe2中存在準二維的超導電性.

對于理想的二維超導系統,由于渦旋與反渦旋對的解束縛(或者叫拆對),體系會發生一個拓撲相變,即BKT 相變.在BKT 相變溫度之上,由于電流的洛倫茲力,渦旋與反渦旋對會拆開,導致電壓與電流之間出現一個冪律關系V ∝Iα.當α=3 時,對應的溫度就定義為BKT 相變溫度.通過測量超導轉變溫度附近不同溫度下的I-V曲線(圖4(a)),可以得到不同的冪律指數α.當α=3 時,相應的(CTA)xSnSe2的BKT 相變溫度為6.75 K(圖4(c)).與此同時,對于典型的BKT 系統,超導轉變溫度附近的電阻曲線遵循Halperin-Nelson 標度律,其表達式為其中R0和b是常數.根據這一關系,擬合得到的(CTA)xSnSe2的BKT 相變溫度為6.78 K (圖4(b)),與上述實驗測得的6.75 K 基本一致.這表明,(CTA)xSnSe2中存在著準二維的超導電性.同樣地,在CTA+和TBA+分子插層的FeSe[13],以及單層FeSe/SrTiO3薄膜[29]中也觀察到了這種準二維超導電性.這些結果表明,有機分子插層是一個非常有效的調控二維超導電子態的手段.

圖4 (CTA)xSnSe2 中的二維超導與(TBA)xFeSe 中的贗能隙相圖 (a) (CTA)xSnSe2 在超導轉變溫度附近的I-V 曲線[26];(b) (CTA)x SnSe2 的R(T)曲線,其中縱坐標是(d lnR(T)/dT)–2/3[26];(c)從(CTA)xSnSe2 的I-V 曲線中分離出來的冪指數α;(d) (TBA)xFeSe的磁場-溫度相圖,其中Tc0 是零電阻溫度,Tc 是通過NMR 譜線展寬和電阻曲線一階微分定義的超導轉變溫度,Tp 是電子預配對的溫度[13]Fig.4.Quasi-two-dimensional superconductivity in (CTA)xSnSe2 and the pseudogap behavior in (TBA)xFeSe:(a) The I-V curves of(CTA)xSnSe2 around the Tc[26];(b) the R(T) curve of (CTA)xSnSe2 with the Y axis at the scale of (d lnR(T)/dT)–2/3[26];(c) the temperature dependent index α of (CTA)xSnSe2 using the fitting formula V ∝Iα [26];(d) the Field-Temperature phase diagram of(TBA)xFeSe.The Tc0 is the zero-resistance critical temperature;Tc is the superconducting temperature defined by the onset temperature of NMR line broadening and the first derivative of resistance data;Tp is the onset temperature of the pseudogap behavior[13].

最后,再介紹一下有機分子插層FeSe 中的“贗能隙”行為[13].在CTA+和TBA+插層的FeSe 中,電阻率的各向異性比值在300 K 時分別高達104和105,遠大于FeSe 母體材料中電阻率的各向異性比值(小于10).這表明通過有機分子的插層,電子被有效地限制在了FeSe 面內傳導.同時,對(TBA)xFeSe 超導轉變溫度附近的I-V曲線以及R-T曲線進行了BKT 轉變的擬合分析,得到了比較一致的BKT 相變溫度(分別為44 K 和44.7 K),這表明在(TBA)xFeSe 中也存在準二維超導電性.另一方面,盡管電阻曲線上顯示(TBA)xFeSe的零電阻轉變溫度為43 K,但77Se 原子核的核磁共振測量出的奈特位移和自旋晶格弛豫率表明,樣品在60 K 就已經開始偏離高溫段的溫度行為,呈現明顯的下降趨勢;這與樣品高場磁化率在60 K就開始出現抗磁性相一致.這些結果表明,在超導轉變溫度之上(大約60 K)就已經存在自旋單態的超導電子配對,暗示了超導預配對的物理圖像.與此同時,對超導漲落更加靈敏的能斯特效應的測量結果則表明(TBA)xFeSe 在65 K 時也開始出現了超導漲落信號.綜合這些輸運測量的結果,在(TBA)xFeSe 中,由于二維化導致的超導漲落,電子在超導轉變溫度之上就已經開始形成庫珀對,并導致了“贗能隙”行為,其起始溫度大約在60 K(Tp).

需要指出的是,在單層鐵硒薄膜中,角分辨光電子能譜觀察到的能隙打開溫度也遠高于電阻的零電阻溫度,這暗示著在單層鐵硒薄膜體系中存在著與(TBA)xFeSe 類似的“贗能隙”行為.因此,采用有機分子插層的方法,有可能在塊體材料中研究薄層樣品中的新奇物性.

4 總結與展望

有機分子插層可以非常有效地調控二維材料的輸運性質,尤其是增強材料的各向異性,使得材料體系更加二維化.同時,這樣的二維化系統又能堆垛成宏觀塊材,使得宏觀的測量手段可以用于表征這些低維系統.除了文中介紹的熱導、磁性、電荷密度波和二維超導電性,有機分子插層在其他的量子物態調控中也有重要的作用,例如量子格里菲斯奇異性[14].進一步地,對于受維度效應影響較大的二維體系,有機分子插層都是一個很好的調控材料電子態的手段.不僅如此,結合具體的二維材料,有機分子插層也可以提供一種很好的前驅體模板,用于合成構筑新型二維層狀異質結構.例如,Hu等[30]采用(TBA)xFeSe 作為前驅物,采用溶劑熱離子交換的方法,得到了新型的二維層狀超導體,可以考慮將這種方法推廣到其他的過渡金屬二硫族化合物和層狀氧化物體系.

當然,需要指出的是,采用這種有機分子插層法獲得的二維材料,還存在著一些需要克服的困難.首先,有機分子插層二維材料對于水汽和氧比較敏感,這給材料的表征測量帶來一定的困難,需要研究者仔細控制物性測量的惰性環境;同時,由于有機分子在層間遷移的緩慢,有機分子插層含量的連續調控實現較為困難,這需要不斷改進優化電化學插層的條件,例如電解液的組成和插層反應溫度的控制.通過這些改進思路,有機分子插層法有可能在更多的二維材料體系中實現新奇的物態調控.