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基于荷控憶阻器的混沌電路的Hamilton 能量控制

2022-07-23 07:41:28李國強范秋華朱柏銘
電子設(shè)計工程 2022年14期
關(guān)鍵詞:系統(tǒng)

李國強,范秋華,朱柏銘

(青島大學(xué)電氣工程學(xué)院,山東青島 266071)

隨著五十多年的探索,人們逐漸對混沌運動的各個方面都產(chǎn)生了較為深刻的認(rèn)識。混沌理論的研究涉及到多種領(lǐng)域,文獻(xiàn)[1]設(shè)計了一個基于混沌電路的彩色圖像加密方法;文獻(xiàn)[2]利用分?jǐn)?shù)階的方式對混沌電路進(jìn)行分析;文獻(xiàn)[3]設(shè)計了一個新的雙憶阻器系統(tǒng),并對這個系統(tǒng)的動力行為進(jìn)行了分析;文獻(xiàn)[4]通過運放電路實現(xiàn)了4 種憶阻等價電路,這些電路具有相同的混沌特性。

非線性系統(tǒng)存在多種不同的控制方式[5-12],這些控制方式最終可以歸結(jié)于對能量的控制。能量的存儲、釋放與電容的充放電存在著必然聯(lián)系,對于實際的混沌電路[13],可以寫出其微分方程,然后對方程進(jìn)行無量綱化處理,用處理后的方程估計系統(tǒng)的能量交換。目前,已基于亥姆霍茲定理計算了一類動力學(xué)系統(tǒng)的Hamilton 能量函數(shù),推導(dǎo)驗證了函數(shù)的有效性,并從力場的角度出發(fā),結(jié)合電感的充放電過程解釋了函數(shù)的物理意義。文獻(xiàn)[14]研究了具有隱藏吸引子的廣義洛倫茲系統(tǒng)的動力學(xué)分析和Hamilton能量控制;文獻(xiàn)[15]設(shè)計了一種多卷吸引子混沌系統(tǒng),該系統(tǒng)具有與Chua 電路相同的動力學(xué)結(jié)構(gòu),同時分析了其Hamilton 能量,發(fā)現(xiàn)能量隨著吸引子數(shù)量的增加而減少。電路的動態(tài)行為越復(fù)雜,必然消耗的能量越多,Hamilton 能量值也會越低。此外,可以通過檢測系統(tǒng)能量使控制器以最小能量達(dá)到對目標(biāo)的預(yù)期控制,實現(xiàn)混沌系統(tǒng)的各種功能[16]。

文中首先在荷控憶阻器的基礎(chǔ)上設(shè)計了一個混沌電路,該電路具有和磁控憶阻電路相同的動力學(xué)結(jié)構(gòu),隨系統(tǒng)初始參數(shù)的改變,會出現(xiàn)多種不同的動力學(xué)行為;其次,計算系統(tǒng)的Hamilton 能量函數(shù),并分析了Hamilton 能量的變化和電感充放電的關(guān)系;最后,用Hamilton 能量控制這個混沌電路,可以改變混沌電路的運動狀態(tài)。

1 荷控憶阻混沌電路分析

文中分析的荷控憶阻混沌電路結(jié)構(gòu)圖如圖1 所示,該電路由荷控憶阻器M,電感器L1、L2,電容器C和電阻R構(gòu)成。

圖1 荷控憶阻混沌電路結(jié)構(gòu)圖

電路的微分方程如式(1)所示:

在該電路中,使用一個二次非線性函數(shù)模型表示荷控憶阻器的磁通量φ和電荷量q之間的關(guān)系:

電荷量對磁通量的微分就是憶阻器的阻值,用M表示:

設(shè)i1=x,i2=y,u=z,1/L1=α,1/C=β,L2=1,R=1,r=0,得到化簡的方程如下:

選擇系統(tǒng)的參數(shù):α=7,β=10,a=1.5,b=1,當(dāng)初始值為x(0)=0,y(0)=10-10,z(0)=0,q(0)=0時,利用Matlab 進(jìn)行仿真,通過Jacobian 方法計算Lyapunov 指數(shù)為LE1=0.314 5,LE2=0.127 6,LE3=-0.077,LE4=-3.682。根據(jù)卡普蘭-約克猜想,李雅普諾夫維數(shù)計算如下:

由上式結(jié)果可以得出,荷控憶阻混沌電路處于混沌狀態(tài)。

當(dāng)憶阻器的初始電荷q(0)分別為0、0.4、0.7、1.23時,系統(tǒng)的相圖如圖2 所示。

圖2 不同初始電荷下系統(tǒng)的相圖

圖中,uc為電容器C兩端的電壓,i1為電感器L1上的電流,當(dāng)電路的初始電荷不同時,系統(tǒng)具有不同的狀態(tài)。其中,當(dāng)q(0)=0.7 時,系統(tǒng)中出現(xiàn)一個自激吸引子,它是由系統(tǒng)不穩(wěn)定點產(chǎn)生的。

2 系統(tǒng)的Hamilton能量計算

將Hamilton 能量函數(shù)改寫成以下形式:

其中,x∈Rn為狀態(tài)向量。

當(dāng)將系統(tǒng)看作關(guān)于能量問題的向量場時會發(fā)現(xiàn),該向量場可以看作是保守場fc(x) 加上消耗場fd(x),即:

電路中電流會隨時間不斷變化,由此引起電感線圈以及電容器不斷充放電,導(dǎo)致磁場中能量的吸收和釋放,電場做功可以帶來能量的改變。若用H(x,y,z,q)作為Hamilton 能量函數(shù),則其滿足以下方程:

其中,保守場和消耗場分別表示為:

憶阻電路的Hamilton 能量函數(shù)可表示為:

方程的廣義解為:

它的微分形式為:

通過驗證可知,該函數(shù)是方程(12)的可靠解,通過分析函數(shù)解析式可以發(fā)現(xiàn),此電路系統(tǒng)的能量變化與電流電壓的變化密切相關(guān)。

3 系統(tǒng)的Hamilton能量分析

選擇系統(tǒng)的電路參數(shù)為α=7,β=10,a=1.5,b=1,初始值選擇為x(0)=0,y(0)=10-10,z(0)=0,q(0)=0,H(0)=0。狀態(tài)變量i1及H的時間響應(yīng)如圖3 所示。可以發(fā)現(xiàn),H的最大值總是滯后流經(jīng)電感L1的電流最大值,也就是說,在電感的電流達(dá)到最大值的后,H達(dá)到最大。除此之外,H的變化還取決于電感電流變化的快慢,電感電流變化較快時,H的變化也較大,電感電流趨于穩(wěn)定時,H的變化也趨于穩(wěn)定。

圖3 狀態(tài)變量i1及H的時間響應(yīng)(q(0)=0)

4 Hamilton能量對系統(tǒng)的控制

Hamilton 能量的變化會影響到混沌系統(tǒng)的動力學(xué)行為。因此,將Hamilton 能量作為一個控制器并引入到系統(tǒng)中,并以k作為反饋增益。利用反饋控制研究系統(tǒng)的狀態(tài)變化,動態(tài)函數(shù)設(shè)置如式(14)所示:

選擇系統(tǒng)的初值為x(0)=0,y(0)=10-10,z(0)=0,q(0)=0,H(0)=0。如圖4(a)所示,當(dāng)控制參數(shù)k=0.5時,在時間0~200 s之間,H保持有規(guī)律的振蕩,此時混沌吸引子保持雙渦旋吸引子的形態(tài)。當(dāng)?shù)竭_(dá)時間刻度250 s左右時,H急劇變化,電感大幅度充放電導(dǎo)致電流出現(xiàn)較大變化,此時,混沌系統(tǒng)的的一個吸引子向內(nèi)塌陷,持續(xù)一段時間后進(jìn)入準(zhǔn)周期態(tài)。改變控制參數(shù)為k=1,如圖4(b)所示,隨著控制參數(shù)的增大,混沌吸引子的塌陷時間提前,并且更快地進(jìn)入準(zhǔn)周期態(tài)。

圖4 調(diào)制H的時域圖以及相圖(q(0)=0)

圖中,淺色為H,深色為i1,下同。

令q(0)=0.4,如圖5 所示,當(dāng)控制參數(shù)k=1 時,準(zhǔn)周期環(huán)逐漸向外擴散,最后形成周期一,H能量控制法在一定程度上可以抑制周期一的形成。

圖5 調(diào)制H的時域圖以及相圖(q(0)=0.4)

如圖6 所示,令q(0)=0.7,控制參數(shù)k=1,在0~80 s的時間范圍內(nèi),系統(tǒng)的自激吸引子并未發(fā)生太大的變化,在t=80 s 以后,H出現(xiàn)了較大的變化,即系統(tǒng)由自激吸引子向單吸引子轉(zhuǎn)變時出現(xiàn)了塌陷。

圖6 調(diào)制H的時域圖以及相圖(q(0)=0.7)

如圖7 所示,令q(0)=1.23,控制參數(shù)k=1,在0~800 s 的時間范圍內(nèi),電感電流i1基本不變,H基本為0,此后,隨著i1的逐漸增大,系統(tǒng)由一個點逐漸向外擴散,出現(xiàn)暫態(tài)混沌,最終收縮于另一點。

圖7 調(diào)制H的時域圖以及相圖(q(0)=1.23)

從以上的分析過程中可以發(fā)現(xiàn),Hamilton 能量控制法對處于混沌態(tài)的系統(tǒng)影響更大,可以使混沌吸引子向內(nèi)塌陷,收縮為一個點。對于處于周期一或準(zhǔn)周期態(tài)的系統(tǒng)來說,Hamilton 能量控制法的影響較小,這是因為混沌振蕩具有更大的Hamilton 能量,而Hamilton 能量反作用于系統(tǒng)時,會對系統(tǒng)產(chǎn)生更直觀的改變。Hamilton 能量控制法作用于憶阻混沌電路時,總是趨向于使一個混沌系統(tǒng)塌陷,最終收縮為一個點,或者打破一個平衡,形成一個新的平衡。

5 結(jié)論

文中研究了Hamilton 能量對荷控憶阻混沌電路的影響及其控制方式。研究結(jié)果表明,Hamilton 能量隨電路中電流的變化而變化,系統(tǒng)處于混沌狀態(tài)時要消耗更多的能量,Hamilton 能量也會隨之增大,應(yīng)用這一原理可以檢測系統(tǒng)的狀態(tài);同時,Hamilton能量可以有效控制系統(tǒng)的動態(tài)行為,應(yīng)用Hamilton能量可以同步實現(xiàn)混沌的監(jiān)測和控制。該控制方法的優(yōu)點是在控制系統(tǒng)到期望狀態(tài)時可以檢測到能量轉(zhuǎn)換,控制速度快,響應(yīng)時間短,控制效果顯著,具有獨特的性能和潛在的發(fā)展前景。

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