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一種基于同軸結構的微波限幅器設計方法

2022-08-12 01:54:08李豐鄧世雄白銳王喬楠
現代信息科技 2022年7期
關鍵詞:信號結構設計

李豐,鄧世雄,白銳,王喬楠

(中國電子科技集團公司第十三研究所,河北 石家莊 050051)

0 引 言

限幅器是微波毫米波系統中的一種重要的功率控制器件,廣泛應用在接收系統前端,起到保護后級電路,防止系統損壞的關鍵作用。小型化、高集成、低損耗、耐功率高、易安裝是微波限幅器重要的發展方向。

微波限幅器的實現形式包括波導、同軸線、微帶線、MMIC 等。根據核心器件的不同,限幅器包括氣體放電管限幅器、鐵氧體限幅器、體效應限幅器和固態器件限幅器。而固態器件限幅器采用PIN 二極管和混合集成電路形式,具有高性能、高可靠、高集成、小型化等諸多優點,是微波毫米波系統中的主要限幅器應用形式。

本文提出一種采用同軸結構實現的固態器件限幅器設計方法。將限幅器封裝加工成螺紋結構,實現氣密后,再裝配到金屬同軸結構中。使限幅器不僅具有較好的耐功率指標,還解決了同軸限幅器氣密性要求,同時便于安裝和使用,極大提高了微波限幅器的應用條件。測試結果表明,300 MHz ~2 000 MHz 頻率內,限幅器損耗小于1 dB,駐波小于1.5;可承受峰值超過1 000 W 的功率,泄漏功率小于16 dBm,產品尺寸34 mm×Φ9 mm。該設計方案實現了限幅器的氣密性同軸封裝結構,性能優良,可靠性高,提升了限幅器的應用范圍。

1 限幅電路設計

限幅器要求承受的輸入信號為峰值功率1 000 W、脈寬100 μs、占空比0.1%大功率信號。基于性能要求,限幅器設計基于PIN 二極管形式設計。限幅器按PIN 二極管導通原理可分為無源限幅器、半有源限幅器及有源限幅器三種。有源限幅器需要外加同步信號控制PIN 二極管的通斷,使用范圍有限。無源限幅器利用PIN 二極管的射頻調制效應實現PIN 二極管導通,其結構簡單,但是受限于PIN 二極管I 區載流子速度,限幅器的工作頻率和PIN 二極管的I 層厚度成反比,只能應用于中小功率及低頻限幅。半有源限幅器在無源限幅器基礎上,通過耦合一定射頻功率,利用肖特基管檢波使PIN 二極管導通,可拓展I 層較厚的大功率PIN 二極管工作頻率。

本文采用半有源式限幅電路形式,通過增加耦合支路,利用耦合器將檢波二極管引入到電路的輸入端。通過獲取一定量的信號功率,使檢波二極管產生一定的直流信號,反饋到PIN 二極管上,使其充分地導通,從而增加限幅能力。

為降低泄露功率,采用多級限幅二極管才可使限幅電路的泄露功率較低。本設計采用兩級限幅結構,前級選用I 層較厚的四個大功率PIN 二極管芯并聯結構,以承受輸入大功率;第二級使用無源限幅結構,采用GaAs 芯片制作的PIN對管結構,降低輸出功率。限幅器電路原理圖如圖1所示。

圖1 限幅電路原理圖

第一級采用Skyworks 公司的PIN 限幅二極管CLA4607,其為Si 基管芯,I 層厚度7 μm,輸入P-1 可達到20 dBm@1 GHz,正向導通電阻Rs 為2 Ω@10 mA。第二級采用自主研發的PIN 限幅器芯片BWN287,其為GaAs 基芯片,I 層厚度1.2 μm,輸入P-1 可達到11 dBm@1 GHz,正向導通電阻Rs 為3 Ω@10 mA,耐功率大于5 W(連續波),漏功率小于16 dBm。

當信號由輸入端進入耦合器后,耦合信號進入檢波二極管,通過RC 積分電路得到一定的直流分量,通過扼流電感加載到PIN 二極管上,加速二極管導通,提高整體耐功率能力。GaAs 限幅芯片采用GaAs PIN 對管,PIN 和NIP 兩種二極管做在一個GaAs 芯片上,開啟電壓1.2 V,鉗位電壓2.2 V,可以保證整體限幅電路泄漏功率<16 dBm。電路中隔直電容為1 nF,扼流電感為330 nH,滿足工作頻率300 MHz 起始要求,RC 積分電路中電阻電容分別為1 kΩ 和100 pF,在保證電路匹配的前提下,將積分時間常數降低,縮短恢復時間。經過仿真設計,限幅器損耗小于1 dB,駐波小于1.5,泄漏功率小于16 dBm,滿足設計要求。

2 限幅器結構設計

2.1 限幅器氣密封裝設計

限幅器氣密封裝采用鋁合金材料,其重量輕,導熱性好,外形如圖2所示。封裝的輸入輸出端采用射頻絕緣子形式,利用焊接技術固定并實現密封。限幅器電路裝配到封裝內部后,封裝蓋板采用激光封裝保證限幅器封裝的氣密性。限幅器封裝的輸入前端,外形加工成螺紋形狀,其尺寸與同軸封裝內部螺紋相配合,可緊密旋入并接觸良好。限幅器氣密封裝尺寸為11 mm×7 mm×4.5 mm,封裝上下面采用平面結構,可以實現氣密封焊,便于裝配,同時裝入同軸封裝內部時作為旋轉助力面使用。

圖2 氣密封裝外形示意圖

限幅電路基板采用氮化鋁薄膜基板,其線條精度高,散熱性好。限幅電路采用混合集成電路工藝進行實現,功率較高PIN 二極管芯和GaAs 芯片都采用金錫燒結至電路基板,氮化鋁基板利用導電膠粘貼到封裝底部。輸入輸出采用金帶連接到封裝上的射頻絕緣子,其余管芯采用金絲互聯。

2.2 同軸封裝結構設計

同軸SMA 系列機構是一種非常實用的連接結構模式,它體積小,機械性能優越,可靠性高,便于安裝。本文利用同軸結構實現限幅器架構,可提高限幅器的應用環境和使用特點。

同軸封裝結構分為兩部分,一部分是SMA-KK 結構,一部分是SMA-KJ 結構。SMA 每部分都由外導體、內導體和介質支撐等組成。通過SMA 結構設計,實現50 Ω特性阻抗,與限幅器封裝輸入輸出端匹配。同軸外殼采用不銹鋼材質,介質支撐采用聚四氟乙烯材質,內導體采用鈹青銅材料。

設計同軸SMA 結構時,應遵循以下要求:

(1)同軸內部阻抗要保持一致,內導體橫截面盡可能使特性阻抗等于標稱值。

(2)內導體長度應控制好誤差,防止輸入和輸出端插入的絕緣子互相碰撞。同時內導體做好變徑設計,防止絕緣子松動。

(3)盡量減小機械公差對電性能的影響。設計時合理控制尺寸公差,提高加工精度,保證零部件的一致性。

同軸封裝主要材質是不銹鋼、聚四氟乙烯、鈹青銅等。在經受各類環境試驗如溫度沖擊、高溫貯存、老煉試驗時,由于膨脹系數的不同,各類材料會發生一定的變化,影響結構尺寸面的形變。因此,在設計產品時需要通過對介質支撐材料進預處理,完善支撐面尺寸公差和焊接工藝及流程。保證產品安裝后,尺寸面一致性較高,歷經試驗時形變量最小。

同軸封裝SMA-KK 結構,主要實現信號輸入和連接限幅器封裝輸入端的作用。兩端口都采用SMA-K 形式,內導體為可伐材質的插孔結構。信號由信號輸入端進入同軸封裝,通過內導體傳輸到內部輸入端,其與限幅器封裝的輸入端連接,使信號進入限幅器封裝。同軸封裝SMA-KJ 結構,主要實現信號輸出和連接限幅器封裝輸出端的作用。信號輸出端采用SMA-K 形式,內部輸出端采用SMA-J 形式,內導體為可伐材質的插孔結構。內部輸出端與限幅器封裝的輸出端連接,信號通過內導體由信號輸出端輸出。同軸封裝結構示意圖由圖3所示。

圖3 同軸封裝結構示意圖

2.3 同軸封裝限幅器裝配

同軸封裝限幅器裝配時,先將限幅器封裝內部輸入端旋入同軸封裝SMA-KJ 結構的內部輸出端。使限幅器封裝的輸出射頻絕緣子準確插入到同軸封裝SMA-KJ 的內導體后,再繼續旋入限幅器封裝使其與同軸封裝緊密連接。再將同軸封裝SMA-KK 結構的內部輸入端的內導體對準限幅器的輸入端絕緣子,將SMA-KK 內部輸入端旋入同軸封裝SMA-KJ結構內并緊固。同軸封裝限幅器的裝配示意圖如圖4所示。

圖4 同軸封裝限幅器裝配示意圖

3 測試結果和性能分析

對同軸限幅器進行指標測試,測試頻率范圍為300 MHz ~2 000 MHz,輸入功率條件為脈寬100 μs,占空比0.1%,峰值功率1 000 W。經過測試,限幅器損耗小于1 dB,駐波小于1.5,泄漏功率小于16 dBm,仿真與測試結果基本吻合。結溫臺測試二極管平均溫升小于5 ℃,產品常溫測試5 分鐘,管殼溫升小于10 ℃。通過結溫測試,驗證了本產品的可靠性和較好的環境適應性。測試曲線如圖5所示,同軸限幅器實物圖如圖6所示,產品尺寸34 mm×Φ9 mm。

圖5 同軸限幅器測試曲線

圖6 同軸封裝限幅器實物圖

4 結 論

本文設計了一種基于同軸封裝的微波限幅器結構。該設計方案可實現氣密封裝,且連接端口為SMA 形式,便于使用和安裝。產品體積小,性能優良,在300 MHz ~2 000 MHz 范圍內,可承受峰值1 000 W 的脈沖功率,產品體積僅為34 mm×Φ9 mm。實現了限幅器的氣密性同軸封裝結構,可靠性高,提升了限幅器的應用范圍。

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