曹 森,趙祉澎,劉志春,孫宏毅,陳錦斌,于曉梅,梁軍生,2※
(1.大連理工大學遼寧省微納米技術及系統重點實驗室,遼寧大連 116024;2.大連理工大學精密與特種加工技術教育部重點實驗室,遼寧大連 116024)
當今傳感技術正在迅速發展,傳感器逐步趨向微型化、小型化、可集成等,并且在工業生產、航空航天、電力等領域也顯現出來一些局限性。而聲表面波(SAW)器件已經成為非常有前景的高水平傳感器,其可實現小體積、輕重量、高靈敏度、高集成度、低功耗,并能夠實現無線無源測量,適用于極端和特殊環境[1-3]。SAW 傳感器由叉指電級(IDT)、過渡層、壓電層、襯底多層結構組成,而其耐高溫性能主要取決于壓電層的材料在高溫下是否發生失效。氮化鋁在已知壓電材料中具有最高的聲表面波相速度,C軸擇優取向的ALN 薄膜的SAW 相速度能達到6 000 m∕s,機電耦合系數K2約為1%,插入損耗0.2~0.4 dB∕mm。此外,其與COMS 工藝兼容的沉積工藝為SAW 傳感器的壓電層制備提供了方法,可以實現批量生產、降低成本的目的[4-7]。
舒琳[8]利用不同切向的硅酸鎵鑭作為襯底制作SAW單端口諧振器,在200~600 ℃的溫度區間證明了兩種切向有不同的溫度特性。Thierry Aubert 等[9]制作了聲表面波延遲線傳感器,在500 ℃下做了測試,討論了氮化鋁∕藍寶石壓電雙層結構在高溫聲表面波應用的可行性;董文秀[10]使用ALN 制作單端口諧振型聲表面波溫度傳感器,在25~185 ℃下溫度頻率系數為-46.2 ppm∕℃。上述文獻雖然證明使用ALN 做SAW 做溫度傳感器的可行性,但是沒有對傳感器參數進行優化仿真、提升其靈敏度,并且沒有在600 ℃以上進行測試分析。
為此,本文采用Pt∕Ta∕ALN∕Sapphire 結構制作聲表面波諧振型溫度傳感器,相比于延遲線,諧振型具有高品質因數和低插損的特點,而且信號處理簡單。利用多物理場仿真軟件COMSOL Multiphysics 對其進行有限元仿真,得到有較高溫度頻率系數的理想結構參數,將制作的傳感器放入馬弗爐利用網絡分析儀進行測試驗證。
諧振型SAW 傳感器如圖1所示,其諧振頻率主要由波速和波長決定,材料的彈性常數、密度、楊氏模量等會隨著外界溫度改變而改變。并且受熱后諧振器的結構尺寸發生變化,從而導致聲表面波的波長發生變化。于是v與λ的變化共同導致諧振頻率的變化。測量傳感器頻率的大小,就可以知道外界溫度的大小。諧振頻率f的計算公式為:
圖1 諧振型SAW
式中:v為聲表面波波速;λ為聲表面波波長。
在實際測試時,通過測得中心頻率,與已知的波長相乘可以求得波速大小。
溫度頻率系數(TCF)的絕對值大小是代表傳感器靈敏度大小的物理量,反映響應頻率的熱穩定性。大部分壓電材料的TCF 值為負數,作為壓電層時,其中心頻率隨著溫度升高而減小,TCF由式(2)確定:
式中:ΔT為當前測試溫度與室溫23 ℃的差值;fr和frt分別為傳感器在室溫23 ℃和ΔT+23 ℃下的共振頻率。
溫度頻率系數的值非常小,通常用ppm ∕℃表示。
機電耦合系數K2為衡量壓電材料對機械能和電能相互轉換效率的參數,通過仿真或者測量其S11 參數并通過式(3)得到:
式中:fr為共振頻率;fa為反共振頻率。
機電耦合系數值較小,一般使用百分比表示。
傳感器的柵極厚度、壓電層厚度與波長比值(hALN∕λ)、金屬化比率是影響傳感器性能最主要的結構參數。為了增大波速與機電耦合系數、提高其TCF 值,并設計合理的頻率和尺寸以方便后續工藝制作,仿真確定了傳感器的最優參數。由于IDT 在三維模型中提取截面,將其簡化為二維模型,大幅縮減計算時間,設定周期性邊界條件,無限個IDT 周期排列。選擇藍寶石(sapphire)為基底、氮化鋁(ALN)薄膜為壓電層、鉭(Ta)為過渡層、鉑(Pt)為IDT 層,PML 用來吸收漏波,結構示意圖如圖2所示。為了方便后續制作,設計波長λ=20 μm、聲孔徑W=50λ(1 000 μm)的傳感器,聲孔徑大能更好的產生諧振。表1給出了仿真所需ALN、Sapphire 的材料常數與一階溫度系數,用來反映溫度對材料性質的影響[11-12],Pt 和Ta使用材料庫中參數。
表1 材料常數與溫度系數
圖2 仿真模型結構示意圖
ALN 厚度過厚會影響聲波的模態[13],所以設定ALN厚度為1.2 μm;過渡層Ta 起黏附作用,也不宜過厚,固定為10 nm;Pt 電極厚度設為100 nm;IDT 設為均勻的,金屬化比率為0.5。為了確定聲波的傳播特性,在圖3中仿真映射出瑞利波的兩種本征模態,粒子主要在表面附近運動,所以表面位移較大。為了與實際情況更加接近,在上方加入了空氣,其反對稱模態的特征頻率為289.34 MHz,對稱模態的特征頻率為290.3 MHz,波速約為5 800 m∕s。
圖3 瑞利波兩種模態
根據上述參數,仿真不同對傳感器機電耦合系數和瑞利波波速的影響。擬合后的結果如圖4所示,hpt是電極厚度,v是瑞利波波速,K2是機電耦合系數。由于質量負載效應,可以看出隨著電極厚度的增加波速不斷減小,而機電耦合系數是先增大再減小,在厚度0.15 um左右達到了最大約為1.2%,此時的波速約為5 700 m∕s。
圖4 電極厚度(hpt)對v 和K2的影響
為了同時得到較高的v和K2,將pt厚度確定為100 nm,其他參數不變,仿真得到叉指換能器與反射柵的金屬化比率與v和K2的關系。圖5所示為擬合后的結果,隨著金屬化比率的增加,波速呈逐漸減小的趨勢,機電耦合系數在金屬化比率約為0.47 時增大到最大值0.98%左右,此時波速約為5 790 m∕s,接著逐漸減小。
圖5 金屬化比率對v 和K2的影響
電極的金屬化比率定為0.5,其他參數不變,仿真分析不同ALN厚度對v和K2的影響,擬合后的仿真結果如圖6所示。將ALN厚度進行歸一化處理,以ALN膜厚與聲表面波波長之比(hALN∕λ)作為橫坐標,可以看出波速在開始有一段緩升,因為ALN較薄,波速受到Sapphire基底影響。聲波主要在1~2個波長的厚度內進行傳播,隨著ALN厚度的小幅增加,聲波在ALN 內的分量增大,由于機械負載和電負載的影響,波速會下降,ALN 厚度接近一個波長的時候,下降減緩。而機電耦合系數先增大到峰值1.7%左右,此時波速約為5 590 m∕s,之后K2呈減小趨勢。
圖6 hALN∕λ對v和K2的影響
hALN∕λ對SAW 溫度傳感器的TCF 值影響較大,為了得到高靈敏度的SAW 溫度傳感器,仿真研究了hALN∕λ與TCF 的關系。如圖7所示,可以看出ALN 較薄時TCF 為負值,隨著ALN 厚度的增加,傳感器的TCF 值逐漸增大,在hALN∕λ約為0.66 的時候TCF 值為0,隨后變為正值,增大速度減緩。
圖7 hALN∕λ對TCF的影響
綜合上述仿真并考慮制作工藝,確定傳感器參數如表2所示。
表2 傳感器參數
利用磁控濺射系統,在Sapphire基底上濺射出ALN薄膜,通過XRD 衍射儀進行標定,薄膜具有高質量的C軸(002)取向。隨后將其進行甩膠、前烘、曝光、顯影、后烘處理,接著濺射Ta與Pt層,最后把傳感器放在丙酮溶液中剝離,清洗烘干后便制作完成。制作完成的傳感器如圖8(a)所示,兩側方形為焊盤,大小為2 mm×2 mm,叉指周期為20 μm,指寬與間距相等為5 μm。利用鉑漿將直徑0.1的鉑線粘接在傳感器兩側的焊盤上,高溫固化后固定在馬弗爐內部進行測試,鉑線通過接線窗口引出,另一端與PCB 板上的SMA 接頭相連,射頻線和轉接線的兩端分別連接網絡分析儀(VNA)和SMA接頭,如圖8(b)所示。
圖8 傳感器實物和信號采集
使用網絡分析儀對傳感器在室溫到800 ℃進行了測試,傳感器在室溫23 ℃環境下的中心頻率為284.04 MHz。計算出瑞利波波速為5 680 m∕s,略小于仿真得到的結果,這是由于理想與實際狀態下材料參數的偏差、制作工藝與測量上的誤差。隨著溫度的增大,中心頻率在逐漸減小,同時S11 數值也在減小,這是因為表面波波速和材料的彈性常數、密度等隨著溫度而改變,并且還有機械損耗、介電損耗等。
圖9所示為試驗結果與仿真對照,將試驗結果進行線性擬合,可以看到溫度與頻率呈線性關系。所求得的溫度頻率系數為-54.65 ppm∕℃,與仿真得到的-57.23 ppm∕℃相比較小,主要還是由于材料常數、制備和測試等誤差所導致。當溫度升高到800 ℃后,S11數值極劇減小,10 min后頻率變得不穩定,信號逐漸消失,傳感器發生失效。
圖9 測試結果
分析了傳感器失效原因,圖10(a)所示為在SEM下觀察到的室溫下未經測試SAW 傳感器的表面叉指電極結構,表面界限清晰、沒有發生斷裂。而圖10(b)所示在800 ℃高溫測試后,表面電極發生斷裂,因為在高溫環境中,金屬Pt 發生了團聚,多處重結晶融合在一起,所以會導致電信號的不連續,傳感器失效。
圖10 叉指電極結構
本文介紹了聲表面波溫度傳感器的原理,并選擇ALN∕Sapphire 層狀結構,為了獲得具有高機電耦合系數與溫度頻率系數的結構參數,利用COMSOL Multiphysics仿真軟件進行仿真。聲表面波波長為20 μm 時,發現在Pt 厚度為100 nm、金屬化比率為0.5,ALN 厚度為2 μm條件下,傳感器能達到較好的性能。對傳感器進行了實物制作與溫度頻率特性標定測試,結果顯示頻率與溫度具有良好的線性關系,TCF值為-54.65 ppm∕℃,對溫度敏感度較高,與仿真結果相近。而在800 ℃環境下測試10 min后,觀察到傳感器表面Pt 電極發生團聚,導致器件失效。試驗結果證明了傳感器在800 ℃下的可行性,并為以后探究電極保護層、提高傳感器性能提供了重要參考。