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曝光劑量精度誤差分析研究

2022-12-30 12:11:28高愛梅黃曉鵬
電子工業專用設備 2022年5期
關鍵詞:劑量影響模型

高愛梅,宮 晨,張 乾,黃曉鵬

(中國電子科技集團公司第四十五研究所,北京 100176)

隨著光刻分辨率的提高,對線寬均勻性(CDU,Critical Dimension Uniformity)的要求也越來越高。涂膠、曝光、顯影、刻蝕等一系列工藝都會影響CDU。其中,曝光工藝的劑量控制是影響CDU的一個重要因素,因此,光刻工藝中需要精確控制曝光劑量[1]。

在光刻工藝中,能夠得到最佳光刻圖形的曝光劑量稱為最佳曝光劑量。最佳曝光劑量與光刻膠的型號、膠厚及曝光圖形結構等因素有關。曝光劑量有一個裕度范圍,曝光劑量變化控制在此裕度內,才能得到線寬均勻性滿足要求的圖形。對i線光刻機,劑量裕度一般為15%~20%。影響劑量裕度的因素主要包括劑量精度、劑量重復精度、照明均勻性、膠厚均勻性等。本文對影響劑量裕度的劑量控制精度和劑量重復精度2個重要參數展開研究,分析影響其精度的因素,建立劑量精度誤差模型,并結合測試數據進行驗證。

1 劑量控制模型

1.1 劑量精度定義

圖1解釋了劑量精度和重復性的概念。平均值更接近目標值,則精度更高;多次測量數據彼此更接近,則重復性更高。

圖1 劑量精度和重復性

式中,Eset為設定的劑量值;Emean為多次劑量測量結果平均值;

Emax為劑量測量結果最大值;Emin為劑量測量結果最小值;

1.2 劑量控制策略

在步進光刻機上,劑量控制的對象包括光源、衰減器、快門和能量傳感器,一般光源的功率和衰減檔位調節場景較少,在線曝光流程中主要控制快門開關時間實現劑量大小控制,通過照明光路中的能量傳感器(簡稱ES)實時采集能量數據做劑量反饋。設備使用中因光學系統透過率變化等原因,需要通光硅片面的點能量傳感器(簡稱SS)測量實際照度,標定ES的系數(kratio),kratio=ESS/EES。如圖2所示,硅片面的劑量值=硅片面照度×曝光時間,其中,曝光時間包括快門全開時間和快門開啟關閉時間。

圖2 劑量控制模型

E=E0+W×t,E0為快門全開時段的劑量,W為等效光強,t為等效時間。

2 劑量精度誤差分析

劑量精度是曝光工藝中需要控制的重要因素,直接影響曝光圖形質量,通過對影響劑量精度原因的分析,建立了誤差模型并分析各項誤差大小,為劑量精度的優化控制提供理論依據。

2.1 誤差項分解

依據劑量控制策略,影響劑量精度的因素主要有ES的重復精度和線性度,SS的重復精度和線性度,ESS/EES的比例系數為kratio,快門開關重復時間。

圖3 劑量精度誤差分解

前5項因素單位均為百分比,直接影響劑量精度,快門開關重復時間對劑量精度的影響,與硅片面照度和劑量大小相關。此時,劑量精度公式修正為E'=E0+W×(t±t0),t0為快門開關重復時間,t0對劑量精度的影響大小為(E-E')/E=(W×t0)/E。

劑量精度要求≤1.5%,劑量重復精度要求≤0.5%,根據劑量誤差模型分析,分解到各誤差項的誤差值,如表1所示,作為劑量控制系統的設計要求。

表1 劑量精度誤差預算

2.2 劑量精度測試

依據劑量誤差分解值開展劑量控制系統設計,搭建能量測試臺,分別測試ES和SS傳感器的重復精度和線性度,測試快門開關重復時間。在光刻設備上測試比值kratio。各指標實測數據及對應的劑量精度核算結果如表2所示。

表2 實測誤差項對應的劑量精度

根據劑量精度和重復精度定義進行劑量測試,分別測50、80、100、150、200、300、400、500 mJ·cm-2劑量下的劑量精度和重復精度,測試數據如表3所示。

表3 劑量精度和重復性測試

由表3可知,劑量50 mJ·cm-2時,快門重復性對劑量精度影響較大,快門等效光強標定誤差大,導致劑量精度超差,其它劑量值下的精度和重復精度均滿足指標,且與劑量誤差分解指標匹配度較好。因此,設定劑量小于100 mJ·cm-2時,衰減片調至50%檔位,通過降低硅片面照度減小快門重復性對劑量精度的影響。通過測試驗證,衰減片50%檔位時,50 mJ·cm-2劑量下的劑量精度0.884,重復精度0.372,滿足設計需求。

重復連續測試1 h后,劑量精度下降到7.4%,分析其原因發現,快門常開連續測試時,ES和SS傳感器受溫度影響,呈現一定的長期漂移,且趨勢不完全相同,導致kratio=ESS/EES比值變化較大,進而影響劑量精度。從誤差模型可以看出,kratio是影響劑量精度的最大誤差項,模擬實際應用場景,按曝光場布局和曝光流程重新規劃測試方案如表4所示,批流程之間做一次劑量精度測試,連續測試1 h,劑量精度沒有明顯變化,滿足指標需求。

表4 劑量精度和重復性測試

4 結束語

線寬均勻性作為光刻機的核心指標之一,是評價光刻工藝穩定和光刻設備性能的主要依據,而曝光劑量是影響線寬均勻性的主要參數。本文針對i線步進式光刻機,重點分析了影響劑量控制精度和重復精度的因素,建立劑量精度誤差模型,并通過劑量精度測試驗證了模型的可信度,為光刻設備的劑量設計提供了理論依據。從誤差模型可以看出,影響劑量精度的主要誤差項是kratio比值,這個值隨光源波動、照明均勻性變化、光學系統的鏡片膜層變化、能量傳感器的熱漂移和性能老化等因素有關,因此,應定期校正kratio比值,以實現劑量精度的精確控制。

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