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Ku同軸-波導轉接頭帶外抑制特性分析*

2023-01-08 03:57:52徐謖欽賴
艦船電子工程 2022年10期

徐 卓 徐謖欽賴 平 曾 璐

(1.武警廣西總隊參謀部 南寧 530031)(2.91497部隊 寧波 315000)(3.32382部隊 武漢 430311)

1 引言

波導因其反射損耗小、傳輸衰減低、功率容量高、易于與同軸線纜匹配,廣泛應用于Ku衛星通信中[1~3]。通常針對其帶內傳輸與反射特性開展研究[4~12],對于其低頻帶外抑制特性分析的文獻未見公開報道。事實上,同軸-波導轉接頭的低頻帶外抑制特性直接影響Ku衛通低頻帶外雜散發射與接收。特別是,良好的低頻帶外抑制特性可阻止帶外雜散發射信號進入衛通設備,避免帶外雜散發射信號進一步進入中頻設備,從而引起電磁兼容問題。

Ku衛通同軸-波導轉接頭的低頻帶外抑制能力通常可達-150dB,帶外與帶內特性同時仿真時,對電磁仿真軟件的計算精度提出極高的要求。與此同時,常規矢量網絡分析儀的測量精度約為-100dBm,難以精確測量Ku衛通同軸-波導轉接頭的低頻帶外抑制特性。

本文針對Ku同軸-波導轉接頭帶外抑制特性,在仿真軟件和測試儀器精度允許的范圍內,通過仿真與測試,分析了其帶外抑制特性,結果吻合較好。進一步地,預測了附加150mm波導管后的低頻帶外抑制特性,對評估不同長度Ku同軸-波導轉接頭帶外抑制特性具有重要的參考價值。

2 波導初步仿真

衛通天線射頻端通常采用矩形波導,長、寬分別約為19mm、9.5mm,與BJ120標準矩形波導的主要參數相吻合[2],如表1所示。

根據表1建立了矩形波導仿真模型。

表1 BJ120標準矩形波導主要參數表

1)CST實體模型

如圖1(a)所示,為在CST仿真軟件中建立的仿真模型,波導的背景材料為空氣,且為吸收邊界條件,采用時域求解器。圖1(b)為仿真結果,波導管呈現高通特性。隨著波導管長度的增大,反射特性變化較小,低頻阻帶效果逐漸變好。

圖1 CST中實體建模及仿真結果

2)CST等效模型

在CST中建立等效模型,背景材料為PEC,波導內部材料為空氣,如圖2所示,采用頻域求解器。可以明顯看出波導在TE10模的截止頻率為7.87GHz。

圖2 CST中等效仿真模型(3GHz~10GHz)

3)HFSS實體模型

在HFSS中建立實體模型,端口為waveport,如圖3所示,仿真結果與圖2類似。

圖3 HFSS實體模型

上述三種仿真方法出現差異的主要原因有:為了求解的高效,圖1中CST采用了時域求解器,然而頻帶過寬,所以誤差較大。經過驗證圖1背景材料為PEC建模和圖2實體建模結果是一樣的,因此,盡管前者在建模、仿真效率等上有優勢,但不符合實際情況。與此同時,HFSS采用的是頻域求解器,計算結果更為合理一些。為更進一步核實該問題,CST、HFSS的求解頻帶為3GHz~5GHz,推導矩形波導的理論衰減公式為

特別需要注意的是,3GHz~5GHz在波導的截止頻率以下,β應該為負的純虛數。

對于最低次主模式TE10(m=1,n=0),計算得不同距離的衰減如圖4所示,結果整理于表2,波導長度變化在25mm~100mm的范圍內,理論計算、CST、HFSS均吻合較好,隨著長度的進一步增大,軟件由于受到收斂精度的影響,誤差逐漸增大。

圖4 CST、HFSS實體建模及仿真結果(3GHz~5GHz)

表2 BJ120標準矩形波導3GHz時的衰減(19mm、9.5mm)

3 波導-同軸轉接頭仿真分析

建立I型波導-同軸轉接頭仿真模型,如圖5所示,帶內(12GHz~13GHz)同軸端具有良好的傳輸和反射特性,帶外(2.5GHz~4.5GHz)同軸端輸入電磁波進入波導,但不再從波導端輸出,能量主要“存貯”于波導中。

圖5 I型轉接頭仿真結果

將上述兩型波導連接起來,如圖6所示,帶內具有較好的反射特性、傳輸特性,帶外入射能量全部返回且隔離度較高。

圖6 兩個轉接頭合在一起仿真結果

需特別說明的是,帶轉接頭的波導尺寸均為19.05mm、9.225mm。根據前述仿真結果,I型、II型轉接頭、I型+II型轉轉接頭的帶外(3.2GHz)插損(S12)分別為-33dB、-54.2dB、-92.2dB。經測量,衛通天線上的U形波導長度約為150mm,由于受到軟件仿真、儀器測量精度的限制,將上述3個器件一同分析,既仿不準,又測不準。因此,在I型+II型轉接頭之間再附加一段波導,通過調整附加波導的長度,盡量控制總插損在-150dB以內,以評估3個器件一同使用時的帶外(3.2GHz)特性。其仿真結果如圖7所示(其中預測是指由附加波導理論計算結果加上I型轉接頭,以及II型轉接頭衰減之后的結果),總結如表3所示。

表3 衛通用波導轉接頭分析表(3.2GHz)

圖7 I型+II型轉接頭調整附加波導長度仿真結果

4 波導-同軸轉接頭測試分析

如圖8所示為I型+II型轉接頭的S21理論計算、仿真和測試數結果,其中測試為I型與II型轉接頭互連并分別連接矢網信號通道。理論計算僅計算了63mm波導的衰減,即沒有考慮同軸饋電的損耗。理論計算、仿真和測試結果吻合較好,兩型轉接頭具有良好的帶內傳輸與帶外抑制特性。

圖8 I型+II型轉接頭結果

5 結語

本文建立了Ku衛通兩型同軸-矩形波導轉接頭的仿真模型,分析了其帶內傳輸(12GHz~13GHz)和帶外抑制(2.5GHz~4.5GHz)特性。結果表明,兩型轉接頭帶外(3.2GHz)插損分別為-33dB、-54.2dB,總插損-92.2dB,理論、仿真、測試結果吻合較好。

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