袁 昊,王春芳,王少博,李卓玥,夏東偉,陳 金
(青島大學電氣工程學院,山東青島 266071)
無線電能傳輸(Wireless Power Transfer,WPT)是一種新興的技術,由于其方便、安全、靈活等優點,已廣泛應用于電動汽車充電、便攜式設備等[1-3]。然而,WPT系統中使用的逆變器基本是全橋逆變器[4-7],全橋的結構至少需要4 個開關管,開關管的控制相對復雜,存在上下橋臂短路的風險。為了滿足簡單操作和高可靠性的要求,單開關管電路(Single-Switch Circuit,SSC)以其簡單的拓撲結構成為WPT 系統很好的選擇[8-13]。文獻[8]中使用新型E 類功率放大器實現電流模式和電壓模式。文獻[12-13]中的另一種SSC 結構可以通過高階補償網絡實現電池充電。在這些研究中,逆變電路只需要一個開關管,從而避免了橋臂間短路的問題,而且相比于全橋的4 個開關管,單個開關管的導通損耗顯然要低。但SSC 獨特的結構導致了高頻逆變輸出的電壓波形不是常規的方波[8-10],因此參數設計較為復雜,對SSC參數設計的研究相對較少。
本文基于P-LCL補償網絡的SSC-WPT系統,提出了基于高次諧波近似法對SSC 補償網絡參數的設計方法,實現精確的零電壓開關(ZVS)裕量。最后,以1 kW WPT樣機為例,驗證了該方法的正確性。
圖1 所示為P-LCL補償的SSC-WPT 的電路拓撲。圖中:UDC為直流輸入電壓源;Cin為輸入濾波電容;Q是開關管MOSFET;CP、CS分別為一次側和二次側的補償電容;LP和LS是線圈在一次側和二次側的自感;M是發射線圈和接收線圈之間的互感;rP,rS分別是線圈的寄生電阻;LS1為二次側的補償電感;Cd和R是輸出側的濾波電容和電阻負載;Z為從CP進入的輸入阻抗;Req為輸入等效負載;uDS表示Q的漏極和源極之間的電壓;uCP表示原邊諧振電容CP上的諧振電壓;iLP為流過LP的電流;CP,LP,LS,CS和L1構成圖1 中的PLCL補償網絡。

圖1 基于P-LCL補償的SSC-WPT電路拓撲
圖2 繪制了電路運行時的主要波形,圖中:uCP為諧振電容CP兩端的諧振電壓;iLP為流過原邊線圈LP的諧振電流;uDS為Q漏極和源極之間的電壓;uGS為Q柵極的驅動電壓。

圖2 電路工作時開關管的主要波形
模式1(t0~t1)開關管Q在t=t0時以零電壓開通,CP兩端的電壓uCP被UDC鉗位,電流iLP一直上升。iLP流過LP—Q—UDC—LP。在此階段,感應電能從一次側傳輸到二次側;CP既沒有充電也沒有放電,可以得出以下等式:

模式2(t1~t2)當Q 在t=t1時關斷,原邊諧振電容CP開始放電,并且在該模式下電容兩端的電壓uCP從UDC減小到零之后又開始反向從零增加。iLP流經LP和CP。當t=t2時,iLP減小到零,此時uCP增加到最大值,在此期間,二次側一直接收一次側。
模式3(t2~t3)當t=t2時,iLP從正方向變為負方向,之后CP開始充電,在此期間感應電能依然進行從原邊到副邊的傳輸,可以得出以下等式:

模式4(t3~t4)當t=t3時,uCP增加到UDC,由于UDC的鉗位作用,Q 的反并聯二極管DQ導通,給iLP提供續流通道。在t=t4時提供驅動電壓使開關管導通,在開關管導通之前,由于DQ導通,uDS為零,因此可以實現ZVS。在t4時刻之后,電路的工作模式又回到了初始的模式1 工作模態。
由于SSC獨特的工作特性,高頻等效輸入電壓源不同于全橋逆變器中的方波[11-13]。從式(1)和(2)可以得到時域中的穩態電壓:

圖3 繪制了一個周期內與CP相關的主要波形,其中Q的漏源極的峰峰值電壓A等于CP兩端的峰峰值電壓uCP。當Q的開關周期設置為T時,ZVS 的裕量設置為ΔtZVS,占空比設置為D,則在ta≤t≤te的峰峰值電壓A、角頻率ω'和相位角φ可通過下式計算:

圖3 1個周期內與CP 相關的主要波形

圖4 繪制了uCP(t)和iLP(t)的高次諧波分解。理想條件下rP、rS等于零,n次諧波輸入阻抗可推導為

圖4 uCP(t)和iLP(t)的高次諧波分解

因此,可以推導出uin和iLP間的n階諧波阻抗角:

當n增大到較大值時,諧波電流很小,可以忽略不計[14]。因此,只需要考慮第n階(n≤7)諧波。根據疊加定理和式(5)和(6)可得:

顯然,當T-ΔtZVS≤t≤T-ΔtZVS-Δt(即td≤t≤te),ΔuCP的值為-UDC。圖3 中,CP在該狀態下的電荷量Δq通過下式計算[15]:

CP的表達式可以表示為

根據CP的表達式,可以實現精確的ZVS 裕量,即等于已設置為ΔtZVS的值。
搭建了負載輸出電壓0.15~1.00 kW 的實驗樣機,在理論分析的基礎上設計了補償網絡的參數。設定輸入電壓UDC為160 V,額定負載為22.5 W,工作頻率為85 kHz。Q的ΔtZVS設置為6%T(即706 ns)。一次側補償電容CP為49.3 nF,一次側線圈的自感LP為51.7 μH,二次側線圈的自感LS為57.4 μH,線圈之間的互感M為22.7μH,二次側補償電容CS為150 nF,二次側的補償電感L1為57.4 μH。
此外,在閉環中引入頻率調制,以保持輸出穩定。實驗平臺中電子負載IT8616 用作可調負載。輸入功率由數字功率儀PZ9902U 測量。兩個STM32F103RCT6 分別用作一次側和二次側的單片機控制。無線信號通信采用24L01 實現閉環控制。考慮到功率MOSFET 的電壓裕量,選擇CGE1M120080 作為Q。輸出整流二極管為MBR20150FCT。
計算的CP上的電壓峰間設計值等于568.8 V。Q的ZVS裕量ΔtZVS預設值為706 ns,CP的Δt預設值為645 ns。圖5 顯示了在額定功率下的開關管Q 的uGS和uDS實驗波形。CP的電壓峰間電壓(即Q的振幅電壓)為572 V。此外,可以看到ΔtZVS為700 ns,圖6 顯示了通過CP的測量電壓和通過LP的電流。測得的CP的Δt(電容器CP上的電壓從零上升到UDC的時間)等于650 ns。可以看出,測量結果與設計值相吻合。理論分析和實驗結果一致,驗證了該方法的有效性。

圖5 額定功率下開關管Q的uGS和uDS實驗波形

圖6 CP 兩端的電壓uCP和線圈電流iLP的波形
基于高次諧波近似,提出了一種新的SSC-WPT的參數設計方法。搭建了一臺輸出電壓為0.15~1.00 kW的實驗樣機,驗證了理論分析的正確性。該樣機能夠實現精確的ZVS裕量,在SSC-WPT的應用中前景廣闊,有助于電力電子技術的實驗教學。