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CdTe/ZnS核殼結構半導體量子點的熒光特性研究

2023-10-24 10:45:50楊璐璐
科技資訊 2023年19期

楊璐璐

(廣東白云學院 廣東廣州 510450)

量子點直徑以納米為單位計算,尺寸非常小,具有獨特的光學與電子特性。量子點往往容易發射、吸收特定頻率的光,并對尺寸、材料、形狀進行一定的調整,由此能夠滿足特定場景的運用需求,包括光伏電池、光催化和生物標記等領域。量子點也叫“人造原子”,這是因為準零維體系的物理行為與原子是相似的,電子在其中的能量狀態呈現出類似于原子的分立能級結構。硫化鋅膠體量子點直徑5 nm,量子點性質活潑,為了保持穩定性,在表面覆蓋鈍化劑。針對量子點的研究顯示了納米材料領域的新探索,量子點擁有不同于塊體物質的獨特性質,具有較強的研究價值[1]。

1 實驗設計

本次實驗試劑為國藥集團出產的99%純度的硼氫化鈉、99%純度的硫酸鋅、99.8%純度的碲粉、98%純度的氯化鎘、99%純度的硫脲、99%純度的巰基乙酸、99.999%高純度的氮氣、99%純度的硫化鈉。實驗研究中選用的儀器為S212恒速攪拌器、TG16-WS高速離心機、LS55 熒光光譜儀、SHLS 加熱套、UV-2500 紫外-可見光譜儀[2]。

制備CdTe/ZnS 量子點,將500 mL 的去離子水加入1 000 mL 三口瓶內,將0.310 mL 巰基乙酸、0.456 5 g CdCl2?2.5H2O 加入混合液之中,添加0.612 mL NaHTe溶液,進行冷凝回流處理,冷卻溶液至室溫狀態,pH值與反應速度呈反比關系。為了保證光學特性,通過反復調整與測試,設置適宜的pH 值,把pH 值調節成10、11,冷凝回流6 h、10 h,取樣觀察,若樣本溶液呈現橙色,則CdTe核制備完成[3]。

2 CdTe/ZnS量子點熒光特性的實驗測試分析

2.1 不同殼層厚度CdTe/ZnS實驗結果

選取核心紫外發光為橙色CdTe/ZnS樣品,樣品S1包殼時間30 min,樣品S2包殼時間1 h,樣品S3包殼時間2 h,分析殼層厚度的檢測情況,得出水溶性量子點,測量線性折射率,線性透過率為95%。結果顯示:樣品S1、樣品S2、樣品S3 非線性折射特性呈現出自聚焦特征,3個樣品的表現基本一致,同時研究發現不同核尺寸情況下,殼層厚度對研究活動所起到的影響,結果顯示殼層厚度具有正向作用,CdTe/ZnS 非線性光學特性明顯增強。

CdTe/ZnS 包殼小于3 層時,非線性吸收與折射率與殼層厚度呈正比關系,超過3 層后呈反比關系。樣品S1~S3第一吸收峰數值為550 nm、555 nm、560 nm,禁帶寬度為2.45 eV、2.22 eV、2.24 eV。雙光子吸收狀態下,800 nm激光光子能量數值能夠達到1.55 eV[4],S1樣本β數值為4.37×10-13m/W,尺寸3.2 nm,n2為1.43×10-12esu,具體數值如表1所示。

表1 橙色CdTe/ZnS的非線性光學特性結果

溶劑水具有非線性折射效應,溶劑水所貢獻非線性折射率為0.61×10-12,溶劑效應表現較為明顯,量子點的非線性折射特性也能夠觀測出來,研究黃色紫外發光CdTe/ZnS量子點[5],具體數據如表2所示。

表2 黃色CdTe/ZnS的非線性光學特性結果

可見核尺寸殼層厚度增加時,黃色CdTe/ZnS 非線性光學特性明顯變大。

2.2 不同核心尺寸CdTe/ZnS實驗結果

探討核心尺寸CdTe/ZnS 量子點不同時,最終的實驗結果,具體如表3所示。

表3 基于殼層厚度的CdTe/ZnS非線性光學特性結果

探討基于厚度的CdTe/ZnS 量子點特征,研究結果顯示:在核心尺寸減小的情況下,非線性吸收特性有所增加,綠色、黃色、橙色表現有所差異。較為典型的研究時點為包殼30 min 狀態下,非線性折射率的變化情況。包殼1 h時,核心尺寸的綜合影響表現不明顯。綜合分析可見,核心尺寸是重要的影響因素之一,殼層厚度容易影響CdTe/ZnS 量子點的折射特性、吸收特性,主要體現為折射率、吸收系、極化率等。

生成黃綠色的CdS 后,研究反應生成CdS/ZnS 的Core/Shell 結構,單純從宏觀上觀察,顏色變化不大,從外部狀態上難以直接判定是否形成CdS/ZnS 結構。主要是由于雖然生成的納米CdS 粒子吸收了大量的光譜藍移,但是主要分布在可見光區,因此在顏色顯示上結合粒徑大小,表現出由黃至藍綠的狀態,體相ZnS 吸收光譜則處于紫外區,此時構成納米ZnS 粒子,雖然吸收光譜藍移,但是在外在表現上依然呈現出白色。結合ZnS/CdS 的結構工藝過程,分析制造過程是否有利于形成Core/Shell 結構。一旦形成ZnS 核后溶液與無色狀態表現較為接近,則加入乙酸鎘AOT/正庚烷溶液,并通入H2S 氣體,此時溶液顏色保持不變,未出現綠色CdS 粒子,初步判斷生成以ZnS 為核,CdS為殼的Core/Shell 結構,但是進一步分析并未生成CdS粒子或者只生成極少。因此,結合ZnS、ZnS/CdS 紫外可見吸收光譜進行分析,ZnS 原吸收峰264 nm 呈現明顯弱化現象,吸收峰則紅移到322 nm。結合CdS 吸收光譜情況,將正庚烷、CdS 以1∶1 的比例稀釋處理,否則短波難以正確顯示吸收值,若稀釋過多,特征閾值則表現不明顯。

肩峰為383.5 nm、3.23 eV,合成1.5~3.5 nm 納米粒子。結合ZnS 吸收光譜,得出粒徑約為2.0 nm,有效質量模型為2.0 nm,激子吸收使得特征峰不明顯,進一步驗證了Core/Shell 結構,結合圖譜顯示未出現明顯的吸收紅移現象,主要是由于吸收光譜均是正庚烷/AOT溶液中12 h后得出。結合既有研究成果,AOT/正庚烷體系合成ZnS 納米粒子,粒徑在18~22 nm,CdS/ZnS 具備較為穩定的物理化學穩定性,因此得出Core/Shell 結構中Core并非小于12 h后CdS粒子。結合Cd0.5Zn0.5S,ZnS寬度3.66 eV,體相CdS禁帶寬度2.5 eV,體相Cd0.5Zn0.5S約3.08 eV,對于形成納米粒子,激子吸收能量高于CdS、CdS/ZnS。

結合納米粒子放大10 萬倍、15 萬倍TEM 圖譜,大的粒子直徑約為10~18 nm,小的粒子直徑約2~3 nm,可見針對反膠團制備納米粒子,粒徑較小,大的粒子含量未超過5%,小粒子團聚,在反應過程中生成帶有-OH的中間產物,由于具有兩親性,因此容易被束縛于微乳滴界面膜,因此在微乳滴內部與微乳滴之間也存在時聚集反應,最終生成具有一定大小的粒子聚集體。

2.3 CdTe/ZnS飛秒瞬態吸收分析

探討殼層材料的影響,為了對此進行深入研究,針對CdTe/ZnS 開展測試,樣品池厚度2 mm,單脈沖能量5 nJ,τ1為2.34 ps,τ-rise為0.48 ps,τ2為58.74 ps。

對最終研究結果進行綜合分析,在1 h相同的測試時間下,研究CdTe/ZnS 量子點擬合參數結果,樣本S2τ-rise0.34 ps,τ218.42 ps,具體如表4所示。

表4 CdTe/ZnS量子點擬合參數結果表格

研究顯示:包殼時間一致時,CdTe/ZnS慢過程τ2表現不明顯。顯示電子束縛中與復合時間超過CdTe/ZnS,核心與殼層分界面的載流更加緩慢有利于延長激子使用壽命。

2.4 基于激光能量的CdTe/ZnS的吸收情況研究

綜合探討激光能量的CdTe/ZnS 瞬態吸收狀態,測試樣品為光物理特性較好的S5,樣品池厚度2 mm,單脈沖能量4~6 nJ,對數據進行擬合分析,融入S5樣品在5 nJ 能量下的分析結果,單脈沖能量與τ-rise、τ2呈反比關系,與τ1呈正比關系。探討電子表面束縛復合速度情況,核心與殼層分界面載流子降低,具有更長的激子壽命。CdTe/ZnS核心電子與單脈沖能量呈反比關系。

開展瞬態吸收光譜測試,實驗測試結果得出CdTe/ZnS量子點存在基態漂白,隨著延遲時間的變化,漂白峰紅移,延遲時間為0.2 ps情況下,漂白峰左側位置出現泵浦光誘導吸收現象,長波長范圍的吸收帶表現較為明顯。構建0.2~12 ps時間內的基態漂白表現狀態,綜合探討量子點激子復合情況,對量子點特征進行分析,長波長范圍吸收帶明顯增強,此即完成熱能的轉換[5]。樣品擬合參數梳理結果如表5所示。

表5 CdTe/ZnS總體量子點擬合參數結果表格

對表5 數據進行綜合分析,可見上升至漂白最強點的時間與殼層厚度呈正比關系,電子空穴分離時間超過復合時間,時間與殼層厚度呈正比關系。包殼時間下CdTe/ZnS 慢過程τ2表現不明顯。單脈沖能量增加時,τ-rise與τ2有所減小,τ1數值增加,CdTe/ZnS核心表面俘獲的電子速度呈現出一定的變化。τ-rise與殼層厚度呈正比關系,τ1與殼層厚度呈正比關系,S1~S3 表現較為明顯,與核心尺寸與τ1呈正比關系,表現較為明顯的為S1、S4、S6。τ2與殼層厚度呈正比關系,S1~S3表現較為明顯。殼層較薄時,表面俘獲電子。殼層厚度增加過程中,核心電子轉移表現明顯,電子分布增加,主要原因為核心和殼層分界面的載流子弛豫,使得快慢時間變長[6]。

3 結語

實驗LS55 熒光光譜儀、SHLS 加熱套、UV-2500 紫外-可見光譜儀,并制備CdTe/ZnS量子點,將500 mL去離子水加入1 000 mL三口瓶內,將0.310 mL巰基乙酸,上升至漂白最強點的時間與殼層厚度呈正比關系,顯示電子空穴分離時間超過復合時間,該時間與殼層厚度呈正比關系。研究顯示相同包殼時間下CdTe/ZnS慢過程τ2表現不明顯。單脈沖能量增加的情況下,τ-rise與τ2有所減小,τ1數值則增加。顯示電子復合速度加快,研究S5 樣品在5 nJ 能量下的分析結果,單脈沖能量與τ-rise、τ2呈反比關系,CdTeZnS 核心電子與單脈沖能量呈反比關系。τ1與殼層厚度呈正比關系,S1-S3表現較為明顯,τ2與殼層厚度呈正比關系,S1-S3 表現較為明顯。

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