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高頻變壓器導(dǎo)通電流高速采集系統(tǒng)的研究與設(shè)計

2024-04-20 17:09:56王南楊晨田相鵬
電子制作 2024年7期
關(guān)鍵詞:變壓器系統(tǒng)

王南,楊晨,田相鵬

(恩施州紅巖寺微波站,湖北恩施,445000)

0 引言

高頻變壓器作為開關(guān)電源中關(guān)鍵的器件之一,對電源的安全、穩(wěn)定運行具有重要作用,其中高頻變壓器的導(dǎo)通電流數(shù)據(jù)作為表征高頻變壓器安全運行的主要參數(shù),對高頻變壓器的導(dǎo)通電流數(shù)據(jù)采集和分析具有重要作用。目前對高頻變壓器運行情況(主要是否飽和情況)進行測量與判斷的方法主要是用示波器觀測電流波形[1~2],或者給高頻變壓器添加偏置電流再測量電感[3~4],根據(jù)電感量來判斷是否飽和,這種定性的觀測方法準(zhǔn)確度較低。文獻[5]采用了自動測量方法來評估高頻變壓器的電參數(shù),但主要用來評估溫升直流損耗,對是否飽和無法評估。因此,有必要對電流數(shù)據(jù)進行采集,以便精確地分析高頻變壓器的關(guān)鍵電參數(shù),比如飽和電流、伏秒容量、飽和電感等。由于高頻變壓器的導(dǎo)通電流上升速度非常快,需要采用高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)配合精確的H 橋控制邏輯,才能實現(xiàn)對電流數(shù)據(jù)的采集。因此,本文在已有基礎(chǔ)上[6],運用FPGA、高速ADC和SOPC 技術(shù),進一步提高采樣率,實現(xiàn)了最高20MSPS的采樣速率,而且對電路及結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,比如在FPGA中增加了死區(qū)時間產(chǎn)生器,更改了用74 芯片設(shè)計的邏輯保護電路等,為后續(xù)對高頻變壓器電參數(shù)的分析與測試具有重要的作用。

1 總體設(shè)計方案

如圖1 所示為本文提出的基于SOPC[7~8]的高頻變壓器導(dǎo)通電流采集系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。整個系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分為兩個部分:一是FPGA 內(nèi)部邏輯電路,主要模塊電路有:NIOSII 處理器電路、自定義IP 核電路和對外接口電路,這部分電路是運用Verilog 開發(fā)的數(shù)字控制邏輯電路。二是FPGA 外部電路,該部分電路主要有3 個部分構(gòu)成:H 橋驅(qū)動電路、ADC 隔離采樣電路和電源電路。

圖1 系統(tǒng)整體架構(gòu)示意圖

FPGA 內(nèi)部電路主要是數(shù)字邏輯電路。NIOSII 處理器電路是一個能讓NIOSII 運行的最小系統(tǒng)電路。對外接口邏輯電路主要是基于Uart 通信的串口屏顯示和上位機軟件,通過外接顯示屏可以實時顯示采樣到的電流波形,也可以連接上位機軟件將電流數(shù)據(jù)發(fā)送到上位機。自定義IP 核是本文的核心控制邏輯電路,該電路實現(xiàn)H 橋控制邏輯與ADC 數(shù)據(jù)采樣的同步精確控制,即當(dāng)H 橋打開給高頻變壓器施加激勵時,ADC 驅(qū)動電路要同步進行數(shù)據(jù)存儲;當(dāng)H 橋關(guān)閉時,ADC 驅(qū)動電路要同步進行關(guān)閉;當(dāng)采樣完成后還需要給NIOSII 處理器發(fā)送采樣完成信號。

FPGA 外部電路中,H 橋驅(qū)動電路運用光耦隔離,實現(xiàn)低壓的邏輯電路與大電流的H 橋電路隔離,保障低壓控制電路的安全、穩(wěn)定運行。ADC 采樣電路主要包含一個隔離運放和ADC 采樣電路,隔離運放的作用和光耦類似,也是實現(xiàn)大電流的H 橋電路與低壓的弱電電路隔離,同時隔離運放還起到一個濾波和放大的作用,由于隔離運放[9]對高頻信號具有很好的濾波效應(yīng),在本系統(tǒng)的應(yīng)用中將極大地減小了導(dǎo)通電流的高頻干擾。電源電路分為兩部分,一個是給H 橋供電的24VDC/20A 的大電流電源,一個是給低壓控制電路供電的輔助電源,輔助電源部分均采用隔離電源,從而實現(xiàn)低壓控制電路與大電流的H 橋測量電路電氣隔離。

2 硬件電路設(shè)計

硬件電路主要包含三個部分:H 橋驅(qū)動電路、高速ADC 采樣電路和FPGA 內(nèi)部邏輯控制電路。H 橋電路實現(xiàn)對待測的高頻變壓器施加激勵信號;高速ADC 電路實現(xiàn)電流信號的高速采樣,通常開關(guān)電源PWM 的時鐘都在幾十或者幾百kHz,有的甚至達到MHz 級別,即電感充放電的時間在幾十或者幾百μs,因此需要用到高速ADC 來實現(xiàn)信號采集;由于傳統(tǒng)的單片機無法實現(xiàn)高速ADC 接口設(shè)計,因此本系統(tǒng)需要運用FPGA來實現(xiàn)高速ADC的控制與信號采集。

2.1 H 橋驅(qū)動電路

控制信號從FPGA 的引腳發(fā)出,經(jīng)過光耦隔離后,到達MOS 驅(qū)動芯片。光耦選擇高速光耦芯片TLP2362。MOS 驅(qū)動H 橋電路如圖2 所示,驅(qū)動芯片選擇IR2110S 芯片,該芯片為雙路驅(qū)動芯片,可同時驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)的MOS 管。當(dāng)驅(qū)動端口HL+和HR-為高電平,HL-和HR+為低電平時,MOS 管Q1 和Q4 導(dǎo)通,Q2 和Q3 截止,待測高頻變壓器導(dǎo)通,導(dǎo)通電流從零開始逐漸增加,采樣電阻R24 和R25 上電壓從零開始上升;當(dāng)驅(qū)動端口HL+和HR-為低電平,HL-和HR+為高電平時,MOS 管Q1 和Q4 截止,Q2 和Q3 導(dǎo)通,待測高頻變壓器被施加反向電壓,導(dǎo)通電流逐漸減小,采樣電阻R24 和R25 上電壓逐漸減小。電阻R37 和R38 是在MOS 管處于打開與關(guān)斷的死區(qū)電壓時間段,為高頻變壓器提供一個能量釋放通道。通過ADC 檢測采樣電阻R24和R25 上的電壓值就可以計算得到高頻變壓器的導(dǎo)通電流值。

圖2 H 橋驅(qū)動電路

2.2 電流采樣電路

電流采樣電路如圖3 所示,該電路為ADC 采樣電路的信號處理部分,主要功能是對高頻變壓器的電流信號進行濾波與放大處理。本系統(tǒng)中考慮了低壓弱電部分與大電流的H 橋部分的電氣隔離,因此ADC 采樣電路部分采用了隔離運算放大器電路。隔離運算放大器采用芯片AMC1200,該芯片具有獨特的線性、高輸入共模抑制、低直流誤差低溫漂,另外該芯片具有很好地濾除高頻噪聲的能力,而且自帶放大8 倍的效果,非常適合電流采樣中的小信號高噪聲信號處理。本系統(tǒng)中AMC1200 的輸入方式為單端輸入,由于AMC1200 的輸出是差分信號,因此,需要用運放UD1A 將差分信號轉(zhuǎn)換為單端信號,該信號再通過一個簡易的RC 濾波器后得到信號ADC_LI,然后將該信號接到高速ADC 的模擬輸入引腳。

圖3 電流采樣電路

高速ADC 芯片選擇恩瑞浦公司生產(chǎn)的3PA1030,是一款恩瑞浦推出的單電壓芯片,10 位,50MSPS(Million Samples Per Second,每秒采樣百萬次)模數(shù)轉(zhuǎn)換器,本系統(tǒng)中由于需要考慮到FPGA 內(nèi)部電路狀態(tài)切換,目前采樣率只設(shè)計為20MSPS。

2.3 FPGA 內(nèi)部電路

如圖4 所示為FPGA 內(nèi)部電路設(shè)計。主要包含NIOSII處理器、采樣控制自定義IP 核電路、Uart 通訊模塊、SDRAM 控制器和EPCS flash 控制器等。其中自定義IP 核電路包含ADC 模塊驅(qū)動電路、采樣控制邏輯、H 橋控制電路和雙端口RAM 存儲電路,其中采樣控制包含總線接口、采樣控制狀態(tài)機和H 橋驅(qū)動狀態(tài)機。Uart1 連接串口屏,實現(xiàn)人機交互;Uart0 連接電腦的串口助手,用于將采樣數(shù)據(jù)發(fā)送到上位機;自定義IP 核電路負責(zé)協(xié)調(diào)ADC 驅(qū)動控制、H 橋控制和雙端口RAM 對ADC 高速采樣數(shù)據(jù)的存儲,同時,也負責(zé)把采集到的數(shù)據(jù)通過Avalon-MM 總線發(fā)送給NIOSII處理器。

圖4 FPGA 內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)圖

本系統(tǒng)中應(yīng)用雙端口RAM 實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存,因為高速ADC 采樣速率很高(20MSPS),高速率的數(shù)據(jù)無法實時傳輸給NIOSII 處理器。因此,在數(shù)據(jù)采樣過程中,將數(shù)據(jù)臨時存儲在雙端口RAM 中,當(dāng)數(shù)據(jù)采集完成后,NIOSII 處理器再從雙端口RAM 中讀取數(shù)據(jù)即可。

FPGA 內(nèi)部的各個IP 核電路,運用quartusII 內(nèi)的Platform Designer 工具來進行連接集成。其中Nios II 處理器是Qsys 系統(tǒng)中最為核心的一個IP 核,它是系統(tǒng)的調(diào)控中心,負責(zé)中斷分配、地址管理、內(nèi)存調(diào)度等控制任務(wù)。Nios II 和各個外設(shè)控制器之間通過Avalon 總線通信。

3 軟件設(shè)計

軟件設(shè)計分為兩個部分,一個是自定義IP 核的運行流程,需要說明的是,該運行流程不是嚴格意義的“軟件”,該部分執(zhí)行機構(gòu)是用Verilog 設(shè)計的數(shù)字電路。另一個部分是在NIOSII 處理器中運行的C 語言代碼設(shè)計。

3.1 自定義IP 核運行流程

如圖5 所示為自定義IP 核狀態(tài)機的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖,在上電后默認情況處于初始狀態(tài);當(dāng)狀態(tài)機收到NiosII 處理器發(fā)出的開始采樣命令后,狀態(tài)機轉(zhuǎn)到開始采樣前半周狀態(tài);在采樣前半周狀態(tài),H 橋開始動作,高頻變壓器充電,ADC采樣有效,開始數(shù)據(jù)采樣;當(dāng)采樣數(shù)據(jù)達到設(shè)定值時,轉(zhuǎn)到死區(qū)時間生成狀態(tài);在死區(qū)時間生成狀態(tài),H 橋處于關(guān)閉狀態(tài),防止H 橋的上下半橋同時導(dǎo)通,造成MOS 開關(guān)管燒毀,死區(qū)時間完成后進入開始采樣后半周狀態(tài);在采樣后半周狀態(tài),H 橋切換,高頻開關(guān)電源放電,當(dāng)采樣數(shù)據(jù)達到設(shè)定值時,采樣結(jié)束,狀態(tài)機轉(zhuǎn)入采樣完成狀態(tài)。在采樣完成狀態(tài),samper_ok 信號輸出高電平,指示采樣完成,NiosII 采樣到該信號為高電平時,開始在雙端口RAM 中讀取數(shù)據(jù),當(dāng)數(shù)據(jù)讀取完成后,NiosII 處理器給寄存器sp_start_reg 寫入0x00,狀態(tài)機轉(zhuǎn)入初始狀態(tài),以備下一次測量。

圖5 自定義IP 核運行狀態(tài)機狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖

H 橋的輸出是根據(jù)控制邏輯的狀態(tài)變量來實現(xiàn)的,即在初始狀態(tài)和采樣完成狀態(tài)H 橋的HL+、HR-、HL-和HR+均為低電平,此時待測電感處于關(guān)閉狀態(tài);在開始采樣前半周狀態(tài)時,HL+和HR-為高電平,HL-和HR+為低電平;在采樣后半段狀態(tài)時,端口HL+和HR-為低電平,HL-和HR+為高電平。另外由于驅(qū)動芯片IR2110S 無死區(qū)電壓保護機制,需要用FPGA 邏輯來產(chǎn)生一個死區(qū)時間,因此在開始采樣前半周完成后,需要進入死區(qū)時間生成狀態(tài),在該狀態(tài)下,H 橋的HL+、HR-、HL-和HR+均為低電平。

3.2 NIOSII 軟件設(shè)計

本系統(tǒng)中采樣與算法計算需要的時間相對較長,輔助功能中的LED 指示燈需要較長時間的延時,而與串口屏的通信的實時性要求較高。可以看到每個功能模塊對時間的延時不相同,為了簡化應(yīng)用程序的編程,本系統(tǒng)采用ucOS 操作系統(tǒng)來實現(xiàn)。設(shè)計了3 個任務(wù),分別是電流采樣、串口屏通信和輔助功能。

如圖6 所示為電流采樣的軟件流程圖。上電后,進行系統(tǒng)初始化。然后系統(tǒng)就一直監(jiān)測Uart屏上的開始測量按鈕是否被按下,當(dāng)開始測量按鈕被按下時,系統(tǒng)開始測量,首先會給自定義IP 核發(fā)送參數(shù)(采樣間隔時間和采樣數(shù)據(jù)量),然后再給自定義IP 核發(fā)送開始測量命令0xaa,此時自定義IP 核會輸出開關(guān)管的開啟與關(guān)閉邏輯,同時進行高頻變壓器電感電流數(shù)據(jù)的采樣,并存儲在自定義IP 核內(nèi)的雙端口RAM 中。然后軟件會一直查詢自定義IP 核是否采樣完成,當(dāng)采樣完成后,讀取雙端口RAM 中的采樣到的電流數(shù)據(jù),當(dāng)數(shù)據(jù)讀取完成后,軟件給自定義IP 核發(fā)送結(jié)束采樣命令0x00。最后進行電流數(shù)據(jù)處理。

圖6 NIOSII 處理器內(nèi)電流采樣流程圖

4 實驗效果

本系統(tǒng)的FPGA 最小系統(tǒng)模塊和高速ADC 模塊選擇正點原子的EP4CE10 最小系統(tǒng)板和雙路高速AD 模塊。搭建的硬件測試平臺如圖7 所示。在測量電流時,采樣間隔固定的設(shè)置為0.1μs(最高可實現(xiàn)0.05μs),根據(jù)設(shè)定采樣數(shù)據(jù)量,即可控制給高頻變壓器施加激勵的時間,通常來說,隨著施加激勵的時間逐漸增加,高頻變壓器會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象,此時電流曲線斜率會快速增加,形成突變波形。

圖7 系統(tǒng)硬件實物圖

如圖8 所示為在上位機上收到的電流數(shù)據(jù),可以看到,當(dāng)給高頻變壓器施加激勵的時間為50μs 時,電流曲線的斜率總體是線性的(也有微小的波動);當(dāng)激勵時間加到65μs時,可以看到曲線在末尾段,明顯出現(xiàn)斜率突增的情況,可以根據(jù)這個特性來判斷高頻變壓器是否飽和,也可以根據(jù)施加激勵的電壓和時間來精確計算高頻變壓器的容量、飽和電流等參數(shù),為高頻變壓器的電參數(shù)評估起到重要作用。

圖8 上位機采樣到的電流數(shù)據(jù)

5 結(jié)論

本文設(shè)計的基于SOPC 的針對高頻變壓器導(dǎo)通電流高速測量系統(tǒng),實現(xiàn)了對導(dǎo)通電流的精確測量。通過對導(dǎo)通電流的測量,可以精確評估和計算高頻變壓器的飽和電流、伏秒容量等參數(shù),對開關(guān)電源設(shè)計和安全運行評估具有重要的指導(dǎo)意義。本系統(tǒng)目前可實現(xiàn)最低0.05μs 的采樣間隔,最大實現(xiàn)20A 的導(dǎo)通電流測量,滿足小功率開關(guān)電源的設(shè)計驗證需求。后續(xù)還將進一步升級優(yōu)化,實現(xiàn)更快速更大電流容量的測量系統(tǒng)。

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