非平衡磁子體系實現零反射態的拓撲編織

復旦大學物理系安正華研究團隊在非平衡物理體系的譜拓撲研究中取得重要進展。相關成果發表于《自然.物理》（Nature Physics）。研究團隊提出了一種等效哈密頓量，即散射哈密頓量，區別于散射極點的共振哈密頓量，散射哈密頓量的本征值對應于其他散射奇異點，如零反射、零透射等。將散射哈密頓量應用于具有代表性的單端口微波散射系統，其本征值描述的是系統的無反射態。通過調諧從源處注入系統的“輻射增益”與損耗的平衡，不僅實現了在相干操控下磁子系統的能態拓撲編織，為非平衡物理體系的能帶及物態調控提供了重要的指導意義，同時還為非厄米調控的磁子器件等提供了新的思路。