ＲＦ磁控濺射法在Ｓｉ襯底上生長ＺｎＯ薄膜界面的ＸＰＳ研究
2003-04-29 15:31:05李萬程張源濤杜國同楊樹人王濤
吉林大學學報(理學版) 2003年4期
關鍵詞：界面
李萬程 張源濤 杜國同 楊樹人 王 濤
提要：采用RF磁控濺射方法在Si襯底上生長ZnO薄膜．XRD測量結果表明，ZnO薄膜為c軸擇優取向生長的．對ZnO薄膜進行了XPS深度剖析及測試．測試結果表明，在未達到界面時ZnO均符合正化學計量比，是均勻的單相膜，表明該方法具有較好的成膜特性．在界面處，Zn的俄歇修正型的化學位移及俄歇峰峰型的變化、Zn2p3/2與ZnLMM峰積分面積比值的變化、Si2P峰的非對稱性，均表明Si與ZnO的界面處有明顯的成鍵作用．在界面處，n型Si反型為p型．
關鍵詞：薄膜；XPS；界面
中圖分類號：078l
文獻標識碼：A
文章編號：167l—5489(2003)04—0493—04
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