
電子信息材料是指在微電子、光電子技術和新型元器件基礎產品領域中所用的材料,主要包括單晶硅為代表的半導體微電子材料;激光晶體為代表的光電子材料;介質陶瓷和熱敏陶瓷為代表的電子陶瓷材料;釹鐵硼永磁材料為代表的磁性材料;光纖通信材料;磁存儲和光盤存儲為主的數據存儲材料;壓電晶體與薄膜材料;貯氫材料和鋰離子嵌入材料為代表的綠色電池材料等。這些基礎材料及其產品支撐著通信、計算機、信息家電與網絡技術等現代信息產業發展。
近年來,電子信息材料總體發展趨勢向著大尺寸、高均勻性、高完整性,及薄膜化、多功能化和集成化方向發展。當前的研究熱點和技術前沿包括柔性晶體管、光子晶體、SiC、GaN、ZnSe等寬帶半導體材料為代表的第三代半導體材料、有機顯示材料及各種納米電子材料等。
異惡唑-偶氮基-二酮類金屬偶氮螯合物
關鍵詞:金屬偶氮螯合物 偶氮基 異惡唑 藍光 生產工藝
項目簡介:該專利是一種異惡唑-偶氮基-二酮類金屬偶氮螯合物及其制備方法。該物質是含有4,5-二取代異惡唑-偶氮基-β-二酮類金屬偶氮螯合物,其分子結構通式中的N代表氮;R1和R2既可相同也可不同,分別代表氫、甲基、乙基、叔丁基等1~10個碳原子數的直鏈或支鏈烷基基團;R3和R4既可相同也可不同,分別代表甲基、乙基、叔丁基等1~4個碳原子數的直鏈或支鏈烷基基團,或多氟烷基,或取代的亞胺基苯基,或取代的苯基,或雜環基;M為金屬,如鎳、銅、錳、鋅、鈷等。該物質可望用于藍光可錄光盤存儲材料。
高密度光盤存儲技術
關鍵詞:光盤 高密度存儲材料 金屬有機材料
項目簡介:“新型高密度存儲材料的技術的基礎研究”,通過了中科院組織的專家驗收。專家們對該項目所取得的具有創新性和突破性的研究成果給予了高度評價。高密度可錄DVD光盤(DVD-R)是在獲得2000年國家科學技術進步獎二等獎可錄CD(CD-R)光盤多項技術的基礎上又取得的新發展。高密度DVD-R光盤7倍容量,相當于2800張1.44MB軟磁盤。科研人員成功地合成了用于DVD-R的新型金 屬有機材料,并用獨立自主開發的制盤工藝制成了性能達到國際標準的DVD-R樣盤,在國內是首創,為DVD-R產業化打下堅實基礎。
目前該項目繼早期發現酞菁的LB膜中存在著 一種熱致相變過程,用工藝簡單、快捷的旋涂膜技術取代復雜的LB膜技術,并觀察到可逆相變現象,實現了30多次寫、擦循環,開創了可擦重寫光盤的新途徑,屬國際領先水平。
該項研究所取得的成果大大提高了中國光存貯科學技術的研究和開發水平。
電腦防護屏
關鍵詞:玻璃 鍍膜 防輻射材料 屏蔽材料
項目簡介:采用簡單的熱蒸發工藝在浮法平板玻璃上蒸鍍金屬-介質薄膜的電腦防護屏,在可見光區域的表面平均反射率低于4%,透射率為40%左右。可以避免電磁波對人體的輻射損傷,保護視力,具有良好的市場前景。生產設備以采用具有二次蒸發的1.5×2m2的熱蒸發幕墻玻璃鍍膜設備改造為宜。設備投資如購買舊設備改造,則總投資額約為40萬元左右,如購買新設備,約為80萬元左右。生產廠房面積約600平方米,電力200千瓦(平均功率低于100千瓦),每面操作工人約10人。
該項目成本和利潤分析如下:產品:30×250cm2電腦防護屏玻璃;月產量:80片/爐×20爐/日×20日/月=32000片;月產值:32000片×40元/片=128萬元;年利潤約達500萬元左右。
光折變存儲材料及應用

關鍵詞:雙摻鈮酸 多波長讀寫光存儲器 光存儲器 三維光存儲器
項目簡介:研制成功光折變三維光子海量存儲材料雙摻鈮酸鋰晶體及其(固定式)存儲器,發現了光散射光強閾值效應、紫外光折變增強效應等新效應和機制,有效地用于三維光子存儲器的研制中,首次研制成功多波長讀寫的海量(固定式)光子存儲器,其信息存儲壽命超過20年,達到國際先進水平。目前正與多方共同努力推動該項目向產業化方向快速發展,其中晶體生長的產業化發展已有突破性進展,可望在今年實現其產業化,三維光子存儲器也已與廠家簽訂聯合共同開發協議,可望在近幾年內實現其產業化。因此,它將作為下一代的主流存儲設備,廣泛地用于航空航天業、股票和期貨、多媒體工作站、三維圖像處理技術、影視業等行業,應用前景非常廣闊,市場容量巨大。
光存儲材料及應用
關鍵詞:三維光存儲材料 鈮酸鋰晶體 非線性光學晶體 光存儲器
項目簡介:首次在國際上發現光折變光散射光強閾值效應等新效應,并以此為基礎,開發出高衍射效率、快光折變響應、強抗光散射能力及雙摻鈮酸鋰晶體,研制成功三維全息光子存儲器原理樣機,同時,實現了計算機的接口。鑒定成果達到國際先進水平,現已申報專利4項。
鐵電薄膜研制
關鍵詞:鐵電薄膜 鈦酸鋇
項目簡介:利用溶膠凝膠法在單晶硅片上,制備出了組織均勻致密的鈦酸鋇薄膜,通過原材料的優化,使鈦酸鋇薄膜的形成溫度比目前常用的原料降低約200℃,不僅縮短了薄膜的制備周期,而且使基片的選擇范圍大大拓寬。本研究制備的薄膜厚度約為0.150μm,折射率為1.9,在10KHZ的測試頻率下,ε=40,tanδ=0.13。項目創新:利用二乙基己酸鋇代替醋酸鋇為原料,使薄膜的熱處理溫度明顯降低。
主控程序與電子態分析程序
關鍵詞:軟件系統 主控程序 微觀設計
項目簡介:該系統的主控程序采用C語言自行設計編寫,由用戶界面、數據輸入輸出、公共數據庫、計算和結構三維顯示五個子模塊組成,其中結構三維顯示模塊引用DTMM目標模塊。電子態分析程序由從頭算,CNDO、EHMO計算程序三個子模塊組成。經標準算例驗核、程序運行準確可靠。該軟件系統數據輸入手續簡單,安裝使用方便,可移植,亦可修改和擴充,是原子分子水平上進行材料微觀結構與性質理論預測的有力工具。
變體材料及相關技術研究
關鍵詞:磁流變體材料 智能減速器 流體材料
項目簡介:該項目以解決汽車智能減振器項目研制中所急需的關鍵智能流體材料和研究該流變體的流變學規律。研制的磁流變體樣品在重慶大學智能減振器研制應用中獲得初步理想效果,磁場下的阻尼力比值達到美國Lord公司減振器水平,且獲得理想的阻尼力-速度曲線;建立了較穩定的小批量試制工藝和較為合理的性能評價方法。
氧敏感發光材料研究
關鍵詞:高靈敏度 氧敏感發光材料 熒光熄滅氧傳感器
項目簡介:該高靈敏度氧敏感發光材料由高靈敏度氧敏感發光物質經常規的固定化技術,固定在一定的無機或有機固體材料表面而獲得。其中,高靈敏度氧敏感發光物質包括金屬釘絡合物、金屬鋨絡合物、金屬鉛絡合物、金屬鉑和鈀絡合物、金屬金絡合物、金屬錸絡合物、過渡金屬卟啉絡合物。一定的無機或有機固體材料是指硅膠、離子交換樹脂、難溶金屬氧化物、陶瓷材料、多孔硅、玻璃,以及可以吸附或鍵合這些物質的有機或無機高聚物。
光纖傳感敏感材料生產及應用
關鍵詞:敏感材料 光纖傳感器 光纖材料 精密組裝 顯微加工
項目簡介:光纖傳感技術是新一代傳感技術,是現代工業發展的重要技術基礎。隨著新材料和光電子技術的發展,促進了光纖傳感技術成為當代迅速發展的高新技術領域。光纖傳感新材料、光纖材料的精密加工及其元器件的制備新技術是實現光纖傳感器規模化生產及應用的核心關鍵技術,是世界各國科學工作者研究的難點和熱點。
光纖傳感技術是集材料、傳感、光電子、物理、化學、計算機等多學科、多種技術于一體的新技術。光纖傳感器是通過敏感材料、光纖元器件等所組成的光電系統進行光學特性的傳感(非電學特性傳感),與傳統的電類傳感器相比,實現了調制、傳輸、檢測全過程的現場非電檢測。因此,它具有對電絕緣、本質防爆、抗電磁干擾,高精度、高可靠、可遠程測量等特點,可直接在易燃、易爆、高溫、高壓、腐蝕性氣氛、核輻射等等惡劣環境下安全操作使用。
該項目發揮本單位多學科和技術優勢,經大量的試驗研究,攻克了光纖傳感器規模化生產必需的光纖傳感探頭敏感材料制備技術、光纖傳感元件集成設計與光纖材料的顯微加工技術、專用光電子器件設計與制備技術以及精密組裝與質量保障技術等一系列關鍵技術,掌握了一套擁有自主知識產權的規模化生產技術。建設了國內能規模化生產系列光纖傳感器的生產基地,已批量生產光纖溫度類傳感器、光纖光柵傳感器、光纖閥位回訊器、光纖液位類傳感器及專用光電子器件等系列產品。根據國家驗收鑒定評定,其關鍵技術的水平達到國際先進水平。其產品已在全國16個省市、近十個行業的60余家大中型企業推廣應用,武工大1999年以來創直接經濟效益3500萬元以上,為企業直接節支億元以上,節匯125萬美元,并開始出口創匯。
該項目成果打破了國外技術封鎖和市場壟斷,國內依賴進口的局面,大大增強了國際競爭力;對推動我國光纖傳感技術的發展和促進相關工業的技術進步具有重要意義。
熱磁敏感功能材料

關鍵詞:熱磁敏感功能材料 輸電線路 防除冰材料
項目簡介:該專題是針對輸電線路嚴重覆冰導致斷線、倒塔桿,給國民經濟和人民生活造成巨大損失和不便,而開展的研究工作。
考核指標:材料Bs(20℃)≥0.4T,Tc≤80℃材料復鋁后20℃時的發熱值Q≤5w/kg,-5~0℃時≥14w/kg應用指標為有效防止冰災。主要研究了輸電線路防除冰材料,它是Fe-Ni-Cr-Mn-Si-Cu系低Tc,高Bs合金,可達到Tc<80℃,Bs>0.4T指標。用此合金線材采用旋壓法或快速熱鍍法復鋁(復鋁層厚度為25%~40%),以螺旋形式纏繞在輸電線路上,經現場試驗有明顯的防除冰效果。
為配合研究工作,設計和制造了物理模擬的單重發熱值測量裝置,該裝置通過了北京市儀器儀表產品質量監督檢驗站的鑒定,對復鋁-輸電線表層交互作用的研究表明,復鋁的熱磁敏感材料適合做輸電線的防除冰材料,它們之間不產生電化學腐蝕。
軟磁材料技術開發調研
關鍵詞:超微晶 軟磁材料 開發調研
項目簡介:該材料既具有鐵基非晶材料飽和磁化強度高,又具有鈷基非晶磁導率高的特點,是軟磁材料發展的突破,其應用價值極高。
該調研報告是在查閱100余萬字(其中日本發明專利申請公開73件) 原始資料基礎上,對超微晶軟磁材料的理論、生產工藝等進行了定性、定量系統的分析、比較及綜合而成的。報告詳細介紹了日本超微晶發明專利系列內容及其材料的生產工藝特征和性能特點。這些資料對我國超微晶軟磁材料的開發應用具有重要的參考價值。本調研報告還特別指出,對具有較大商業價值的超微晶材料的開發及應用應注意專利保護問題。
永磁特性研究
關鍵詞:不銹鋼 永磁特性 不銹鋼永磁材料
項目簡介:該項目的主要目的就是通過實驗研究開發出一類耐蝕可變形永磁材料。該項目從永磁材料的磁硬化機理出發,結合某些Fe-Cr-Ni系奧氏體不銹鋼在特定狀態下的相變特點,系統地研究了Fe-Cr-Ni系合金的成分、冷變形量、熱處理等工藝參數,組織結構與永磁性能之間的變化規律,發現在相當寬的成分范圍內合金具有永磁特性。在此基礎上研制開發出了具有永磁性能、良好的韌性、彈性及不銹耐蝕性能的新型不銹永磁功能材料。
晶態及非晶態軟磁鐵芯
關鍵詞:軟磁鐵芯 磁芯 非晶態磁芯 晶態磁芯 軟磁材料
項目簡介:晶態及非晶態軟磁鐵芯是新型電子器件及儀器儀表中不可缺少的部件,由于其具有性能高、重量輕、體積小的優點,目前被廣泛應用在航空、航天、通訊、交通及家電等領域,是現代國防、工業生產及人民生活不可缺少的一種電磁交換器件。在現代國防建設中,性能優異、穩定的晶態軟磁鐵芯已成為雷達、制導、電子對抗等方面的重要器件。
該次選擇的代表項目是近年授權的一種“磁補償式霍爾電流傳感器用非晶磁芯制法”成果,其特點是針對性強,性能穩定、可靠,在研制方法上有創新。
釹鐵硼等永磁材料

關鍵詞:釹鐵硼永磁材料 燒結成型 稀土永磁材料
項目簡介:釹鐵硼等永磁材料是一類高性能永磁體材料,主要用于高性能電機、高磁能級磁體的制作,是國防軍工、儀器儀表、能源交通及攻療設備制造中的重要材料,尤其是釹鐵硼永磁材料是一種新型永磁材料,它依托中國稀土儲藏豐富的特點,具有很強的發展勢頭。上述材料可按用戶使用要求加工成各種形態及尺寸,其性能指標達國內先進水平。目前該院生產的燒結型釹鐵硼永磁材料其主要性能指標為:Br:1.33-1.37T;(BH)max:335-358kg/cm3;iHl:1114kA/m;HBC:860-907kA/m。鋁鎳鈷系列永磁材料的主要性能指標為:Br:1.08T以上;HC:120kA/m;(BH)max:80kg/m3。
金屬配合物設計結構與性質
關鍵詞:結構 磁性金屬配合物 設計
項目簡介:該項目結合化學設計合成與多種理論與實驗方法,系統研究了配合物型分子固體中磁性離子的相互作用、磁弛豫、磁有序等物理現象與分子結構、晶體結構、單離子各向異性等的關系,在發現新的磁現象,發展新型分子磁體和揭示機理等方面取得以下主要成果:利用1.1疊氮橋在具有大的磁各向異性離子Co(II)間傳遞鐵磁作用,并采用合適的端基配體,合成了首例同自旋的“單鏈磁體”;在多種金屬配合物中,利用抗磁離子和橋連配體,使順磁離子處在近似單離子狀態,發現其中有些化合物在外磁場下存在很慢的磁弛豫行為,對于這一新現象的深入研究有助于進一步揭示磁性的量子本質。利用開鏈二嗪類雙(二齒)配體的潛在手性特征誘發自發拆分過程,首次獲得了幾種手性的疊氮橋Mn(II)配位聚合物分子磁體,并從結構上考察了手性的產生及其傳遞。設計合成多個系列結構新穎的氰根、疊氮、二氰胺、氰胺、甲酸等短橋連接分子磁體,特別是新的異金屬(3d-4f,3d-3d',3d-4d)和混橋體系,研究了它們豐富的磁相態及其與結構的關系,為設計新型分子磁體提供了新的思路和方法。合成了多個結構新穎的含稀土磁性簇合物,并利用二元氨基酸將其中的立方烷組裝成三維超立方烷;首先將密度泛函(DFT)理論結合對稱性破損方法用于含稀土的異雙核4f-3d分子的磁耦合常數的計算和其它雙核、三核體系的計算。
磷酸鐵鋰研究

關鍵詞:鋰離子電池 磷酸鐵鋰 正極材料
項目簡介:磷酸鐵鋰作為鋰離子電池用正極材料具有良好的電化學性能,充放電平臺十分平穩,充放電過程中結構穩定。同時,該類材料又具有無毒、無污染、安全性能好、可在高溫環境下使用、原材料來源廣泛、價格便宜等優點。該公司研制出的材料克容量超過160毫安時/克。
陽極氧化表面處理技術

關鍵詞: 多孔硅陽極氧化表面處理技術半導體材料功能信息材料
項目簡介:一種多孔硅陽極氧化表面處理技術,屬半導體材料,確切說,功能信息材料的制備技術領域,包括多孔硅的陽極氧化表面處理工序和干燥處理工序,前道工序:在腐蝕槽內實施,把濕的、一個表面附有多孔硅的P型單晶硅片懸置于腐蝕槽內,向腐蝕槽注入H_2O_2水溶液,通電進行陽極氧化;后道工序:清洗和用常規的干燥方法干燥經前道工序處理的濕的、一個表面附有多孔硅的P型單晶硅片,制得干燥的多孔硅成品,具有設備簡單、操作方便、精度控制容易、生產成本低和適用于工業生產的優點,適于用來對濕的多孔硅進行表面處理,制得干燥的多孔硅。
鈍化多孔硅表面活性的方法
關鍵詞: 鈍化多孔硅表面活性半導體材料 功能信息材料
項目簡介:該發明涉及一種鈍化多孔硅表面活性的方法,屬半導體材料(功能信息材料) 制備技術領域。該發明推出一種鈍化多孔硅表面活性的方法。該法有設備簡單、操作方便、產量高和適用于工業生產的優點。此外,經該法處理的濕的多孔硅,可用常規的干燥技術進行干燥處理,制得干燥的多孔硅,為多孔硅付諸實用鋪平道路。該鈍化多孔硅表面活性的方法,其特征在于,在制備多孔硅的同一個腐蝕槽內實施,當制備多孔硅完成時,立即把腐蝕槽內的腐蝕液換成濃度為0~25%的H2O2水溶液,繼續通電氧化,在多孔硅表面生成一層致密的SO2薄膜,即鈍化層,電流密度和通電時間分別為0~5mAcm~-2和0~15min。
黏結永磁體研究
關鍵詞:永磁體鐵氧體電子信息材料
項目簡介:該課題組研究的注射成形稀土Sm2Fe_17N+BaM鐵氧體黏結永磁可以期待具有以下優勢:相同的磁能積,使用相對較少的Sm2Fe_17N稀土永磁粉即可達到。由于鍶、鋇鐵氧體的矯頑力溫度系數αHc>0,兩種磁粉適當的混合比例,可望混合磁體的矯頑力溫度系數αHc-0.3,由于鍶、鋇鐵氧體磁粉是氧化物,黏結磁體的電阻率將會大大提高,從而更適合在高頻場中使用。
飛秒激光和信息材料光電子特性研究
關鍵詞:信息材料 飛秒激光器半導體量子阱色散不共軸性
項目簡介:該申報獎勵項目基于發展該省和中國信息科學技術的需要,發展超快激光技術并用于研究半導體、超導體和有機信息材料的光電子特性,取得了多項具創新性的研究成果。首次提出了飛秒激光器中的色散不共軸性理論(簡稱CDN),并提出降低和消除CDN效應的腔設計和工作條件,在實驗上進行了驗證。首次提出了克爾透鏡鎖模的\"厚透鏡\"模型,物理意義明確,簡化了計算,利于應用。還應用飛秒激光技術研究了半導體量子阱和 有機信息材料中的超快光電子特性,揭示了LT-GaAs中光電子飛秒級的弛豫過程和深能級缺陷態捕 獲載流子機制等新結果。有機信息材料偶氮苯液晶薄膜記錄光柵和長期存儲特性的研究成果為這一材料的先驅性成果之一。
該申請項目已完成發表的論文共有37篇,全部被SCI、EI收錄,其中送審的20篇主要論文發表在“Appl. Phys. Lett.”、“Optical Letters”、“中國科學”等國內外重要雜志,己被他人引用20處,并有兩篇被分別選為于德國和日本召開的國際學術會議邀請論文。該研究成果己達到國內領先、國際先進的學術水平,具有重要的科學意義和應用前景。
二苯乙醇酸硼鋰
關鍵詞: 二苯乙醇酸硼鋰 電解質材料 鋰電池 信息材料生產工藝
項目簡介:超細是指平均粒徑≤2um的二苯乙醇酸硼鋰粉體,是一種環保型的鋰電池電解質材料及重要的信息化學品新材料,廣泛應用于二次鋰電池的復合型聚合物電解質材料、墨粉(或色粉)的電荷調節劑、壓敏材料及熱敏材料中的顯色劑。該項目研究開發了以苯甲醛、硼酸、鋰鹽為原料經安息香縮合、氧化、結構重排、酸化、絡合、表面改性等化學、物理反應制備高純超細二苯乙醇酸硼鋰的新方法,填補了國內空白,達到國際先進水平。新工藝具有反應條件溫和、操作簡便、成本低、產品質量好等優點,在二苯乙醇酸與硼酸、鋰鹽的絡合工藝條件方面具有創新性。
自旋電子材料研究
關鍵詞:自旋電子材料過渡族金屬氧化物
項目簡介:該項目通過實驗證明在Mn基鈣鈦礦結構氧化物中導電機制是晶格極化子,而在尖晶石結構化合物中導電機制是磁極化子導電,發現了兩種從極化子到可變程躍遷導電過渡的現象;提出在Cr3+、Fe3+與Mn3+間存在雙交換作用。開展了新型自旋相關器件的原理性研究,探索出持久光電導材料,為新型的光電器件的研制打下基礎。開展了低維自旋電子材料的制備與物性研究,采用溶膠—凝膠工藝成功地制備出一系列多晶顆粒體系,獲得了室溫低場大的磁電阻效應。
納米硅二極管
關鍵詞: 納米硅二極管納米硅薄膜 電子材料
項目簡介:該課題研究的納米硅(nc-Si:H)薄膜是一種由大量硅細微晶粒(僅幾個納米大小)和包圍著這些晶粒的晶間界面所組成的新型納米電子材料。納米硅薄膜(幾個微米厚)中的晶粒是晶態的,晶粒大小為3~8nm,占整個膜層的體積百分比為50%;另外50%體積百分比則是由非晶態的硅原子構成的晶間界面區,其厚度為2~4個原子層。硅晶粒在薄膜中的分布是不規則的。這種新穎的結構使得納米硅與現有的半導體材料單晶硅和非晶硅(a-Si:H)有著明顯的區別并呈現出一系列鮮為人知的特殊性能。利用這一系列特殊性能我們可以用于研制新型的納米硅器件,并且有可能讓我們去開創一門嶄新的產業為社會服務。
光成像單組分液體顯景阻焊劑
關鍵詞: 阻焊劑單組分液體顯景光成像 電子材料
項目簡介:光成像單組分液體顯景阻焊劑(PCS-1型)是用于制作高密度多層印制電路版的電子材料,是STM和MCM新技術必須的新型阻焊劑,具有高分辨率、耐高溫,絕緣性高和水顯影加工等優點,有利于加工過程自動化,降低成本和提高可靠性。該產品采用當前國際上最先進的單組分型,在國外只有英國Coates公司等極小數公司生產,其他為雙組分型產品,在使用時還需混合加工。該項目應用了多年從事光聚合理論和光固化技術研究的科研成果,開發出高性能的新型感光樹脂體和具有超增感功能的復合光敏引發體系,并采用新型添加劑及復配技術和穩定化技術,成功開發出PCS-1型產品,各項性能均達到國家規定指標。
銀玻璃粉研究
關鍵詞: 銀玻璃粉電子材料
項目簡介:銀玻璃粉是一種新的高技術無機電子材料,為金黃色半透明無定型粒狀,研細后為淡白色重質粉末,主要成份:Ag2O,Bi2O2等。它加入到氧化鋅電阻片成分中去,可以大大地改善氧化鋅電阻片的電性能,特別是改善電阻片的老化壽命,適用于氧化鋅電阻片及壓敏電阻器的制造。
GaN基納米光電子材料

關鍵詞: 光電子材料LED器件材料生長
項目簡介:該課題發明了一種厚度為1納米的特殊過渡層和一種特定的硅表面加工技術,克服了外延材料和襯底之間巨大的晶格失配和熱失配,在第一代半導體硅材料上,制備出高質量的第三代半導體GaN材料,成功地解決了硅襯底上制備的GaN單晶膜材料龜裂這一世界難題。并發明了一種高可靠性LED外延材料結構,制備了高質量的具有納米量子阱結構的第三代半導體GaN基LED材料,攻克了硅襯底上GaN基LED可靠性差這一世界難題。另外還突破了硅襯底GaN基LED外延材料焊接與轉移技術,解決了氮面GaN的歐姆接觸技術,研制成功光輸出功率1~9毫瓦(20毫安)的垂直結構的GaN基紫光、藍光LED。