一種碳化鋁鉻陶瓷粉體的常壓合成方法等

一種碳化鋁鉻陶瓷粉體的常壓合成方法

一種碳化鋁鉻陶瓷粉體的常壓合成方法，以Cr粉、Al粉和C粉為原料，按 Cr:Al:C＝2:(1～1.3):1的摩爾比配料，干混10h后，在30～50MPa壓力下壓制成塊，將壓塊置于高溫爐中，在氬氣氣氛下，以15～50℃/min的升溫速率將爐溫升至1350～1500℃，保溫時間為5～30min，制得高純度低成本的Cr2AlC粉體。該方法具有合成Cr2AlC粉體溫度范圍寬、時間短、純度高、成本低的特點，所用設備簡單，工藝參數穩定，適用于規?；a。

專利號：200810105008.9

一種含鈮的SiC陶瓷先驅體的制備方法

一種含鈮的SiC陶瓷先驅體的制備方法，包括以下步驟：(1)將相當于主鏈含硅的低分子量聚合物重量0.5wt％～20wt％的鈮金屬氯化物或有機化合物置于三口燒瓶中，將主鏈含硅的低分子量聚合物置于此三口燒瓶中并覆蓋鈮金屬氯化物或有機化合物；(2)在Ar或N2保護下，按照0.1～5℃/min的升溫速率，使三口燒瓶中的物料升溫至350～500℃，裂解溫度控制在450～550℃，進行熱分解重排反應1～15h，冷卻；(3)將該粗產品經二甲苯溶解、過濾，濾液在250～390℃進行減壓蒸餾、冷卻。本發明原料來源廣泛、價格低廉，鈮的含量及其性能指標可控可調，可達分子級別勻化，產物純度高，再成形性好，耐超高溫性能優異；設備簡單，容易實現大規模工業化生產；制造成本低。

專利號：200810031049.8

一種用于導電坩堝的多元復相陶瓷材料及其制備方法

本發明屬于復相陶瓷材料領域。一種用于導電坩堝的多元復相陶瓷材料的制備方法，其特征在于它包括如下步驟：1)按TiB2:BN:Ti:Si:TiC的摩爾比為(0.50～1.02):(0.81～2.02):(0.10～0.26):(0.10～0.26):(0.20～0.52)進行配料，選取TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si 粉和TiC粉，備用；2)將TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉均勻混合，置于石墨模具中，在氬氣環境中采用感應熱壓或通電熱壓進行燒結，然后隨爐冷卻，得到用于導電坩堝的多元復相陶瓷材料。本發明獲得電阻率均勻、抗熱震性好、耐金屬熔蝕性好的多元復相陶瓷材料，提高了復相陶瓷坩堝的使用壽命；同時，生產過程成本低。該多元復相陶瓷材料可用于制備導電坩堝。

專利號：200810047410.6

一種硼化物-碳化硅-碳化硼三元

陶瓷基復合材料及其制備方法

一種硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基復合材料及其制備方法，它涉及一種三元陶瓷基復合材料及其制備方法。本發明解決了現有超高溫陶瓷材料存在韌性低的缺陷，硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基復合材料按照體積百分比，由50％～80％的硼化物、10％～30％的碳化硅和5％～30％的碳化硼制成。本發明的硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基復合材料的制備方法按如下步驟進行：（1）濕混，過篩；（2）熱壓燒結；即得到硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基復合材料。本發明的硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基復合材料的抗彎強度最高能達到890MPa，斷裂韌性值最高可達到7.1MPa/m²。

專利號：200810064313.8

壓電陶瓷坯膜的制備方法

本發明公開了一種壓電陶瓷坯膜的制備方法，依次步驟為在壓電陶瓷粉料中加入粘結劑、粗軋、精軋和沖片，其創新點在于：所述粘結劑加入量為壓電陶瓷粉料的15～25%重量百分比，加入粘結劑的粉料在20～30℃溫度混合和粗軋4～8h，制成粗軋坯帶，切割成坯片并用塑料膜包裝好備用，然后在20～30℃溫度精軋1～2h，制成精軋坯帶并用塑料膜包裝好備用，最后經過沖片制成壓電陶瓷坯膜；所述粘結劑各組分重量百分比為：聚乙烯醇5～20%、甘油3～10%、乙醇0～10%，蒸餾水余量。本發明工藝簡單、成本低、坯膜厚度為0.05～0.1mm、超薄、致密度高。可廣泛用于壓電陶瓷電聲轉換器及其它薄型壓電產品。

專利號：200810023580.0

一種陶瓷顆粒增強鋁或鋁合金表面的方法

一種陶瓷顆粒增強鋁或鋁合金表面的方法，它涉及一種增強鋁或鋁合金表面的方法。本方法解決了現有技術制備陶瓷顆粒增強鋁或鋁合金表面的工藝復雜、設備昂貴、成本高及表面強化效果差的問題。該方法如下：（1）對鋁或鋁合金表面進行清理；（2）對陶瓷顆粒進行預處理；（3）電弧輔助激光熔注：采用CO2激光與TIG電弧加熱鋁或鋁合金表面形成熔池，并注入陶瓷顆粒，待熔池冷卻凝固后即實現陶瓷顆粒增強鋁或鋁合金表面。本發明工藝簡單，所用設備簡單、成本低，改善了鋁或鋁合金表面的硬度和耐磨性，鋁或鋁合金表面強化效果好。

專利號：200810064457.3