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全同聚丙烯SEM分析試樣的制備及觀察

2011-01-23 05:31:40辜小玲
武漢科技大學學報 2011年6期
關鍵詞:晶片裂紋

賈 涓,周 俊,辜小玲,曾 兵

(武漢科技大學材料與冶金學院,湖北武漢,430081)

掃描電子顯微鏡(SEM)用于觀察材料的微觀形貌和結構能獲得較為清晰的結構細節(jié)[1],而用于高分子材料觀察時,由于晶體部分與非晶部分經(jīng)普通酸腐蝕后結果反差不大,結構細節(jié)難以體現(xiàn),存在試樣制備困難問題。全同聚丙烯(iPP)是一種用途廣泛的高分子材料,其中半晶態(tài)iPP中最常見的是單斜的α晶型和密排六方的β晶型,兩種晶型常同時出現(xiàn)在材料中[2],為了更好地借助SEM對其進行觀察分析,需要制備出合適的iPP材料SEM分析試樣。為此,本文研究iPP材料的SEM分析試樣制備方法,用SEM對iPP試樣進行觀察,討論制備條件對iPP試樣最終形貌的影響,并觀察iPP試樣的球晶形貌。

1 試驗材料與制樣

1.1 試驗材料

試驗材料為塊狀半晶態(tài)iPP(德國,Goodfellow公司),全同度為95%,密度為0.9 g/cm3。將iPP材料在150℃下退火24 h,X射線測試顯示其為均勻的α相球晶。

1.2 SEM分析試樣制備

將iPP材料加工成10 mm×5 mm×10 mm的原始試樣,沿觀察面切除一薄層,露出試樣“新鮮”表面,用2 000目細砂紙將觀察面打磨至平整光滑,再用金相拋光機反復拋光至無劃痕。用高錳酸鉀溶液進行蝕刻[3],高錳酸鉀蝕刻溶液由高錳酸鉀、85%濃磷酸、98%濃硫酸和蒸餾水配制而成,依次將蒸餾水、濃磷酸和濃硫酸按V(H2O)∶V(H3PO4)∶V(H2SO4)=14∶23∶63配溶液,再外加1%的高錳酸鉀粉劑[4],攪拌均勻。將試樣懸掛放入配制好的蝕刻溶液中,分別按0.5、1、2 h不同時間浸泡(蝕刻過程有放熱出現(xiàn),需水冷),取出后在超聲波清洗機上依次用30%H2O2、蒸餾水和丙酮進行清洗。對iPP試樣進行噴金處理,所用離子濺射鍍膜儀為Emitech K550X,金靶為陰極,噴金時間為180 s,電流150 m A。用Nova nano SEM 400(FEI,英國)進行形貌觀察,電壓為15 k V。

2 iPP試樣球晶形貌分析

2.1 浸泡時間對蝕刻效果的影響

圖1為SEM觀察到的iPP試樣在高錳酸鉀溶液中浸泡不同時間后的球晶微觀形貌。從圖1中可看出,浸泡0.5 h后,iPP球晶的微觀形貌不甚清晰,某些區(qū)域隱約可見放射狀球晶;浸泡1 h后,iPP球晶呈清晰的放射狀,部分球晶中心部位呈白色,球晶間有較清晰的邊界,相鄰球晶間取向不同;浸泡2 h后,iPP球晶形貌仍較清晰,但較多球晶的球心部位呈現(xiàn)白色,并從中心向外擴展。比較而言,經(jīng)高錳酸鉀溶液浸泡1 h左右的iPP試樣微觀形貌最為清晰。

高錳酸鉀溶液蝕刻的本質是一種選擇性氧化反應。Olley等[3]認為,高錳酸鉀溶液與濃硫酸混合后會生成一種具有強氧化性的物質O3Mn OSO3H,該物質極易發(fā)生還原反應生成Mn2(SO4)3·H2SO4·4 H2O,最終失去強氧化性。反應生成的Mn2(SO4)3·H2SO4·4H2O結晶會沉積在試樣表面影響形貌觀察,濃磷酸的加入可以降低自由Mn3+的濃度,減少Mn2(SO4)3·H2SO4·4H2O沉積,利于蝕刻氧化反應的進行。O3MnOSO3H在蝕刻高分子材料中的晶體和非晶部分時,非晶部分更容易被蝕刻,隨時間的延長,晶體區(qū)域增多,蝕刻速率降低,蝕刻后的晶體部分和非晶部分呈現(xiàn)形貌上的差異,因而在SEM下能觀察到材料的微觀形貌。

圖1 不同浸泡時間下iPP球晶微觀形貌Fig.1 SEM morphology of iPP samples attached for different times

圖2為高錳酸鉀溶液浸泡1 h后球晶中心形貌放大照片。從圖2中可以看出,球晶中心區(qū)域出現(xiàn)裂紋,并從球晶中心向外擴散,裂紋長度約2~4μm,邊緣有發(fā)白現(xiàn)象,表明iPP球晶中心區(qū)域在蝕刻過程中發(fā)生了組織斷裂。

當高分子材料受到應力作用時,會產生大量的微裂紋聚集區(qū),稱為應力發(fā)白。根據(jù)應力發(fā)白程度和發(fā)生區(qū)域,可判斷為一定數(shù)量的銀紋、裂紋和微孔[5]。實驗所用iPP是經(jīng)150℃×24 h退火處理后的均勻試樣,含均勻的α相球晶,其球晶中的晶體相和非晶相平衡,無內應力。當試樣經(jīng)高錳酸鉀溶液浸泡后,球晶中的非晶部分被蝕刻而破壞了晶體和非晶部分的平衡。α-iPP球晶中的晶片呈現(xiàn)為從球心向外的發(fā)射狀,在球晶中心區(qū)域,晶片的密度和結晶度高于球晶的其他區(qū)域,因而浸泡后產生較大的應力。與此同時,高錳酸鉀溶液使晶體氧化而降解,致使該處強度降低,因此微裂紋從球晶中心產生向外擴展,且浸泡時間越長,裂紋擴展區(qū)域越大,故在SEM邊緣效應作用下出現(xiàn)發(fā)白現(xiàn)象。

圖2 浸泡1 h后球晶中心形貌放大照片F(xiàn)ig.2 SEM morphology of the center part of iPP spherulits attached for 1 h

2.2 iPP球晶形貌分析

圖3為高錳酸鉀溶液浸泡1 h后SEM觀察到的iPP球晶形貌。從圖3中可以看出,球晶呈多面體形狀(圖3(a)),這是由于相鄰球晶在長大過程中相互擠壓的結果;α-iPP球晶內部主要呈放射狀組織(圖(3(b)),在未出現(xiàn)裂紋的球心部位為平坦光滑的組織,沿半徑遠離球心的位置出現(xiàn)放射條紋狀腐蝕坑;不斷長大的球晶最終與其他球晶接觸,由于條紋的放射方向不同,球晶相接觸部位產生清晰的界面(圖3(c));高倍SEM下發(fā)現(xiàn),腐蝕條紋的中間部分同樣均勻分布有大小相當?shù)男「g坑,類似不規(guī)則的“格子”排列(圖3(d))。

圖3 SEM觀察到的iPP球晶形貌(高錳酸鉀溶液浸泡1 h)Fig.3 Morphology of the iPP observed by SEM(1 h attached)

圖4所示為α-iPP球晶的子母晶片結構。α-iPP球晶內部,晶片有兩種分布:沿徑向分布的晶片尺寸較大,長約1~50μm,寬約0.1~1μm,構成球晶的主要骨架,稱母晶片,圖3中觀察到的放射狀蝕刻條紋即為母晶片間的非晶組織;在徑向晶片的邊緣上,有一些發(fā)源于徑向晶片的橫向晶片,尺寸較小,稱子晶片[2]。子、母晶片間的夾角約為80°,其間為無序大分子鏈組成的非晶相。由于子晶片尺寸較小,同時由于高錳酸鉀蝕刻后的球晶細節(jié)分辨率不高,因而照片中不易觀察到。在稍高倍的SEM照片中(圖3(d))可以觀察到格子狀的“孔洞”現(xiàn)象,這是子、母晶片間的非晶部分被高錳酸鉀溶液蝕刻后留下的腐蝕坑。

圖4 α-iPP球晶子母晶片結構Fig.4 Schematic plan of the spherulites inα-iPP samples

3 結論

(1)高錳酸鉀溶液用于iPP材料的SEM分析試樣制備時,能對iPP材料的晶體部分和非晶部分進行選擇性蝕刻,其最佳蝕刻時間為1 h左右。

(2)α-iPP材料球晶呈多面體形狀,具有子母晶片結構,母晶片間的非晶組織被蝕刻后呈放射狀蝕刻條紋,子、母晶片間的非晶部分被高錳酸鉀溶液蝕刻后留下了格子狀的腐蝕坑。

[1] 張俐娜,薛奇,莫志深,等.高分子物理近代研究方法[M].武漢:武漢大學出版社,2006.

[2] Oleinik E F.Plasticity of semicrystalline flexiblechain polymers at the microscopic and mesoscopic levels[J].Polymer Science Ser C,2003,45(1):17-117.

[3] Olley R H,Hodge A M,Bassett D C.A permanganic etchant for polyolefines[J].Journal of Polymer Science:Polymer Physics Edition,1979,17:627-643.

[4] Atsushi S,Keiji T,Yoshihisa F,et al.Structure and thermal molecular motion at surface of semi-crystalline isotactic polypropylene films[J].Polymer,2005,46:429-437.

[5] 于杰.聚合物材料宏觀斷口分析[J].高分子材料科學與工程,1995,11(4):22-25.

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