BiVO4膜電極的制備及其光電化學性能

彭天右 柯丁寧 曾 鵬 張曉虎 范 科

(武漢大學化學與分子科學學院,武漢430072)

BiVO4膜電極的制備及其光電化學性能

彭天右*柯丁寧 曾 鵬 張曉虎 范 科

(武漢大學化學與分子科學學院,武漢430072)

以自制的BiVO4納米粉制備膜電極,采用電化學方法較系統地研究了退火溫度和膜厚對BiVO4膜電極的光電化學行為和電子輸運與復合的影響.結果表明:退火溫度和膜厚對BiVO4膜電極的光電特性有顯著的影響.膜厚為6.75 μm時,BiVO4膜電極具有最佳的光電化學特性.退火溫度低于500°C時,膜電極的光電活性隨著溫度的升高而增強,至500°C時達到最大值;此后膜電極內的體相缺陷明顯增加,導致其光電活性逐漸降低.BiVO4膜電極有良好的可見光光電轉換效率,并利用其單色光轉換效率曲線計算得到BiVO4的帶隙為2.36 eV,采用莫特-肖特基電化學法測得其平帶電位為-0.7 V(vs Ag/AgCl).上述結果為BiVO4光催化體系的優化提供了重要的參考.

BiVO4膜電極;光電化學性能;瞬態光電流譜;平帶電位

1 引言

半導體材料在光催化劈裂水制氫或氧及降解污染物等領域具有誘人的應用前景.1-3其光催化過程涉及光生載流子的氧化還原作用,機理上最重要的過程就是電荷轉移與分離.4利用電化學技術可研究光催化過程中電荷轉移的動力學和熱力學特征,獲得帶隙、能級位置和界面電荷遷移速率和壽命等特征參數.5-8釩酸鉍(BiVO4)在可見光范圍內具有很好的吸收特性,廣泛用于可見光催化劈裂水制氧及降解污染物等方面.9-11因而,BiVO4膜在可見光光照下的光電化學行為就成為當前的研究熱點之一.12-14例如,Luo等12利用聚合物輔助化學溶液法制備了BiVO4膜電極,測得其帶隙為2.54 eV.Long等13制備了n-p結型BiVO4/Co3O4、BiVO4/CuO膜電極作為光電開關,發現其具有良好的波段電流響應特性. Sayama等14用旋涂法制備了BiVO4膜電極,發現Ag+可將BiVO4膜電極的光電流提高近兩倍,并認為Ag+具有提高BiVO4的光催化產氧效率的功能.

我們11曾以Bi(NO3)3和NH4VO3為原料制備了準球狀單斜相納米BiVO4,其粒徑范圍在19.4-38.9 nm之間,平均粒徑為30.8 nm.制備的BiVO4顆粒尺寸小、結晶度高、缺陷少,因而表現出比固相法合成產物更高的光催化產氧活性.本工作采用上述納米BiVO4制備膜電極,考察了退火溫度和膜厚對膜電極的光電化學行為的影響,并通過測試單色光光電轉換效率和瞬態光電流譜等獲得了對BiVO4的光催化性能調控具有重要指導意義的特征參數,如帶隙、吸收邊、平帶電位、導帶與價帶位置等.

2 實驗

2.1 BiVO4膜電極的制備

取按文獻11自制的1.0 g納米BiVO4置于100 mL球磨罐中,加入6.0 mL分散劑(含4.3 mL無水乙醇(≥99.7%,國藥集團化學試劑有限公司)、1.4 mL的0.1 mol·L-1稀鹽酸(≥36.5%,國藥集團化學試劑有限公司)、0.3 mL乙酰丙酮(分析純,國藥集團化學試劑有限公司))和0.5 mL的Triton X-100(分析純,國藥集團化學試劑有限公司),球磨24 h得到漿料.將摻F的SnO2(FTO)導電玻璃(厚2.2 mm,面電阻15 Ω·□-1)的導電面朝上放置,用透明膠帶(Scotch, 50 μm厚)貼住導電玻璃四邊.用刮涂法將BiVO4漿料在導電玻璃上制膜,室溫干燥后500°C退火1 h.通過膠帶層數調節膜厚.采用S4C-3D臺階儀(Taylor Hobson,英國)測定,用1、3、5和7層膠帶制備, 500°C退火的BiVO4膜厚分別為4.67、6.75、8.59和9.66 μm.

2.2 膜電極的表征與性能測試

以D8-Advance型X射線粉末衍射儀(XRD,德國Bruker公司)測定樣品的晶相組成,CuKα射線(λ= 0.15406 nm).在JSM-7400型場發射掃描電鏡(FESEM,日本電子),LaB6 JEM-2010(HT)-FEF型透射電鏡(HRTEM,日本電子)上觀察樣品形貌和微結構.

光電化學測試采用CHI660A電化學工作站(上海辰華儀器公司)在帶石英窗的三電極體系中進行.分別以鉑絲為對電極,Ag/AgCl(0.290 VvsNHE)為參比電極,BiVO4膜為工作電極,0.5 mol·L-1的Na2SO4溶液作支持電解質.光源從電解液側面垂直照射膜電極(0.36 cm2).以250 W的Xe燈為光源,采用濾光片獲得可見光(λ≥420 nm),SRC-1000-TCQZ-N單晶硅輻照計(美國Oriel公司)測定其光強為80 mW·cm-2.用熱分析儀(Netzsch,德國)在氮氣氣氛、升溫速率10 K·min-1的條件下測定BiVO4隨溫度的變化情況.

在光照和開路狀態下,電壓掃描范圍為-0.5-1 V(vsAg/AgCl,下同),記錄膜電極的電流密度-電壓(J-V)曲線;偏置電壓恒定為0.6 V時記錄膜電極的瞬態光電流譜;在頻率范圍為0.005-105Hz,振幅10 mV條件下測試電化學交流阻抗譜(EIS).單色光光電轉換效率(IPCE)測試在QE/IPCE測試系統(美國Newport公司)上進行,300 W氙燈光源.

3 結果與討論

3.1 BiVO4膜電極的微結構與性能分析

圖1 BiVO4納米粉、膜和氟摻雜的氧化錫(FTO)玻璃的X射線粉末衍射(XRD)圖譜Fig.1 X-ray diffraction(XRD)patterns of BiVO4 nanoparticles,film,and fluorine doped tin oxide (FTO)glass

圖1為BiVO4納米粉、不同溫度退火BiVO4膜和FTO玻璃的XRD圖譜.由謝樂公式計算可知, 400°C煅燒的納米BiVO4的平均晶粒尺寸為31.7 nm,與由透射電鏡照片獲得的統計平均粒徑相近,說明制備產物具有一定的單晶性.11雖經球磨過程, 500°C退火的BiVO4膜依然保持了較高的結晶度,其平均晶粒尺寸為30.7 nm.相對而言,600°C退火膜電極的衍射峰強度略有降低且峰形變寬,其原因在于更高溫度下(≥600°C)部分BiVO4會分解并釋放氧氣.11此外,BiVO4膜XRD圖中并未出現明顯FTO衍射峰,這可能是因為BiVO4的結晶度較高和膜較厚所致.

圖2分別為BiVO4納米粉及其500°C退火膜電極的透射電鏡(TEM)和場發射掃描電鏡(FESEM)照片.膜電極的BiVO4粒子呈球形,粒徑分布為62-159 nm,平均粒徑為87 nm.與納米BiVO4的平均粒徑(31.7 nm)相比,顆粒尺寸明顯增大.11其原因可能與球磨有關,BiVO4晶粒間通過有機物相互連接.退火過程中BiVO4晶粒間相互聚集生長為較大的顆粒.膜表面較粗糙,孔洞較多,增大了膜與電解液的接觸面,為光生載流子在固-液界面的傳輸創造了有利條件.一般而言,顆粒間晶界數量會隨燒結的進行而逐漸減少,這對電子在膜內傳輸是有利的;如果顆粒燒結不充分,大量非晶態組織(可能為球磨過程所致)和晶界會充當電子陷阱,從而影響其光電化學性能.15

3.2 退火溫度對膜的光電化學性能的影響

圖3 退火溫度對BiVO4膜電極的光電流密度的影響及500°C退火電極暗態下的J-V曲線Fig.3 Dependence of the photocurrent density of BiVO4 electrode on its annealing temperature,and the J-Vcurves of BiVO4electrode after annealing at 500°C in dark state

圖3為可見光照下退火溫度對三層膠帶制備的BiVO4膜電極的電流密度(J)的影響.由圖3可見,暗態下電壓在-0.38-0.80 V掃描范圍內電流幾乎為零.這是由于BiVO4為n型半導體,自身空穴很少,難以將H2O氧化,即使施加正電壓發生陽極極化,氧化反應也很難進行.可見光照下電流隨退火溫度升高呈先升后降的趨勢.退火溫度對電極的膜厚、顆粒粒徑和晶相及有機物殘留存在著極大的影響.由表1列出的不同溫度退火的BiVO4電極的膜厚可知,在300-600°C間退火膜厚隨溫度升高略有降低但并不明顯.因此,我們重點從粒徑、晶相及有機物殘留等方面解釋上述退火溫度對電流密度的影響趨勢.在300或400°C退火時膜表面為灰黑色,表明有機物未完全分解.此時,顆粒表面的非晶態組織也未完全晶化,膜內缺陷較多,導致膜電極的電流較小.

由圖1的XRD圖譜可知,在≥600°C溫度下退火,部分BiVO4會分解.11圖4所示的熱重-差熱分析(TG-DTA)曲線在490-840°C范圍內失重0.11%,也表明BiVO4有微弱的分解釋放氧氣的過程,而這種分解會導致膜內形成大量的晶格缺陷,從而成為光生載流子復合的體相陷阱,也不利于電子的傳輸.15此外,過高的退火溫度也會使BiVO4結構塌陷形成新的表面態陷阱,從而導致電流減小.15500°C退火后有機物完全分解,膜表面呈亮黃色,顆粒間連接較好,形成網狀結構,這對電子的膜內傳輸是有利的,小顆粒進一步結晶為大顆粒,使體相缺陷和表面陷阱濃度減小,從而獲得了最大的電流密度.圖3所示的電流密度隨電壓升高而迅速增加的現象證實BiVO4是良好可見光催化劑.值得注意的是,由于n型半導體多余的粒子是電子,光照時從導帶激發的電子引起的追加效應很小,使得光照前后膜電極的還原電流變化不大.

表1 不同退火條件下BiVO4膜電極阻抗譜的擬合電化學參數Table 1 Fitted electrochemical parameters from impedance spectra of BiVO4electrodes annealed at different temperatures

圖4 BiVO4的熱重-差熱分析(TG-DTA)曲線Fig.4 Thermogravimetric-differential thermal analysis (TG-DTA)curves of BiVO4

圖5 不同溫度退火制備的BiVO4膜電極的電化學阻抗譜(EIS)Fig.5 Electrochemical impedance spectra(EIS)of BiVO4electrodes annealed at different temperaturesRs:solution resistance;Rf:solution resistance at film interface and ohmic resistance of film;Zw:Warburg resistance of film; Rw:diffusion resistance at film surface;C:adsorption capacitance at film surface;Cf:chemical capacitance of film

圖5的散點圖是不同溫度下退火的BiVO4膜電極的電化學交流阻抗譜(EIS).實線及表1的各特征參數是按圖5插圖中的等效電路擬合得到的結果.16,17其中,Rs為溶液阻抗;Rf為膜界面的溶液電阻和膜的歐姆電阻之和,Zw為膜的Warburg阻抗,Rw和C分別為膜表面的擴散電阻和吸附電容.Cf對應膜電容(插圖中CPE所含的電容).16

由表1可見,Rs值差別很小,這是因為Rs的變化主要源于電解質溶液電阻的變化,而測試是在相同的電解質溶液中進行的;在可見光照下,BiVO4的光生電子向膜內遷移并流向外電路.300°C退火的膜電極,由于仍存在大量的有機物且表面晶化程度不高,顆粒表面存在大量的表面態陷阱,成為載流子復合的主要原因,15此時電子遷移困難導致Rf和Rw較大.隨著退火溫度從300°C提高到500°C,顆粒表面晶化程度逐漸提高,表面態陷阱對電荷復合的影響逐漸減小,有機物的祛除也縮短了電子傳遞路徑,此時Rf和Zw表現出漸減的趨勢.500°C退火電極的Rf與Rw值出現最小值,這與上述該膜電極具有最大的光電流的實驗結果是一致的.

600°C退火的膜電極中顆粒表面已高度晶化,但由于退火溫度過高,電極孔結構發生較大程度的塌陷,導致新表面態陷阱的出現.此外,該溫度下部分BiVO4會分解產生大量的晶格缺陷,形成新的電子陷阱.11,15因此,Rw值又重新變大.此外,膜中BiVO4顆粒團聚生長,電子在膜內的傳輸路徑延長也是Rf增大的一個原因.綜上,500°C退火時,既能盡量保持膜的表面積,又能最大限度地降低電子陷阱的影響.因此,后續研究中采用500°C退火的BiVO4電極.

3.3 膜厚對膜電極光電化學性能的影響

圖6 膜厚對500°C退火膜電極光照下的電流密度的影響Fig.6 Dependence of the current density on the thickness of electrode annealed at 500°C under irradiation

圖6為膜厚對500°C退火BiVO4膜電極的光照下的電流密度的影響.隨著膜厚的增加,電流密度逐漸增大,當用超過3層膠帶涂膜時,光照下電極的電流密度開始逐漸減小.這是因為當膜較薄時,可見光很容易穿透,對可見光的吸收強度有限,所產生的光生載流子較少,導致電流較小.隨著膜厚增加,對可見光的吸收增加,電流變大.當膠帶大于或等于3層時,電極可見光穿透厚度一定,產生的光生載流子的數目一定.但隨著膜厚的增加,電子在膜內傳輸距離變長,因而光電轉換效率有所降低.當膠帶為3層時制備的膜電極吸收的光子數目較大,電子傳輸路程較短,因此膜電極的電流密度表現出最大值.

圖7是BiVO4膜在偏壓為0.6 V時的瞬態光電流-時間關系曲線.所有的膜電極在光照前只有很弱的陽極光電流,光照后陽極電流明顯增大,且電流響應迅速(不到1 s),說明BiVO4膜電極具有靈敏的可見光響應特性.光照瞬間產生的陽極尖峰,在一段時間內才到達穩態,這可能是部分光子被深能級的表面態捕獲所致.此段時間光生電子除復合反應外還有兩個去向:一個是向基底移動,經外電路形成陽極光電流;另一個是被表面態捕獲,當深能級表面態填滿后,才能到達穩態.WO3電極也存在類似的現象,18當電壓為-0.6 V時,該電極表面態對光生電子存在較大的影響.由于本文采用偏壓較小(0.6 V),光生載流子的傳輸速率相對較小,部分載流子開始通過表面態復合,使陽極電流隨時間逐漸減小,并在一定的時間范圍內達到穩定.18值得注意的是,加正向偏壓時電流明顯比未加偏壓時的大.究其原因可能是偏壓方向與n型半導體的光致電荷分離產生的內電場方向一致,加速了電子傳輸和抑制載流子復合,從而提高了膜電極的光電流密度.

圖7 膜厚對500°C退火BiVO4膜電極的瞬態電流密度的影響Fig.7 Dependence of the transient current density on the thickness of electrode annealed at 500°C

由圖7可見,膜厚可影響BiVO4膜瞬間光電流的強弱.當涂膜厚度較小(1層膠帶,4.67 μm),經可見光照膜產生的光生載流子較少,因此陽極電流較小(僅1.18 mA·cm-2).隨著膜的厚度增加(如3層膠帶,6.75 μm),載流子量增大導致電流密度明顯增加.光照前后瞬態電流差值高達17.35 mA·cm-2.但BiVO4膜過厚時(≥5層膠帶,≥8.59 μm),光生載流子數目不變,電子遷移路程增加,載流子復合幾率增加,到達導電玻璃的電子數目反而降低.5層膠帶制備的膜電極光照前后瞬態電流差值僅有1.52 mA· cm-2.而當膜厚度進一步增大時,光照前后瞬態電流差值僅有0.97 mA·cm-2.這一現象與膜厚對光電流影響的結果一致.上述結果表明,3層膠帶制備膜電極具有最大的電流密度;所有膜電極在測試的170 s范圍內的暗態與瞬態電流幾乎沒有變化,能很好地重現瞬態電流轉換,說明BiVO4膜具有良好的可見光響應性,且在電解質溶液中具有較高的穩定性.

3.4 單色光波長對光電流的影響

圖8為膜電極的歸一化的入射單色光光電轉換效率(IPCE)譜.由圖可見,膜在330-500 nm范圍內有較高的光電轉換效率.當入射光波長大于450 nm時IPCE迅速下降,500 nm時已趨近于0.IPCE曲線的形狀與BiVO4的漫反射吸收光譜(DRS)極為相似,11但表現出一定程度的藍移.這主要是因為兩者分別代表了半導體材料的不同性質.DRS體現的是材料對光的吸收能力;而IPCE體現的是材料的入射單色光的光電轉換效率.這包括兩個基本過程:單色光吸收與光電轉換.光生電子由于膜本身的電子陷阱與傳輸過程中的復合等原因到達基底時會存在損失.如果膜產生的光生電子數目不能大于傳輸過程中損失的電子數目,外電路無法檢測到光生電流.DRS曲線顯示BiVO4在500-520 nm有較少的吸收時,而IPCE顯示沒有轉換效率.這是IPCE曲線相對于BiVO4的DRS譜表現出一定程度的藍移所造成的.19

圖8 BiVO4膜的入射單色光光電轉換效率(IPCE)曲線及其(IPCE hν)1/2對hν圖Fig.8 Incident monochromatic photon-to-electric conversion efficiency(IPCE)curve and its(IPCE hν)1/2-hν polt of BiVO4electrodesLiIO3(0.1 mol·L-1)+KI(0.01 mol·L-1)

因為IPCE與光吸收系數成正比,可利用(IPCE hν)n與hν作圖求出半導體的帶隙(圖8插圖).這里,間接帶隙半導體的n=1/2.5利用線性外延法可求得BiVO4膜的帶隙為2.36 eV.與直接由DRS譜線性外延法得到的帶隙(2.33 eV)相比,帶隙稍微偏大.這是因為利用IPCE法能精確地計算半導體膜發生光電轉化所需的最小能量;而利用DRS光譜法得到的帶隙僅代表半導體吸收的能力,忽視了實際過程中電子傳輸的損失和膜結構的差別.19

平帶電位是在半導體光催化反應中界面電子轉移的重要熱力學參數.18準確測量平帶電位能確定n型半導體的導帶能級.20,21半導體的能帶彎曲量可通過調節外加電壓或入射光強度來改變.如果半導體電極接入外加電位,空間電荷層中的載流子密度將發生變化,能帶彎曲狀況也隨之改變.對n型半導體施加負偏壓時,由于有大量額外電子進入,將使能帶彎曲量減小,費米能級(EF)上移,當電位足夠負時能帶被拉平,此時稱為平帶電位(Efb),可通過莫特-肖特基電化學法獲得.20-23該法描述半導體的空間電荷層微分電容(C)與半導體表面對于本體的電勢Δφ的關系.根據莫特-肖特基方程,對E作圖應為一直線,即莫特-肖特基圖.直線的延長線在橫軸上的截距可以給出Efb.可利用交流阻抗中虛部的特性方程計算微分電容.20,23其計算公式為

式中,f為測量時使用的頻率,Z?為虛部電阻值.

圖9為不同偏壓下BiVO4膜的電化學阻抗譜(EIS)及其莫特-肖特基圖.由圖9可以看出,隨著偏壓增加,BiVO4電極的電阻值有減小的趨勢.當偏壓較小(0--0.3 V),膜電阻變化較大.而偏壓過大時(≤-0.4 V),膜電阻變化相對較小.5n型半導體與溶液接觸后,能帶向上彎曲形成空間電荷層.這時施加負偏壓導致大量額外電子的進入,改變半導體電子的表面分布,補充了耗盡層電子,能帶被拉平.值得注意的是,莫特-肖特基電化學法中平帶電位對應于體相材料的零帶彎狀況.此時,選取的頻率將不會影響平帶電位的計算.23但本工作中膜電極中顆粒的粒徑分布為62-159 nm(平均為87 nm),該粒徑范圍是否存在帶彎拉平效應,以及表面態是否影響微分電容的計算和由此獲得Efb的準確性是要考慮的問題.表面態的干擾會造成偏離莫特-肖特基理論關系式,因此應確定莫特-肖特基圖得到的Efb與電容測定使用的頻率無關.

為此,采用不同頻率下獲得的微分電容并計算相應的平帶電位,發現在1172-17580 Hz頻率范圍內獲得的平帶電位基本與微分電容測定所使用的頻率無關.圖9插圖所示為四種典型頻率下測定的微分電容與施加偏壓的關系曲線.由圖可見,在-0.3-0 V范圍內,施加偏壓與利用交流阻抗方法測試得到的C-2數據的線性關系良好.選取的四種不同頻率下的關系曲線外延法獲得的Efb基本相同,說明表面態對莫特-肖特基理論關系式的干擾可能在一個合理的范圍.此外,Sayama等14曾用粒徑分布為90-150 nm的BiVO4膜電極采用莫特-肖特基關系式獲得BiVO4的平帶電位,并認為該BiVO4膜電極滿足利用莫特-肖特基圖獲得平帶電位的條件.因此,我們認為在本工作的膜電極粒徑范圍內可采用莫特-肖特基理論關系式計算平帶電位.

圖9 不同偏壓下BiVO4膜的電化學阻抗譜(EIS)及其Mo¨tt-Schottky圖(插圖)Fig.9 Electrochemical impedance spectra(EIS)of the BiVO4electrodes under different negative bias potentials and itsMo¨tt-Schottky plots measured at different frequencies(inset)

盡管上述方法為近似處理,一般僅適用于高空間電荷層阻抗和空間電荷層電容(C)在界面區域占主導地位時的情況,5,14,23不過上述數據仍具有一定的參考價值.如從圖9插圖可看出曲線外延與橫軸交于-0.7 V(vsAg/AgCl),這個值即為BiVO4膜電極的平帶電位.Sayama等14測得BiVO4膜平帶電位為(-0.6±0.1)V(vsAg/AgCl),可見本工作制備膜電極的平帶電位存在負移趨勢,而平帶電位負移通常有利于電極光電性能的提高.18n型半導體中,平帶電位與導帶位置十分接近,一般近似認為平帶電位與導帶電勢相等.14,19,24通過IPCE計算得知BiVO4帶隙為2.36 eV,所以其價帶電勢為1.66 V(vsAg/AgCl).14而產氧平衡電勢為0.94 V(vsAg/AgCl).可見,BiVO4價帶空穴足以將H2O氧化為O2.這和我們前期工作11觀察到BiVO4在無貴金屬負載情況下具有較高的光催化產氧性能是一致的.本工作從理論上證實了BiVO4具有高光催化產氧活性的內在原因.

4 結論

利用刮刀法制備了BiVO4膜電極,并研究了退火溫度和膜厚對其光電化學行為的影響.3層膠帶制備500°C退火的BiVO4膜電極具有最佳的光電化學特性.瞬態光電流譜測試結果顯示,該BiVO4膜電極有明顯的界面電荷轉移現象,重現性和穩定性均較好.IPCE測試結果表明,BiVO4膜有良好的可見光光電轉換效率,BiVO4膜吸收波長小于500 nm的光能發生光電轉換,并計算得到BiVO4的帶隙為2.36 eV.利用莫特-肖特基與阻抗譜結合計算出BiVO4的平帶電位為-0.7 V(vsAg/AgCl),BiVO4價帶電勢為1.66 V.從理論上證實了BiVO4具有高光催化產氧活性的內在原因.上述結果表明,光電化學技術是研究光催化過程中電荷轉移的動力學和熱力學問題的有效手段,但由于光催化反應一般在懸浮體體系中進行,而光電化學則是將半導體電極作為工作電極的三電極體系中考察,兩種體系還是存在較大的差異.雖然如此,利用光電化學理論與技術指導和驗證光催化反應中的實驗現象仍然是一個有意義的研究方向.

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April 6,2011;Revised:June 5,2011;Published on Web:July 11,2011.

Preparation and Photoelectrochemical Performance of BiVO4Film Electrode

PENG Tian-You*KE Ding-Ning ZENG Peng ZHANG Xiao-Hu FAN Ke
(College of Chemistry and Molecular Science,Wuhan University,Wuhan 430072,P.R.China)

A BiVO4film electrode was prepared using a home-made BiVO4nanopowder and the effects of annealing temperature and film thickness on its photoelectrochemical behavior,electron transport and recombination in the BiVO4electrode were systematically studied by electrochemical techniques. Experimental results indicate that the annealing temperature and film thickness can significantly influence the photoelectrochemical characteristics of the BiVO4electrode.At low annealing temperature(≤500°C) the photoelectrochemical activity improved upon increasing the temperature and the optimal activity was obtained for the electrode annealed at 500°C.At high temperature(＞500°C)the photoelectrochemical activity decreased because of a marked increase of bulk traps in the electrode.The BiVO4electrode showed good photon-to-electron conversion efficiency under visible light and its bandgap was found to be 2.36 eV based on an incident monochromatic photon-to-electric conversion efficiency curve.The flat-band potential(Efb)of BiVO4was determined to be-0.7 V(vs Ag/AgCl)by theMo¨tt-Schottky method.These results give an important reference for the optimization of the BiVO4photocatalytic system.

BiVO4film electrode;Photoelectrochemical performance;Transient photocurrent spectrum;Flat-band potential

O646

?Corresponding author.Email:typeng@whu.edu.cn;Tel:+86-27-6875-2237.

The project was supported by the National Natural Science Foundation of China(20871096,20973128),Program for New Century Excellent Talents in University,China(NCET-07-0637),and Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(2081003).

國家自然科學基金(20871096,20973128),教育部新世紀優秀人才計劃(NCET-07-0637)及高校基本科研業務基金(2081003)資助