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紅色熒光粉YAlO3:Eu3+Cu+的制備和發光特性

2012-01-05 02:33:12劉慧娟孫洪巍胡少杰
鄭州大學學報(理學版) 2012年1期

劉慧娟, 孫洪巍, 趙 冉, 胡 行, 胡少杰

(鄭州大學 物理工程學院材料物理教育部重點實驗室 河南 鄭州 450001)

0 引言

鑭系鋁酸鹽具有優良的機械性能及穩定的物理化學性質,在光學材料領域有著廣泛的應用[1-2].近年來,YAlO3晶體作為新型固體激光和閃爍體基體材料正成為人們研究的熱點,以其為基體的發光材料的合成及發光特性研究備受關注[3].GdAlO3和YAlO3具有相似的晶型結構,是由一種正交晶系鈣鈦礦結構(ABO3)的微小扭曲結構.Gd3+離子或者Y3+離子部分的被Eu3+離子所替代,占據了基元的拐角位置.YAlO3:Eu和GdAlO3:Eu都是很重要的發光材料[4],YAlO3:Eu的制備和發光性能表征也是值得研究的.

目前,國內外制備納米YAP粉體的方法主要有:固相混合法,水熱法,溶膠-凝膠法,沉淀法等.但總體上還缺乏一種適合大規模生產優質YAP粉體的方法.例如高溫固相法所需煅燒溫度高,煅燒過程中易引進雜質,并且煅燒粉體顆粒大,團聚嚴重,需要球磨,但是球磨破碎造成的晶粒劣化而引起的光衰會影響發光性能;水熱法產量低[5];溶膠-凝膠法[6]需醇鹽做原料,雖可以制備出納米粉體,但價格較高,不適于大規模生產;沉淀法[7]是較早用來制備YAP粉體的方法,成本較低,但粉體團聚嚴重.

本實驗通過仔細控制共沉淀過程中的各種工藝參數,獲得性能優異的YAP粉體,并對YAP:Eu3+Cu+熒光性能進行分析.確定了Eu3+在YAP:Eu3+發光體中的適宜摻雜濃度,研究了Cu+對YAP:Eu3+Cu+的敏化作用.

1 材料與方法

1.1 實驗材料

Al(NO3)3·9H2O,Y(NO3)3·6H2O,Cu(NO3)3,濃HNO3,氨水和NH4HCO3均為分析純;Eu2O3(純度>99.99%);分散劑(聚乙二醇400和聚乙二醇6000).

1.2 實驗方法

用荷蘭Philips X’tert Pro systerm X-射線衍射(X-ray diffraction,XRD)儀測定前驅體以及不同溫度煅燒下YAlO3:Eu3+Cu+紅色熒光粉的相組成,用日本日立公司生產的FL-4500熒光分光光度計測試粉體的激發和發射光譜.

2 結果與討論

2.1 前驅粉體的XRD結果討論

圖1是YAlO3前驅體在不同溫度煅燒后的XRD衍射圖譜.500 ℃時,基本上以無定形態存在;700 ℃生成微弱的Y2O3,未出現YAP相,γ-Al2O3相XRD也未檢測到,可能是因為γ-Al2O3的結晶性差;900~1 100 ℃,隨著溫度的升高Y2O3衍射峰逐漸減弱至消失,有YAG、YAM,YAP衍射峰產生,在1 100 ℃時YAlO3衍射峰比較明顯;1 200 ℃時得到YAP純相;1 300 ℃又開始出現雜相YAM,主相仍為YAP,這可能是因為YAlO3→Y4Al2O9晶相轉變產生YAM晶相引起,反應方程式為:2YAlO3+Y2O3→Y4Al2O9;同時各衍射峰的強度加強,峰寬變窄.所以,前驅體在1 200 ℃下煅燒2 h可得到物相單一的YAlO3晶體結構.

圖1 不同溫度煅燒下的YAP粉體的X射線衍射圖

圖的X射線衍射圖

2.2 熒光粉YAP:Eu3+的發射光譜和激發光譜

從圖3可以看出,在398 nm的紫外光的激發下,Eu3+發光的位置在589 nm,612 nm,626 nm和650 nm處,它們分別對應于5D0→7FJ(J=1,2,3)的發射;其中589 nm對應于Eu3+離子的5D0→7F1的磁偶極躍遷,這種躍遷說明Eu3+處于嚴格反演對稱中心格位,與稀土離子所處的格位密切相關,612 nm對應于Eu3+離子的5D0→7F2的電偶極躍遷,這種躍遷說明Eu3+處于非反演對稱中心的格位,與稀土離子所處的格位無關,626 nm的發射峰來源于5D0→7F2的電偶極子躍遷.650 nm的發射峰來源于5D0→7F3躍遷,在YAlO3基質中Eu3+的5D0→7F2電偶極子躍遷明顯強于5D0→7F1磁偶極子躍遷,說明Eu3+主要占據非反演中心對稱位置.

為了弄清589 nm和612 nm的發光來源,對它們的激發光譜進行了檢測,檢測范圍為200~550 nm,得到如圖4的激發光譜圖.

圖3 398 nm紫外光激發下Y0.97AlO3:Eu0.033+的發射光譜

圖4 612 nm檢測波長下Y0.97AlO3:Eu0.033+的激發光譜

從圖4能看到,位于350~550 nm間的銳吸收峰是Eu3+的f-f躍遷發射.位于200~350 nm間的寬帶吸收峰是屬于Eu3+基態到電荷遷移態的吸收躍遷,即電子從配位氧原子向Eu3+的4f殼層的躍遷.眾所周知,稀土離子與配體氧的作用越強,電荷遷移態的能量就越低.而在200~350 nm寬帶躍遷的峰值在278 nm附近,與Eu3+基態到電荷遷移態的吸收躍遷的峰值254 nm相比向右平移了24 nm,即發生了“紅移”.這可能是因為:Eu3+取代Y3+格位之后,Eu3+與近鄰的O2-和次近鄰的Al3+形成Eu3+—O2-—Al3+結構,O2-電子從它的充滿的2p軌道遷移到Eu3+離子的部分充滿的4f6殼層,從而產生電荷遷移帶,而此p電子遷移的難易和所需的能量的大小,取決于O2-周圍的離子對O2-離子所產生的勢場,Y3+離子半徑為0.93 nm,Eu3+離子半徑為0.947 nm,Eu3+取代Y3+大部分進入Y3+的格位時,使得O2-離子格位上產生的勢場減小,電子更容易從O2-遷移到Eu3+的4f6殼層中.因此電荷遷移帶將移向低能的長波區域.

2.3 Eu3+摻雜濃度對YAlO3:Eu3+發光性質的影響

2.4 Cu+對YAP:Eu3+熒光粉發光強度的影響

發射光譜的強度與摻雜有關,歸結為以下因素[8]:1)結晶性的影響:一般來說,結晶性越好,發光強度就會越高.2)尺寸的影響:摻雜可以改變材料的尺寸,當尺寸減小時,會引入更多的表面缺陷,導致無輻射弛豫的增加,從而降低熒光強度.3)其他因素的影響:摻雜離子也有可能作為電荷補償劑,或作為能量傳遞的敏化劑,或者可能阻塞由缺陷產生無輻射躍遷的通道.本文主要對摻雜離子作為能量傳遞的敏化劑進行了研究,關于其對結晶性和尺寸的影響還有待于進一步的研究.

室溫下含有一價d10離子的配合物通常表現出高效的發射,有關Cu+發光研究與進展方面內容可參見文獻[9] .在YAP:Eu3+Cu+熒光粉中,Cu+對YAP:Eu3+發射光譜強度的影響存在于能量傳輸過程中,即在YAP基質中Cu+作為敏化劑,Eu3+作為激活劑,Cu+的發射光譜為380~550 nm,與Eu3+的激發光譜350~450 nm有一部分的重疊,當389 nm的紫外激發光照射到樣品時,Cu+就會由基態被激發到激發態,而此時Eu3+處于基態,那么Cu+的弛豫激發態可以將其能量傳遞給Eu3+,此時Cu+由激發態躍遷到基態,其躍遷能量傳遞給Eu3+,使Eu3+由基態躍遷到激發態,從而增強Eu3+的發射光譜強度,如圖6所示.

圖5 室溫下的發射光譜

圖6 YAP: Eu3+Cu+和YAP:Eu3+的發射光譜

3 結論

本文采用化學沉淀法合成YAP:Eu3+Cu+紅色熒光粉,對化學沉淀法合成工藝條件進行優化;研究不同Eu3+摻雜濃度對熒光粉發光強度的影響規律,并對Cu+對Eu3+的敏化作用進行了簡單研究,得到如下結論:

1)化學沉淀法合成紅色熒光粉YAP:Eu3+Cu+,研究表明,得到純相YAP的工藝條件為:沉淀劑濃度1 mol/L,pH=9~10,鹽溶液濃度為0.3 mol/L,pH=3~4,采用反向慢滴快攪,40 ℃恒溫反應,陳化24 h,洗滌和干燥后研磨,在1 200 ℃下焙燒,保溫2 h;

2)熒光分析得出在398 nm紫外光的激發下,熒光粉發射峰為612 nm,明顯高于589 nm的發射峰,說明Eu3+在晶格基質中主要處于非對稱格位,探究了不同Eu3+摻雜濃度對熒光粉發光強度的影響,得到Eu3+的適宜摻雜量為3%;

3)熒光光譜分析表明,第2種摻雜劑Cu+能增強Eu3+的發光強度,具有敏化作用,理論上是因為Cu+的發射光譜380~550 nm與Eu3+的激發光譜350~450 nm有部分重疊,實驗與理論一致.

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