業界要聞

2012年全球10大芯裝塑封料廠商排名

根據2012第十屆中國半導體封裝測試技術市場年會發布的《2011年度中國半導體塑封料調研報告》及《2011年度江蘇省半導體塑封料調研報告》等數據和行業信息研判，江蘇省半導體行業協會專家預計，2012年度全球10大半導體芯片封裝環氧塑封料（EMC/Epoxy Molding Compound）銷量廠商排名為：（1）日系住友電木，（2）日系日立，（3）日系臺灣長春，（4）歐美系漢高華威，（5）日系松下電工，（6）日系京瓷化學，（7）韓系金剛高麗化學，（8）韓系三星，（9）中國品牌中鵬，（10）日系信越化學。

2012上半年日立并購日東EMC業務，從全球第四躍升至全球第二，使其規模能與住友并駕齊驅；漢高華威從全球第二，下降到2011年度全球第三，2012年度全球第四；中國品牌中鵬快速崛起，躍升至全球第九（多年中資銷冠，2011年度銷量以微弱差距屈居全球第十一位），進一步縮小與全球第七、第八兩家韓系企業銷量差距，形成超韓追日的三國演義新格局。據悉，中鵬的股東有新潮科技、南通華達以及天水華天的關聯企業等構成，近年得到本土龍頭封裝企業鼎力支持，使得本土塑封料供應商快速崛起。

中國市場銷量領先的五大世界級代表品牌為：（1）漢高華威 KL，（2）長春 EME，（3）中鵬 SP，前三大品牌以中低檔料為主；（4）住友，（5）日立，后兩大品牌以中高檔料為主；江蘇的連云港與蘇州是世界級半導體塑封料生產基地。

（來源：IC設計與制造）

Gartner:全球晶圓設備支出2014年恢復成長

國際研究暨顧問機構Gartner發布最新預測，2013年全球晶圓設備(WFE)支出總計為270億美元，較2012年減少9.7%。晶圓設備支出于2012年為299億美元，較2011年的支出規模衰退17.4%；該市場可望在2014年恢復成長。

Gartner表示，半導體設備市場景氣疲軟除了總體經濟不景氣的因素之外，記憶體和邏輯晶片部門對彼此的投資呈反景氣循環(countercyclically)的現象，資本投資在預測期間皆將持平。該機構研究副總裁BobJohnson表示：“晶圓設備市場在2012年年初表現強勁，系因晶圓和其他邏輯晶片制造廠增加30nm以下的生產。新設備需求較原先預期高，因為增加先進裝置需求必須先提升產能，但良率卻未臻至成熟。然而，邏輯生產的新設備需求將隨著良率提高而趨緩，導致出貨量隨著邁入2013年而減少”。

Gartner預測，晶圓制造廠產能利用率將于2012年底下探至80%以下，再于2013年底前緩慢回升至約85%。先進制程的產能利用率則在2012年下半年下滑至85%左右，到2013年底前可望達91%至93%的水準，并提供較為正向的資本投資環境。記憶體于2013年表現仍顯萎靡不振，DRAM產業僅維持基本設備管理的投資，NAND的設備投資在市場達成供需平衡前亦會呈些許下降。晶圓設備市場可望自2014年開始展開新的成長周期直至2016年。

“盡管2012年上半年的庫存修正導致產量降低的情況似已結束，但是庫存量仍處于危險水準。高庫存水位，加上整體市場景氣疲弱，2013年上半年的產能利用率仍將持續受到抑制。”Johnson進一步指出：“智慧型手機和平板裝置雖能刺激邏輯晶片對先進設備的需求，但仍不足將整體產能利用水準拉抬至期望的水準”。

Gartner預期產能利用率將在2013年第二季回升，因為晶片生產的需求恢復，以及2012年下半年與2013年上半年所采取的資本支出抑制策略使得新增產能趨緩。整體產能利用率可望于2013年底前恢復到正常水準，并為資本投資提供持續的動能。

Gartner之前即已警示資本支出前景已顯著趨緩，因為急速衰退的總體經濟環境已影響消費者支出意愿，所產生的涓滴效應(trickle-downeffect)進而打擊資本支出。Gartner對2012年晶圓設備資本支出的預測，已從第三季發布之減少9.3%進一步下修至衰退10.7%。同時預期，半導體制造商仍將苦于因應產能過剩及疲弱的經濟景氣，2013年的資本支出將持續下滑，衰退幅度達14.7%。

2013年晶圓代工產業的支出將成長7.4%，系因整合元件制造商 (IDM)與半導體封測業者(SATS)支出預期將大幅縮減。2013年之后，記憶體與邏輯晶片的支出將趨于一致，2014年可望有顯著成長，2015年亦將有持平或微幅成長之表現。而受惠于行動裝置市場的蓬勃，2012年邏輯晶片的支出系資本投資唯一呈正成長之部門，支出較2011年增加3%，主要系因幾家領先的大廠積極投入30nm以下節點的投資。

(來源:EE Times-Taiwan)

Gartner：今明年半導體市場挑戰重重

Gartner表示，2013年全球半導體收入預計將達到3110億美元，相比2012年增長4.5%。由于經濟和政治上的不穩定性，Gartner將第四季度預期從上一季度的3300億美元進行下調。

分析師降低了2012年半導體收入增幅預測至2980億美元，相比2011年減少3%。Gartner在第三季度對2012年的收入預測是3090億美元，相比2011年增加0.6%。

Gartner首席分析師Peter M iddleton表示：“迫在眉睫的財政懸崖，持續的歐債危機，放緩增長的新興市場以及區域緊張局勢都是導致2012年和2013年半導體收入增幅預期下調的原因。庫存水平已經2012年下半年已經達到高點，隨著PC需求下降，將出現供過于求的狀態。”

2012年DRAM價格沒有反彈使得半導體市場進一步低迷。Gartner預測，DRAM市場在2013年下半年才會開始復蘇，到那時，較低的供應增幅預計將拉動整個市場進入一段時間的供不應求。這應該是半導體行業的轉折點；內存預計將率先復蘇，增長15.3%，到2014年半導體整體收入預計將達到3420億美元，比2013年增長9.9%。預計“蘋果效應”仍將在2013年持續存在，幫助推動NAND閃存和ASIC收入增幅分別達到17.2%和9.4%。Gartner將蘋果的A4、A5和A6應用處理器歸類為ASIC，因為這些都是定制的處理器，由蘋果專門設計并為它自己所使用。ASIC還將受益于在2012年底和2013年推出的新一代視頻游戲平臺。

PC產量將在2012年下滑2.5%。在2013年，整個PC產量預計仍然保持較為薄弱的狀態；然而，超便攜式PC將在小范圍內強勁增長。充滿挑戰的經濟環境為PC生命周期延長做出了貢獻，因為用戶開始使用平板電腦從而延長了他們PC設備的壽命。

由于嚴峻的經濟形式減少了對手機的短期需求，因此2012年和2013年手機產量將整體放緩。然而，對于公共/基礎智能手機的需求預計將有所增長。尤其是對基于Android系統的低端智能手機在新興市場的采用將進一步加速，并且成為主要的增長動力。2013年全球智能手機單位產量增長預計將達到33%。

平板電腦的產品預計在2013年預計將增長38.5%至2.071億臺。Amazon Kindle Fire、Google Nexus 7和Apple iPad M ini所取得的成功證明了那些價位合適、體積更小的平板電腦產品蘊含著的巨大商機，同時白牌平板電腦市場的表現也高于預期，這帶動了整體預測的提升。

（出自：ZDNet）

M entor Graphics支持三星14nm IC制造工藝平臺問世

明導公司（Mentor Graphics Corp）日前宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設計、制造與后流片實現（post tapeout）平臺問世，這一平臺能夠為客戶提供完整的從設計到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor流程可幫助客戶實現快速設計周期和晶圓生產的一次性成功。

明導專門用于三星14nm晶圓優化的解決方案，包含設計規則檢查（DRC）、LVS查驗、提取、可制造性設計（DFM）和先進填充等功能的Calibre平臺，以及Tessent可測試性設計（DFT）套件和良率分析工具。

Calibre平臺創建了分解后的雙重圖形（DP）版圖，符合三星所有14nm光刻技術的要求，并且專為三星的掩模綜合和OPC工藝作了微調，后者在14nm中的工藝也由明導提供。這一平臺還能快速向設計師提供關于FinFETs復雜設計規則的反饋信息，并就消除DFM光刻差錯提供具體指導，以便更快、更精確地修復差錯。用于LVS和提取的Calibre工具經過了校準，以確保符合三星FinFETs的精確設計和寄生模型，消除使用其他工具可能產生的有重大影響的“重復計數”。而且，Calibre SmartFill還通過智能布局填充結構以實現平面性來確保在設計中不會出現CMP問題，同時最小程度地減少時序問題。

之前在Tessent單元識別（cell-aware）測試工具方面的合作，提高了14nm的新單元內部結構的測試質量，并且提高了測試向量壓縮，從而控制較大的14nm晶圓設計的測試成本。明導與三星還通過在Tessent工具與Calibre圖形匹配設施之間交換信息，在設計收尾過程中利用生產測試診斷來迅速識別并消除因設計原因造成的良率限制問題。

（出自：IC設計與制造）

SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管

SoC（systemonachip）是智能手機及平板電腦等移動產品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術又有了新選擇。那就是最近意法半導體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI）技術。

如果采用FDSOI技術，無需使晶體管立體化便可繼續推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術和設計技術，因此無需很多成本即可繼續推進微細化。對于希望今后仍長期享受SoC微細化恩惠的設備廠商來說，這將是很好的選擇。

在成本和性能方面優于FinFET

FDSOI是用很薄的氧化膜（buriedoxide：BOX）將晶體管的管體（溝道）和Si基板隔開，將管體減薄至幾納米厚，從而使溝道完全耗盡的技術。這與溝道立體化以使其耗盡的三維晶體管（FinFET）一樣，能夠有效抑制隨著柵極長度變短、漏電流增大的短溝道效應。

制造FDSOI需要比Si基板貴的SOI基板，因此制造成本與BulkCMOS差不多。能使用原有設計技術是與需要大幅改變設計工具和電路布局的FinFET最大的區別。因為能減小電路設計方面的限制，集成度也容易提高。

意法半導體將采用FDSOI技術使平面構造的晶體管延續到10nm工藝。2014年將量產14nm工藝技術，2016年將量產10nm工藝技術。

采用FDSOI技術的晶體管能夠沿用BulkCMOS技術使用的很多制造工藝和設計技術。工作性能超越BulkCMOS，驅動電壓低時性能尤為出色。

在工作速度和耗電量等性能方面，意法半導體的Magarshack認為“FDSOI比FinFET更有優勢”。FinFET隨著溝道的立體化，寄生電容增大，工作速度容易降低，而FDSOI可以避免這一問題。另外，除柵極電極側以外，還可通過超薄的BOX層由基板側動態施加偏壓，因此閾值電壓的控制性好。在驅動電壓低、容易出現閾值電壓偏差問題的移動產品用SoC中，這一特點可以充分發揮作用。

確立管體膜厚的控制技術

不過，FDSOI在量產時間上落后于FinFET。美國英特爾已從2012年在22nm工藝微處理器中采用了FinFET，中國臺灣臺積電（TSMC）等代工企業也準備在2014年開始量產的16～14nm工藝中采用FinFET。

FDSOI原來面臨的課題是很難控制只有幾納米的管體厚度。由于管體厚度是決定閾值電壓等晶體管特性的參數，因此每次技術更新換代，都要減薄厚度。隨著微細化的發展，技術難度加大，難以進一步減薄。

意法半導體此次通過與法國知名SOI基板制造商Soitec公司、法國研究開發機構CEA-Leti及開發CMOS工藝的合作伙伴美國IBM等合作解決了這一問題，“確信能夠微細化到10nm工藝”（Magarshack）。

首先將應用于智能手機SoC

FDSOI技術將首先應用于智能手機及平板電腦的SoC。意法半導體的合資子公司瑞士ST-Ericsson將在2012年內推出的28nm工藝SoC中采用該技術。

意法半導體今后將在該公司針對數碼相機及游戲機等的SoC上采用FDSOI技術，并向美國GLOBALFOUNDRIES公司提供了制造技術，以便外部的設備廠商及半導體廠商采用該技術。GLOBALFOUNDRIES公司計劃“從2013年7～9月開始提供28nm工藝的FDSOI技術”。

本土芯片測試企業在逐漸壯大

“中國芯”企業成長十年有余，也催生了一批芯片/晶圓片（wafer）測試企業。例如上海華嶺集成電路技術股份有限公司，2001年初創時期，國內IC產業鏈還不夠完善，很多初創和成長中的設計公司沒有能力解決測試問題，尤其是在研發過程中或者市場過程中需要測試解決的問題。通過十多年的發展，華嶺已在IC專業測試方面得到了行業的認可。

目前，華嶺已在中高端IC測試上做出了一些特色，例如在12英寸45nm、90nm產品的測試上達到了比較領先的水平。另外，該公司還承擔了國家01、02國家重大科技專項的研究任務，在極大規模IC測試的細分領域進行了一些技術研發和創新。其可測試產品覆蓋RF、通信，信息安全、數字音視頻、FPGA、FLASH、高速接口、高速高精度AD/DA等多個領域。

服務三類客戶

現在華嶺客戶以中國企業為主，但國際客戶也正逐步增多。相比國內客戶，國際客戶導入的過程比較長，導入的門檻比較高，但是一旦導入了之后，相對的來講會比較穩定。

從產業鏈角度，華嶺服務三類客戶：一是設計公司，數量最多。因為有較多的設計公司會給IC產業鏈的各個合作伙伴獨立下單，華嶺作為專業的IC測試企業，建立了多級測試平臺，可以滿足不同產品的測試需求，從中高端的SoC產品到量大面廣的消費類電子產品，同時可提供定制服務；二是芯片制造企業，有些芯片制造企業有一定的測試解決能力，但是因為IC類型太多，并不能覆蓋所有的領域和產品；三是封裝企業，封裝企業在測試方面也會有一些解決方案，但也不是包羅萬象，所以華嶺與封裝企業也開展了良好的合作。

聯電宣布客戶完成55nm SDDI制程投片

晶圓代工大廠聯華電子(UMC，以下簡稱聯電)日前宣布，該公司客戶已采用聯電55nm小尺寸熒幕驅動晶片(SDDI)制程，順利完成首個產品投片(tape-out)。聯電現可推出提供高階智慧型手機Full-HD畫質的55nm制程，領先晶圓代工業界。

聯電300mm特殊技術開發處處長許堯凱表示：55nmSDDI制程，加上最近剛推出的新一代80nm技術，以及已量產的0.13μm制程，讓客戶能根據應用產品的不同定位，規劃其智慧型手機產品的顯示方案，包含Full-HD、HD720/WXGA、qHD及WVGA。聯電全方位的SDDI技術解決方案，可滿足熒幕尺寸3.5英寸至5英寸以上的低、中、高階智慧型手機的顯示需求。

聯電表示，該公司55nmSDDI制程特色在于具備了尺寸僅有0.4μm2的SRAM儲存單元，同時在耗電、效能、晶片尺寸之間也提供了完美的平衡，適合使用于講究低耗電與體積輕巧的高階Full-HD畫質智慧型手機。

55nmSDDI客戶產品將會采用先進的300mm晶圓技術進行生產；因應今日主流智慧型手機的需要，聯電至今已出貨逾3億顆SDDI晶片。

來源:EE Times-Taiwan

我國最新一代集成電路制造工藝研發取得突破性進展

近年來，我們使用的電腦、手機等速度更快、耗電更省、成本更低，這有賴于集成電路制造工藝的不斷進步。中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在22nm技術代集成電路關鍵技術研發上取得了突破性進展，掌握這種最先進的集成電路制造工藝將有利于提升我國自主生產制造更加質優價廉的集成電路產品的能力。

22nm技術代集成電路技術是全球正在研發的最新一代集成電路制造工藝，各國都投入了巨大資金，誰先把這種技術開發出來，誰就能降低集成電路產品的成本，搶占市場先機。多年來，我國的集成電路制造工藝大多是在引進國外知識產權基礎上進行產品工藝開發，在全球產業鏈最先進工藝的開發上缺少布局和話語權。2009年，我國在國家科技重大專項的支持下開始22nm技術代集成電路關鍵技術研發工作，經過3年多努力取得突破性進展。

據介紹，22nm約相當于普通成年人頭發絲直徑的1/2300，采用22nm集成電路技術可以在一根頭發絲的橫截面上集成大約1000萬個晶體管，從而使集成電路產品的功能更多樣化，速度更快，成本更低。研究人員摒棄了傳統的二氧化硅、多晶硅等材料，采用了高K材料、金屬柵材料等新材料新工藝，研制出了性能良好的器件，技術水平達到國內領先、世界一流。

研發過程中，中國科學院與北京大學、清華大學、復旦大學的聯合項目組完成了1369項專利申請，其中包括424項國際專利申請，為我國在集成電路領域掌握自主知識產權，取得國際話語權奠定了基礎。該成果的取得也為我國繼續自主研發更先進的16nm及以下技術代的關鍵工藝提供了必要的技術支撐。

臺灣LED照明產業成立聯盟

由工研院協調整合臺灣31家團體會員和2家贊助會員，日前共同成立了“臺灣LED照明產業聯盟”，聯盟召集人童遷祥表示：估計2020年全球照明市場的一半來自LED。

從前身LED路燈聯盟轉型的“臺灣LED照明產業聯盟”舉行成立大會，聯盟召集人、工研院綠能所所長童遷祥表示：聯盟目的在于建立產業交流和合作，創造商機，達到LED(發光二極管)照明產業永續發展的目標。

童遷祥指出：從過去路燈開始LED照明應用，未來進入家庭是必然的趨勢，例如行人紅綠燈的LED小綠人已經全數換裝中，未來臺灣LED產業必需要靠技術、規范、通路、品牌來領先全球。

童遷祥說：這些年下來有將近20萬盞水銀路燈要換裝為LED路燈，經過長期測試，80%沒有色衰，照度仍維持在95%以上。

經濟部能源局長歐嘉瑞指出：產業聯盟成立后可以發揮總合效力，還可帶動各行各業節能，地位非常重要；臺灣的LED照明產值已達全球第3，未來產業推動、規格建立、人才培育等促進產業強大必要元素屬跨單位性質，為日后推動LED產業的重要工作。

童遷祥強調：最新市場信息顯示，2010年到2020年，全球LED照明產業的復合成長率達32%，2020年全球LED照明市場規模將達550億歐元，其中LED燈具與系統產品單價高，2020年市場規模估計可達366億歐元。

英特爾助陣中國將造世界最快計算機？

來自國外媒體的報道稱，中國正在研制史上性能最強大的超級計算機。它采用了英特爾最新IvyBridge架構的至強E5處理器和至強Phi協處理器，總數量高達10萬片。它的計算能力高達100PFLOPS（一個PFLOPS等于每秒1千萬億），比2011年度最快超級計算器快10倍，比現在最快的超級計算機也要快上5倍。

政府部門對這臺超級計算機非?？粗?，它能在航天、城市規劃、醫療等許多領域發揮巨大的作用。超級計算機將被安置在西南某城市，硬件部分耗資數億美元。作為硬件供應商，英特爾提供了它最新的至強E5-2567Wv2處理器(2500美元/顆）、至強Phi5110Pw ith8GBGDDR5協處理器（2649美元/片），光是這兩種芯片的總價就超過了5億美元，還沒有算上主板、ECC校驗內存、機箱、散熱等其他零件，真可謂真正的“重金”打造。

目前有一點可以肯定，這臺超級“怪獸”在很長一段時間都會是世界上最快的計算機，它將對中國的航天事業（登月、火星計劃）做出重要貢獻。不過，其他國家也不甘落后，澳大利亞正在研制1000PFLOPS計算能力的超級計算機，預計數年內投入使用。

芯片制造業和封裝業面臨轉型升級

我國芯片制造代工業由于技術和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設計業快速發展的步伐，無法充分滿足國內芯片代工市場的需求。芯片制造業、封裝業的另一個迫切問題是如何轉型升級。東部沿海制造、封裝企業在喪失地域優勢的情況下，如果不能在技術和模式上轉型升級，將很難在激烈的市場競爭中生存下來。

128nm/22nm工藝產能釋放形成上游行業壟斷

2013年，28nm/22nm工藝技術將成為主流，國外先進工藝產能釋放形成上游行業壟斷。2012年英特爾、三星等國外集成電路制造業巨頭已量產28nm/22nm工藝的產品。而我國集成電路制造業的領軍企業中芯國際2013年才開始量產40nm工藝產品，工藝技術落后兩代，按摩爾定律的工藝更新速度計算，落后國外約5年。

我國芯片制造代工業由于技術和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設計業快速發展的步伐，無法充分滿足國內芯片代工市場的需求。中國大陸集成電路設計業代工需求的一半以上由臺積電、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)等中國大陸之外的代工企業承接，臺積電則占據著中國大陸代工市場的最大份額。目前，中國大陸客戶業務收入所占中芯國際營業額的比重不到40%，且0.18μm～65nm生產工藝芯片代工業務占據了中芯國際收入的近90%，而45nm～40nm高端生產工藝芯片代工業務幾乎全部由其他代工企業承接。當前國內重點設計企業的技術水平已經達到40nm，并且正在研發28nm的芯片，已無法在中國大陸境內找到芯片代工企業。因此由于中國大陸芯片制造代工企業在芯片生產工藝以及可靠性、設計服務上的差距，中國大陸較大的集成設計企業普遍尋求海外代工。

23D封裝技術商用量產沖擊我國現有行業格局

2013年，3D封裝技術經過多年研發積累后將正式形成商用量產。目前Intel和三星等全產業鏈企業、臺積電和臺聯電等芯片制造代工企業以及芯片封裝代工企業日月光(臺)和矽品(臺)相繼發布3D封裝量產計劃。臺積電宣布2013年年初正式推出3D封裝服務。臺聯電的3D封裝線于今年第四季度邁入產品實測階段，并于2013年正式商用量產。3D封裝的商用量產將沖擊大陸行業格局，具體表現在以下幾個方面：

一是3D封裝使封裝行業的技術門檻大幅提高。從傳統的產業鏈分工看，封裝測試業與芯片制造、芯片設計業相比技術門檻較低，但隨著“3D封裝”從概念到產品的逐漸實現，全球集成電路封裝業將迎來技術革命。二是封裝行業與制造行業可能發生融合。由于封裝環節大幅提升了產品的附加值，芯片制造代工企業也開始介入封裝領域，臺積電宣布2013年推出3D封裝業務，這是芯片制造業與封裝業融合發展的重要開端。三是封裝企業將形成兩極分化，龍頭企業的生產規模、利潤增加，中小企業競爭更加激烈，并加快落后企業及落后產能的淘汰。

3東部地區制造、封裝企業面臨產業轉移與轉型升級雙重壓力

集成電路產業是資金密集型、知識密集型產業，但隨著全球集成電路市場競爭的日益激烈，集成電路企業開始愈來愈看重成本問題。隨著沿海地區勞動成本、土地成本的升高，東部集成電路制造、封裝企業面臨要么產業轉移、要么轉型升級提高利潤的兩難選擇。東部沿海地區芯片制造、封裝測試企業與中西部企業相比，用工成本、土地成本在不斷上升，同時由于國家高度重視中西部地區的發展，中西部地區吸引了大量投資，聚集了大批人才，而東部沿海地區原有的人才、資金優勢正逐漸弱化。但產業轉移的資本投入較高，中小型企業不具有轉移的資金實力，而大企業又因為發展慣性整體轉移的可行性不強，企業的轉移能否成功很大程度上取決于中西部地區的優惠政策是否有足夠的吸引力。

2013年芯片制造業、封裝業的另一個迫切問題是如何轉型升級。東部沿海制造、封裝企業在喪失地域優勢的情況下，如果不能在技術和模式上轉型升級，將很難在激烈的市場競爭中生存下來。贏利能力強、財務狀況較好的大企業必須通過技術研發、并購重組提高競爭力，而贏利能力差、利潤率低的企業能夠支付的研發費用非常有限，將面臨不轉型“等死”，轉型“找死”的嚴峻困境。

4我國大陸地區終端芯片設計企業面臨聯發科強勢挑戰

智能終端芯片一直占大陸集成電路設計業的很大比重，也是產業增長的主要動力之一。但大陸的智能終端芯片產品大部分處于中低端，產品的主要競爭力來自于低廉的價格，隨著聯發科、高通等企業紛紛布局中低端芯片產品，大陸智能終端芯片企業恐面臨半導體巨頭的強勢挑戰。2013年，在中低端智能手機芯片領域，聯發科將對中國大陸企業產生巨大沖擊。2012年上半年，聯發科在全球智能手機應用處理器的業務量較去年同期增長13倍，聯發科智能終端芯片的高速增長主要得益于中國大陸中低端智能機市場的旺盛需求。聯發科的強勢回歸對中國大陸企業的沖擊體現在以下兩個方面：首先聯發科各項技術、產品的布局非常完整，其擁有應用處理器、基帶芯片、無線網絡芯片和射頻芯片等智能終端芯片的全部設計技術。其次聯發科善于整合一體化的芯片研發平臺，更加注重技術短板的彌補和解決方案的整合，在技術集成、成本控制、產品戰略等方面具有豐富的經驗。

半導體市場2012年收入降5%智能手機成救命稻草

縱觀全球，2012年整個半導體市場收入降近了5%，僅2000多億美元。與2011年相比，排名前20的半導體廠商中，15家的半導體產品收入在2012年普遍下降，其中包括英特爾、三星、德州儀器、意法半導體等廠商。目前，只有少數幾家公司已控制住下降趨勢，整個市場收益依然呈下滑趨勢。在半導體市場不景氣的情況下，持續增長的智能手機市場成為該市場的救命稻草。

從2011年至2012年，由于智能手機平臺芯片和無線連接集成電路，半導體市場的收入較上年增長近30%，這有利于一些大公司在整個半導體市場低迷的一年中起死回生。半導體業務主管彼得·庫尼提到：“在這個市場上的競爭是十分激烈的，所以擁有較強的市場地位就是很好的收益”。

分析師表示，從邏輯學的角度來說收入的增長不會一直持續下去，加之半導體市場正在面臨平臺芯片與連接電路整合所出現的一些不利因素。另一方面，由于許多高知名度的企業紛紛退出市場，占主導地位的供應商的收入仍有巨大的增長潛力。預計2013年，其收入將會增長13%，但是從2014年起，收入增長速度將明顯放緩。

同時，庫尼指出：在過去的幾年中，曾經占有主導地位的廠商紛紛離開手機集成電路市場。飛思卡爾和德州儀器兩個公司都已經退出，進而關注更多的工業市場。意法半導體公司日前宣布該公司將退出其與愛立信的合資公司。具有高知名度公司的退出表明了手機市場上的激烈競爭，三星和華為公司的垂直整合策略也說明競爭只會有增無減。

（出自：移動 Labs）

GSA:今年大陸IC設計產值達人民幣680億元

全球半導體聯盟（GSA）日前發布「2012中國IC設計產業現況報告」。預估今年中國IC設計產業全球占比將達13.61%、產值達到人民幣680億元，年增8.98%。

這項報告是由中國半導體行業協會積體電路設計分會理事長魏少軍所進行的調查再進行更新整理。

GSA調查，2012年中國IC設計產業占全球IC設計產業的13.61%。雖然整體規模仍然相對較小，但長期來看中國龐大的內需市場以及擁有大量工程人才的潛力已備受全球矚目。

GSA統計，今年全中國IC設計產業銷售額預估達到人民幣680億元（逾108億美元)，年增8.98%。盡管全球半導體市場現今面臨許多挑戰，中國在未來幾年將扮演影響全球市場成長的重要角色。

GSA強調，隨半導體產業進入「后摩爾時代」的不確定性增加，技術路線的定義也漸趨模糊。面對這樣的改變，中國IC設計公司應做好萬全準備，包括報告中所提及的，全面提升物理設計能力、建立堅強的設計團隊等。

由于在先進制程高額投資將使IC設計公司及晶圓制造廠的合作關系更加緊密，GSA分析IC設計公司應與晶圓廠建立新的戰略合作夥伴關系；中小型IC設計公司的創新能力持續是「后摩爾時代」成功的關鍵因素之一。