西瓜雙斷根嫁接與基質育苗技術

張娟 李俊玲

嫁接育苗是解決西瓜連作障礙、有效防治枯萎病的重要技術措施。目前大都采用砧木帶土嫁接或砧木離土嫁接后移入營養缽的常規技術，存在著操作不便、苗床占地面積大等缺點，而且在西瓜的生長后期，還易出現砧木根系衰老現象。為解決這些問題，吐魯番地區引進了一種簡便、實用的西瓜嫁接育苗技術，即雙斷根嫁接與基質培養育苗技術，試驗很成功，現把該技術總結出來供生產條件類似地區的瓜農或育苗工作者參考。

1 雙斷根嫁接與基質培養育苗技術的優點

一是便于操作，降低勞動強度；二是嫁接育苗周期短，由原來的45 d(天)左右縮短為30 d左右；三是西瓜產量高，砧木斷根后所發生的不定根較原有根活力更強，提高了西瓜的抗逆性和生長勢；四是苗床占地少，提高單位面積的出苗率。

2 主要技術要點

2.1 砧木品種選擇

砧木應選用與西瓜共生親和性好的品種。長瓠瓜是西瓜嫁接的理想砧木，也可選擇西瓜專用砧木及共生親和力好的白籽南瓜作砧木。

2.2 嫁接苗培育

2.2.1 育苗基質配制 選用符合標準的無土育苗基質草炭和珍珠巖按體積3 ∶ 2混合，并且每m3加入200 g多菌靈充分拌勻，配制好后堆放2~3 d方可使用。

2.2.2 砧木和接穗的播種 砧木播種選用45 cm×45 cm的育苗方盤，先在盤中鋪3~5 cm厚的育苗基質并壓實，適當澆水造墑后播催好芽的砧木種子，要求行距5 cm，株距1.5~2 cm，每盤播種約200粒，再覆蓋1.5~2 cm厚蛭石，保持適宜環境溫度為28~30 ℃。接穗西瓜采用同樣的方盤，先鋪3~5 cm厚的基質，適當澆水造墑后撒播催好芽的西瓜種子，要求株行距2 cm，每盤播種約500粒，再覆蓋厚約1 cm的蛭石，保持適宜環境溫度為28~30 ℃。要求砧木比接穗西瓜早播種8~10 d。

2.2.3 嫁接前管理 砧木出苗前基質不宜干燥，待苗子出齊后要適時控水。做好病蟲害預防工作，子葉平展期噴1次75% 百菌清800倍液，嫁接前1 d噴70% 甲基硫菌靈800倍液。西瓜出苗前基質也不宜干燥，嫁接前噴1次70% 甲基硫菌靈1 000倍液預防病害。

2.3 嫁接

2.3.1 嫁接適期選擇 西瓜雙斷根嫁接的適宜時期為砧木第1片真葉大小同五分錢硬幣，接穗西瓜子葉平展。

2.3.2 澆水 砧木在嫁接前1 d澆透水。西瓜苗嫁接前要噴水。

2.3.3 嫁接方法 采用插接法。（1）斷根：砧木從子葉下5 cm處平切斷，西瓜苗靠根頸部隨意割下。（2）砧木苗去心、插孔：用手掐去砧木苗的真葉和生長點，然后用與接穗下胚軸粗細相同的竹簽（竹簽一頭為楔形），在砧木掐去生長點處呈45° 向下斜插深約0.5~0.8 cm，竹簽暫不拔出。（3）削切西瓜苗：在西瓜苗子葉下方0.5 cm處，由葉端向根端斜削長約0.5 cm的楔面，把苗莖削成單斜面形。（4）插接：從砧木苗莖上拔出竹簽，隨即把削好的接穗插入砧木孔中，把砧木和接穗的切口互相嵌入即可。

2.3.4 扦插 用50孔育苗穴盤裝入普通育苗基質，澆透底水后扦插嫁接好的西瓜苗，每穴扦插1株，扦插深度3 cm左右。把扦插好的穴盤緊密排列在苗床上，搭建小拱棚，覆蓋薄膜和遮陽網，澆足水。

2.4 嫁接后的管理

從嫁接到成活需10~12 d，此期間必須做好保濕、保溫、遮光、除萌、倒苗和煉苗等工作。

2.4.1 濕度管理 為了促進接口愈合，嫁接后頭3 d要密封棚室，棚內濕度達到飽合狀態為最佳，定期用小噴壺在苗子上方進行噴霧，以增加棚室濕度。3 d后濕度在70%~80% 即可。

2.4.2 溫度管理 為了促進接口愈合，嫁接后頭3 d棚內溫度白天保持28~30 ℃，夜間18~20 ℃，3 d后通風降溫，白天溫度保持在22~23 ℃，夜間14~17 ℃。

2.4.3 遮光處理 嫁接后頭3 d棚室要全部密封，小拱棚加遮陽網，避免陽光直射苗床，防止嫁接苗萎蔫。3 d后逐漸增加光照時間。5~6 d后逐漸撤除小拱棚，轉入正常管理。

2.4.4 除萌管理 及時除掉砧木上的萌芽，但不要損傷接穗和子葉。

2.4.5 倒苗 嫁接苗長到1葉1心時，通過把育苗溫室南面穴盤和北面穴盤位置調換，調換幼苗的南北位置，保證幼苗生長一致，培育壯苗。

2.5 適時定植

待西瓜嫁接苗達到 3葉1心、苗子健壯時即可定植。定植前1周要進行低溫煉苗，以增強幼苗的適應能力，提高幼苗的定植成活率。