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原位本體聚合制備聚甲基丙烯酸甲酯/量子點納米復合材料及其性能

2012-06-11 07:08:28張旺喜龔興厚蔣久信王小濤劉嘉寧
武漢工程大學學報 2012年6期
關鍵詞:復合材料

張旺喜,張 倩,2,龔興厚*,蔣久信,王小濤,劉嘉寧

(1.湖北工業大學化學與環境工程學院,湖北 武漢 430068;2. 北京化工大學材料科學與工程學院,北京 100029)

0 引 言

半導體納米晶體材料,也稱量子點(Quantum dots,QDs),因其具有獨特的量子尺寸效應、表面效應和介電效應而表現出新奇的光電及化學性質,在發光材料、非線性光學材料、光敏材料、光催化材料等方面具有廣闊的應用前景[1-2].但是納米顆粒的高表面能使其容易團聚,限制了它的應用范圍[3].將量子點與聚合物材料復合,可以有效的防止納米粒子團聚,有利于保持其發光穩定性,從而實現從納米材料到功能器件的轉化[4-5].關于聚合物/量子點復合材料的制備方法在文獻[6]中有比較全面的綜述.而將量子點進行適當的表面修飾后,分散在聚合物單體中直接引發本體聚合的方法應用最為廣泛[4-6].

本文采用原位本體聚合的方法制備了PMMA/CdSe-ZnS核-殼量子點納米復合材料,對PMMA/CdSe-ZnS的光致發光性能、熱性能、紅外光譜、微觀形貌等進行了研究.

1 試 驗

1.1 試劑及原料

甲基丙烯酸甲酯(MMA):分析純,北京益利精細化學品有限公司,使用前經減壓蒸餾提純;過氧化二苯甲酰(BPO):分析純,國藥集團化學試劑有限公司;CdSe-ZnS核-殼量子點的三氯化碳溶液:武漢珈源量子點開發技術有限公司,為使量子點穩定,量子點表面修飾有三正辛基氧化磷(tri-n-octylphophine oxide),量子點濃度8 μmol/L、粒徑4 nm左右;三氯化碳(ClC3),分析純,天津市福晨化學試劑廠.

1.2 試樣的制備

在試管中加入量子點溶液1 mL;待溶劑揮發完以后,加入2 mL新蒸餾的MMA單體和占MMA質量分數0.1%的BPO引發劑;室溫下超聲處理15 min以促使引發劑和量子點充分溶解到單體中;然后在90 ℃水浴鍋中進行預聚合約25 min使之達到一定粘度;再將反應物趁熱緩慢倒入玻璃模具中,并使之在60 ℃下進行低溫后聚合12 h以上;最后脫模即得PMMA/CdSe-ZnS納米復合材料.純的PMMA樣品采用同樣步驟制備.

1.3 表征與測試

取本體聚合得到的膜狀樣品進行傅立葉變換紅外光譜儀(Magna-IR760型,美國Nicolet公司)測試.

將純PMMA和PMMA/QDs用CCl3溶解,3 000轉離心處理后用注射器吸取少量溶液滴于銅網上,利用透射電鏡(TEM,JEOL 2010 HT型)觀察,操作電壓200 kV.

PMMA/QDs膜狀樣品的光致發光譜(PL)采用Cary Eclipse型熒光分光光度計進行測試,激發波長為298 nm.

使用TGA(Netzch STA449c,Jupiter)測試PMMA和PMMA/QDs的熱失重性能,試驗溫度為20 ~ 400 ℃,升溫速率10 K/min,氮氣流速為20 mL/min,樣品質量為12 mg.

2 結果與討論

2.1 紅外光譜分析

圖1 PMMA(a)和PMMA/CdSe-ZnS納米復合材料(b)的紅外光譜Fig.1 FT-IR spectra of PMMA(a) and PMMA/CdSe-ZnS nanocomposite (b)

2.2 熒光光譜(PL)分析

圖2為CdSe-ZnS量子點PMMA/CdSe-ZnS納米復合材料的熒光發射譜,從圖中可以看出,CdSe-ZnS量子點的發射峰在595 nm左右,而且發射峰尖銳對稱,發光峰的半高寬很小.PMMA/CdSe-ZnS復合材料的最佳熒光發射峰在605 nm左右,與CdSe-ZnS量子點的峰位對比發生了10 nm的紅移,而且也是尖銳、對稱的,說明了量子點在聚合物基體中不僅穩定存在,而且粒徑分布窄,單分散性好.發生紅移的原因可能是由于聚合物和QDs間較強的相互作用引起的.天津大學杜希文教授在研究氧化鋅量子點的合成時也發現:當量子點表面修飾適量油酸后,也會出現發光譜紅移的現象[8].

圖2 CdSe-ZnS量子點(a)和PMMA/CdSe-ZnS納米復合材料(b)的熒光發射譜Fig.2 PL spectra of CdSe-ZnS QDs(a) and PMMA/CdSe-ZnS nanocomposite(b)

2.3 透射電鏡(TEM)分析

圖3是以氯仿為溶劑的PMMA/CdSe-ZnS復合材料的透射電鏡照片,圖片右下角為樣品在365 nm紫外光照射下的數碼照片.從數碼照片可以看出樣品在紫外光激發下,發明亮、均勻的橙紅色光,與其對應的熒光峰相吻合,且樣品常溫放置幾個月后,仍能穩定發光,說明量子點在聚合物中分散很均勻,且聚合物對量子點具有很好的穩定作用.從TEM照片中可看出,CdSe-ZnS納米顆粒粒徑非常均一,為4 nm左右,與量子點原始尺寸一致.用注射器滴加到銅網上后,隨著溶劑的揮發,大部分量子點都能均勻分布,雖然出現了少量的聚集,但CdSe-ZnS納米顆粒仍能保持納米尺度形貌,并沒有觀察到納米粒子嚴重聚并的現象,說明原位本體聚合方法成功的制備了PMMA/CdSe-ZnS納米復合材料.

圖3 PMMA/CdSe-ZnS納復合材料的TEM照片Fig. 3 TEM Micrographs of PMMA/CdSe-ZnS nanocomposites

2.4 TGA測試

圖4為PMMA和PMMA/CdSe-ZnS的TGA曲線,PMMA和PMMA/CdSe-ZnS的TGA曲線非常類似,最大熱失重速率均在250~420 ℃之間,當溫度達到430 ℃時,重量損失均約為100%,但PMMA/CdSe-ZnS最大熱失重速率出現時的溫度比PMMA有明顯的提高,這一結果說明量子點的加入,及其在基體中的良好分散對聚合物的熱性能具有明顯的提高作用.在PMMA/CdS復合體系中也具有類似的研究結果[9].

圖4 PMMA和PMMA/CdSe-ZnS的TGA曲線Fig.4 TGA curves of PMMA(a) and PMMA/CdSe-ZnS nanocomposite(b)

3 結 語

本文采用本體聚合法合成了透明塊體PMMA/CdSe-ZnS復合材料,實驗結果證實:CdSe-ZnS量子點在PMMA基體中能夠均勻的分散,并且易于長期保存,另一方面,量子點的加入對聚合物的熱性能也有一定程度的提高.本方法解決了量子點容易團聚、液體狀態難以長期保存,且發光不穩定的問題,為量子點器件的發展使用提供了一種有效的制備方法.

參考文獻:

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