Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET?功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出新款8 V和20 V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET——Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1×1×0.55 mm和1.6×1.6×0.6 mm的CSP MICRO FOOT?封裝。

在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中，今天推出的器件將用于電池和負(fù)載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實(shí)現(xiàn)超薄的外形，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低能耗，延長(zhǎng)兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負(fù)載開(kāi)關(guān)上的壓降更低，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

對(duì)于導(dǎo)通電阻比空間更重要的應(yīng)用場(chǎng)合，8 V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5 V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻分別為20 mΩ和23 mΩ。器件采用1.6×1.6×0.6 mm CSP封裝。更小的1×1×0.55 mm的Si8466EDB 8 V N溝道MOSFET在4.5 V下的最大導(dǎo)通電阻為43 mΩ，將用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場(chǎng)合。Si8466EDB的典型ESD保護(hù)達(dá)到3 000 V。

Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2 V電壓下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見(jiàn)的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定。