MPCVD法合成單晶體金剛石的工藝探索（下）①

吳 改，陳美華，宮旎娜，劉劍紅，王健行

（中國地質大學珠寶學院，湖北 武漢 430074）

MPCVD法合成單晶體金剛石的工藝探索（下）①

吳 改，陳美華，宮旎娜，劉劍紅，王健行

（中國地質大學珠寶學院，湖北 武漢 430074）

在CVD法合成單晶體金剛石技術中，如何提高生長速率、生長質量以及單晶體體積是業界關注的焦點。文章選取5粒（100）方向的合成單晶金剛石作為種晶材料，其中包含2粒IIa型CVD法合成的種晶，3粒Ib型HPHT法合成的種晶，采用MPCVD法合成單晶體金剛石，獲得了較理想的階段性進展。實驗參數范圍是：溫度為800℃～1100℃，壓力為8000～11000Pa，功率為2500W。通過顯微放大觀察發現樣品實現三維的生長模式，即在生長過程中表面積不斷擴大，厚度不斷增長，并在各表面留下了有明顯特征的階梯狀生長紋和錐形生長丘。其中厚度最大增值為0.52mm，重量增加0.13ct。實驗中首次得到了高質量透明的金剛石生長層。拉曼光譜分析表明，合成樣品均存在金剛石特征的1332cm－1強峰，部分樣品還伴隨有少量的非金剛石相。

MPCVD；單晶；金剛石

3 測試與分析

5個樣品生長后均呈現出不同程度的變化，目測或顯微鏡下均可見一定的厚度（圖7至圖9），部分樣品在四個角頂發育出新的生長面，即（111）面，其中HPHT－1平均厚度增加0.52mm，增重0.1315ct，生長速率大約9μm／h。大多數生長層顏色以棕－褐色為主，HPHT－2表面為近無色，HPHT－3為近無色的透明生長層。HPHT－3生長層平均增厚0. 11mm，增重0.058ct，生長速率大約為5μm／h，透射光下全透明，HPHT－1透射光下為半透明，其余樣品透射光下基本不透明。

圖7 CVD種晶生長后表面特征，CVD－1（左）增厚0.02mm，CVD－2（右）增厚0.01mm Surface characterization of CVD substrates after experiment，CVD－1（left）increased 0.02mm，CVD－2（right）increased 0.01mm

圖8 HPHT－1和HPHT－2生長后表面特征，HPHT－1（左）增厚0.52mm，HPHT－2（右）增厚0.11mmFig.8 Surface characterization of HPHT－1and HPHT－2substrates after experiment，HPHT－1（left）increased 0.52mm，HPHT－2（right）increased 0.11mm

圖9 HPHT－3生長后表面特征，HPHT－3（左）為透明生長層，HPHT－3（右）增厚0.11mmFig.9 Surface characterization of HPHT－3substrates after experiment，HPHT－3（left）has transparent growth layer，HPHT－3（right）increased 0.11mm

放大觀察發現，樣品表面均形成了與單晶CVD金剛石生長有關的階梯狀生長紋［21］，不僅在（100）生長面發現了該特征，甚至在與（100）面近乎垂直的其余4個方向均觀察到了該特征，因此有理由相信，樣品同時發生了橫向和縱向的生長，使得表面積不斷的擴大。其中HPHT－3表面非常平坦，CVD－2和HPHT－2的表面近平坦，均以連續的階梯狀生長紋為主，而CVD－1和HPHT－1表面除存在階梯狀生長紋之外，還存在明顯的生長丘（或錐形丘），呈現出金字塔形狀，在金字塔邊緣，可以見到明顯的階梯狀生長紋，而在金字塔頂端存在極小的晶體缺陷。生長丘的存在表明了金剛石的生長環境并非完全理想，其形成或與種晶的預處理有關，或與實驗過程中的參數設置有關，但經過拋光即可去除。值得關注的是，此種表面形貌與CVD合成多晶金剛石的形貌特征截然不同，后者是由連續或不連續的多取向的細小晶粒所組成的。而本次實驗，僅在HPHT－1的四個角頂以及HPHT－3的邊緣部分，發現了少量的多晶金剛石的小晶粒。

圖10 樣品生長后的Raman光譜Fig.10 Raman spectra of substrates after growth

通過拉曼光譜測試（圖10），發現樣品均顯示了與金剛石有關的1332cm－1峰，以CVD合成金剛石為種晶的生長層雜質相對較少，金剛石純度較高，而HPHT－1樣品存在1385cm－1的微晶石墨峰［22］，HPHT－2存在1450cm－1寬帶。Ferrari等認為1450cm－1是由轉聚乙炔的C＝C鍵彎曲振動所引起的［23］。在對實驗參數進行調整后，HPHT－3的生長層質量相對于HPHT－1和HPHT－2有了明顯的提高，在1450cm－1附近只顯示出一條很弱的寬帶。利用拉曼光譜儀自帶的顯微放大系統能清晰地觀察到各金剛石樣品表面的形貌特征（圖11）。

圖11 樣品生長后的微形貌特征（A－C：錐形丘；D－F：階梯狀生長結構）Fig.11 Morphological characterization of samples after growth（A－C：pyramidal hillock；D－F：step－growth structure）

4 結論

1.顯微觀察和拉曼光譜分析表明，采用MPCVD法在合成金剛石種晶上制備出了單晶體CVD金剛石，質量最好者為近無色透明單晶層，樣品最大增厚0.52mm，最大生長速率在9μm／h，實驗獲得了較理想的階段性進展。

2.拉曼光譜分析結果表明，合成樣品均存在具有金剛石特征的1332cm－1強峰，但部分樣品還伴隨有1385cm－1和1450cm－1的非金剛石相的弱峰，樣品表面主要呈現出與單晶CVD金剛石有關的生長階梯和錐形生長丘。“階梯流”的模式是單晶金剛石生長的主要特征，生長丘則可能與樣品表面存在一定的缺陷和瑕疵或者生長條件不穩定有關。

3.實驗結果表明，氫氣、甲烷的比例和濃度，生長腔內的溫度和壓力條件對生長質量和速率的控制尤為關鍵，種晶的類型和制備技術對生長質量也有重要影響。

［21］Pawan K.Tyagi，Abha Misra，K.N.Narayanan Unni，et.al.Step growth in single crystal diamond grown by microwave plasma chemical vapor deposition［J］.Diamond ＆Related Materials，2006，15：304－308.

［22］M.G.Donato1，G.Faggio1，M.Marinel，et.al.High quality CVD diamond：a Raman scattering and photoluminescence study.THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B，2011，20：133－139.

［23］葉永權，匡同春，雷淑梅，等.金剛石（膜）的拉曼光譜表征技術進展［J］.金剛石與磨料磨具工程，2007，161（5）：17－21.

發展超硬材料產業基地 積極打造中原經濟區

鄭州市十三屆人大六次會議印發鄭州市發展和改革委員會主任史占勇《關于鄭州市2012年國民經濟和社會發展計劃執行情況與2013年計劃草案的報告》。解讀“強投資”、“全面推進新型城鎮化”、“推動工業轉型升級”、“推進服務業提質增速”等系列關鍵詞，我們對2013年的發展感到樂觀。

特別是在鄭州工業轉型升級方面，以加快發展主導產業為支撐，著力推動工業轉型升級。重點措施包括：積極推進5000億級汽車及裝備制造業基地、5000億級電子信息產業基地和生物及醫藥產業基地，以超硬材料為主的新材料、以高端新型耐材為主的新材料、鋁精深加工、現代食品、品牌服裝及家居制造等6個千億級產業基地建設。力爭開工建設總投資536.9億元的74個超億元重點工業項目。力爭新創建國家級新型工業化產業示范基地1個，省級2個，市級3個。開展數字鄭州工程、城市管理智能化工程等九大重點項目建設。新建省級研發中心40家，國家級研發中心2家。新建孵化器8家。力爭全年新增中國馳名商標5件、河南省著名商標50件、名牌稱號的產品數30個。

（鄭州日報）

江南紅箭等待中南鉆石拯救

湘股江南紅箭（000519）發布2012年度年報，雖然公司去年營業收入達到3.02億元，但是歸屬于上市公司股東的凈利潤卻出現1100萬元的虧損。記者發現，公司同時發布了收購中南鉆石的交易報告書，而今年公司是否能扭虧為盈就全看這筆交易了。

對于江南紅箭來說，投資者對其大股東兵器集團的資產注入預期一直沒斷過，自中南鉆石收購報告書草案公布之后，江南紅箭的股價扶搖直上，從最低的6元左右，一直上漲到12元左右。雖然股價節節上漲，但是公司去年業績卻差強人意。年報顯示，江南紅箭去年營業收入3.02億元，同比下降13.23%，凈利潤虧損1100萬元。不過，公司關于中南鉆石收購案卻成為了看點，收購草案顯示，此次公司非公開發行股票價格為9.68元／股，股份發行數量為4.1億股。公司募集配套資金總額不超過13.23億元，用于收購中南鉆石100%的股權。

根據預測，中南鉆石2013年凈利潤將有3.873億元，而江南紅箭預計本次收購完成后，公司2013年凈利潤在3.802億元左右，按此推算，江南紅箭今年的凈利潤將完全由中南鉆石提供。記者經過測算后發現，如果江南紅箭凈利潤真能達到3.802億元，那么根據目前股價動態市盈率在20倍左右，與主營業務同為金剛石的黃河旋風（600172）的動態市盈率基本相同。

（長沙晚報）

Experiment of synthesizing single－crystal diamond by MPCVD

WU Gai，CHEN Mei－hua，GONG Ni－na，LIU Jian－hong，WANG Jian－xing
（Gemmological Institute，China University of Geosciences，Wuhan 430074，China）

In the technology of CVD synthetic single－crystal diamond，the problems of how to improve the growth rate，layer quality and single－crystal volume have become the hot spot in this field.In our experiment，the single－crystal diamonds are grown by the MPCVD method，and we have got a satisfying step progress.Five pieces of（100）－oriented synthetic diamonds are chosen as substrates for this experiment.Two of them are identified as type IIa，and the other three are tested as type Ib.The growth temperature is approximately 800～1100℃，and the pressure is about 8～11kPa.The microwave power is stabilized 2.5kW.The surface morphologies of samples are observed and analyzed by microscope and Raman system，which show the three－dimensional growth model，step－bunched surface，and pyramidal hillocks.The most excited one increased 0.52mm and 0.13ct.We have also got transparent growth layer of high quality for the first time during this experiment.The Raman spectra shows obvious diamond peak 1332cm－1，and in addition，some of the samples are coupled with few non－diamond phases.

microwave plasma chemical vapor deposition；single－crystal；diamond

TQ164

A

1673－1433（2013）01－0033－05

2012－12－15

吳改（1988－），男，中國地質大學（武漢）地球科學學院礦物學、巖石學、礦床學碩士，研究方向：人工寶石