抗反輻射導彈兩點源誘偏技術研究

韓紅斌，顧振杰，徐東東，劉 宇

（中國人民解放軍91336部隊，河北 秦皇島066326）

0 引言

反輻射導彈（ARM）是一種利用敵方雷達輻射源的電磁波進行導引并攻擊該雷達及其載體的導彈［1］。在現代戰爭中，ARM 對雷達的威脅越來越大，對雷達的作戰效能和生存能力提出了嚴峻的挑戰。目前，應對ARM 的措施主要有：建立專門的ARM 告警系統、采用先進的雷達體制、采用雷達誘餌技術和硬殺傷技術，其中，雷達誘餌技術是一種經濟有效的對抗措施。

雷達誘餌技術是通過多個輻射源的布陣在空間產生一個合理的合成場分布，對ARM 進行誘偏，從而實現對雷達和誘餌的雙重保護［2］。本文利用合成場原理，運用等相位面的梯度推導出了多點源誘偏誤差公式，并對兩點源誘偏進行了研究，仿真分析了兩點源的誘偏效果，獲得了一些對誘餌實際部署有指導性的結論。

1 多點源的合成場和誘偏公式

雷達、誘餌與ARM 的幾何關系如圖1所示。

圖1 雷達、誘餌與ARM 的幾何關系

令被保護雷達位置為坐標原點，第i個輻射源坐標是（xi，yi，zi），t 時 刻ARM 的 空 間 坐 標 位 置 為P（xA，yA，zA），t時 刻 各 輻 射 源 與ARM 導 引 頭 的 斜距為：

ARM 處的合成場矢量、合成場的幅度和相位分別為：

式中：

令雷達發射信號為參考信號，誘餌信號相對于雷達發射信號的初始相位差是φi0，φ00為0。

等相位面的梯度為：

式中，合成波陣面的法線方程為：

令z為0，由上述法線方程，可得空間任一點的梯度向量同xoy 平面的交點，即位于P（xA，yA，zA）處的ARM 直接攻擊時的可能的彈著點為：

2 兩點源誘偏分析

兩點源誘偏平面坐標系如圖2所示。……