電工實驗室恒流電子負(fù)載設(shè)計與實現(xiàn)

謝 莉，蔣 偉，吳 松，闞世奇

(揚(yáng)州大學(xué) 能源與動力工程學(xué)院，江蘇 揚(yáng)州 225127)

恒流電子負(fù)載是電類實驗教學(xué)必需的設(shè)備。實驗教學(xué)要求：電子負(fù)載應(yīng)該能實現(xiàn)電流和電壓調(diào)整，保證相應(yīng)情況下電流和電壓的穩(wěn)定，能很好地實現(xiàn)參數(shù)調(diào)整和顯示，以適應(yīng)各種實驗項目和實驗內(nèi)容的需要[1]；具有完備的保護(hù)功能，在發(fā)生短路或過載時不損壞電源和電路；成本低、損壞率低、維修簡便。

由于電路理論、電子技術(shù)和電工學(xué)等實驗教學(xué)具有學(xué)生人數(shù)多、儀器設(shè)備使用率高、學(xué)生操作不熟練等特點，學(xué)生操作不當(dāng)經(jīng)常會造成電源輸出端短路和過載，導(dǎo)致電源損壞，影響實驗的進(jìn)行。為了滿足上述要求以及提高電工實驗室的利用效率，系統(tǒng)采用了模擬器件為控制核心、單片機(jī)為人機(jī)接口控制器的模數(shù)混合控制方案，設(shè)計了最大工作電壓和電流分別為18 V、1 A可調(diào)恒流電子負(fù)載[2]。

1 電子負(fù)載系統(tǒng)方案設(shè)計

1.1 電子負(fù)載方案論證

電子負(fù)載按能量吸收方式可以分為能耗式與回饋式，按照控制形式可以分為開關(guān)式與線性式。由于回饋式電子負(fù)載多用于大功率場合，且控制方式復(fù)雜、成本高，故不在考慮之列[3-5]。

分別針對能耗式電子負(fù)載不同設(shè)計方案中主電路的元件數(shù)量、對被測電路的影響、系統(tǒng)控制特性等進(jìn)行了比較，如表1所示。開關(guān)型電子負(fù)載的主要問題在于：(1)無源器件數(shù)量多，影響到系統(tǒng)的可靠性；(2)開關(guān)紋波導(dǎo)致負(fù)載電流紋波且引入噪聲；(3)高階系統(tǒng)，響應(yīng)慢。線性負(fù)載工作于MOSFET器件的飽和區(qū)，無開關(guān)紋波，而且控制對象在小信號意義上是零階系統(tǒng)，利于控制系統(tǒng)設(shè)計。

表1 能耗式負(fù)載性能比較

綜上所述，以MOSFET為負(fù)載進(jìn)行線性調(diào)節(jié)，可以模擬理想恒流負(fù)載工作狀態(tài)，且是一種可靠性高、成本低的方案。

1.2 電子負(fù)載系統(tǒng)設(shè)計

電子負(fù)載系統(tǒng)由功率級模塊、本地控制器模塊、系統(tǒng)控制器模塊、輔助電源模塊、人機(jī)接口模塊組成，如圖1所示。

圖1 基于線性MOSFET的模數(shù)混合方案

功率器件采用IXYS公司的IXTA-TP80N10T，該器件安全工作區(qū)(SOA)寬，可以滿足最大18 V、1 A負(fù)載條件，且額定電流大，在誤操作情況下不易燒壞。考慮到電路雜散電感的影響，在MOSFET的漏極和源極并入1 μF的薄膜電容用以吸收器件兩端可能出現(xiàn)的尖峰電壓。

選取了2片德州儀器的LM324(模擬控制器內(nèi))集成運放實現(xiàn)本地控制功能。一片LM324完成采樣電流放大、濾波、電流誤差放大功能；另外一片運放完成負(fù)載電壓采樣、濾波、電壓誤差放大功能，并通過外部電路進(jìn)行過壓的甄別。

由于系統(tǒng)需要進(jìn)行恒流值設(shè)定和實現(xiàn)，且無需高速數(shù)字運算，所以使用了主頻為8 MHz的MSP430F169。這款單片機(jī)的數(shù)字I/O高達(dá)48個，同時擁有豐富的外設(shè)，適合與多種設(shè)備進(jìn)行接口，也便于本設(shè)計的進(jìn)一步擴(kuò)展[6]。

鍵盤模塊的方案采用智能便攜設(shè)備中的功能鍵的思路，采用最少按鍵實現(xiàn)：分別為“參考值上調(diào)”、“參考值下調(diào)”、“開/關(guān)”鍵。同時，通過MSP430F169的P1端口將數(shù)據(jù)傳給液晶顯示屏顯示當(dāng)前負(fù)載電流和電壓。另外，系統(tǒng)中加入了LED顯示，分別顯示輔助電源供電正常(藍(lán)光)、系統(tǒng)啟動(藍(lán)光)和過壓顯示(紅光)。

系統(tǒng)的輔助電源需要為運算放大器、單片機(jī)、顯示屏、指示燈供電，需要提供+15 V，+5 V，+3.3 V電壓等級，設(shè)計中使用實驗室常用的線性電源進(jìn)行24 V直流供電，采用線性調(diào)壓模塊進(jìn)行逐級降壓獲得各電壓等級。

2 電子負(fù)載控制設(shè)計與實現(xiàn)

2.1 本地控制器設(shè)計

本地控制目標(biāo)為帶過壓保護(hù)的恒流。先對恒流模式進(jìn)行設(shè)計，負(fù)載電流經(jīng)過采樣電阻、正比例放大環(huán)節(jié)、濾波，與給定參考值進(jìn)行比較后經(jīng)過一個3極點2零點的PI調(diào)節(jié)器，輸出一個穩(wěn)態(tài)值作為MOSFET的門控電壓，從而得到穩(wěn)定的負(fù)載電流。

設(shè)計要求系統(tǒng)能夠跟蹤給定值且靜差為零，所以需要對負(fù)反饋控制系統(tǒng)進(jìn)行分析。根據(jù)MOSFET數(shù)據(jù)表中的輸入特性曲線，可以得到恒流控制下的MOSFET模型為一個比例環(huán)節(jié)，為零階系統(tǒng)；考慮到MOSFET柵極驅(qū)動電阻Rg和柵源極寄生電容Cgs，輸入電壓對負(fù)載電流的傳遞函數(shù)G(s)為截止頻率很高的一階系統(tǒng)，如下式所示：

(1)

式中，k1為MOSFET的靜態(tài)傳遞系數(shù)。

電流反饋由電阻采樣，回路傳遞函數(shù)H(s)為

(2)

式中，Rs為采樣電阻，k2為運放電器增益，R14、C3為一階RC濾波器的電阻和電容。

PI調(diào)節(jié)器傳遞函數(shù)C(s)為

運放電路中的R和C配置相應(yīng)的零極點。

利用Matlab進(jìn)行控制系統(tǒng)設(shè)計[7-8]，得到如圖2所示的系統(tǒng)開環(huán)傳遞函數(shù)波特圖。

圖2 系統(tǒng)傳遞函數(shù)波特圖

由圖2可知，系統(tǒng)幅值裕量為-30 dB，相位裕量約為-90°，穿越頻率為6 kHz，滿足零穩(wěn)態(tài)誤差和系統(tǒng)快速性的要求[9-10]。

電壓控制的目的是保護(hù)系統(tǒng)，故對其控制系統(tǒng)的要求不高，系統(tǒng)采用了單極點、單零點的PI調(diào)節(jié)器。采樣電壓經(jīng)過跟隨器、PI調(diào)節(jié)器輸出作為MOSFET管的門極輸入，當(dāng)采樣電壓大于18 V時，經(jīng)PI調(diào)節(jié)改變MOSFET驅(qū)動電壓，從而實現(xiàn)過壓保護(hù)。

電壓和電流控制回路的整合方式如圖3所示，根據(jù)誰低誰輸出的原則，可以限制恒壓的上限為18 V，18 V以下為任意恒流控制。

圖3 帶有過壓保護(hù)的恒流模式選擇電路

2.2 人機(jī)接口程序設(shè)計

系統(tǒng)流程圖如圖4和圖5所示，主程序中完成系統(tǒng)的初始化、鍵盤檢測、顯示。利用定時器產(chǎn)生100 ms的中斷，在定時器中斷中啟動AD轉(zhuǎn)換[11-12]，AD中斷中取得寄存器中的電壓電流值，并進(jìn)行移動窗濾波，結(jié)果存放在指定變量中待顯示子程序使用。

圖4 主程序流程圖

圖5 中斷程序流程圖

2.3 系統(tǒng)樣機(jī)及實驗結(jié)果分析

系統(tǒng)樣機(jī)如圖6所示，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)模塊化，接線簡單，易于實驗室日常維護(hù)。經(jīng)測試，系統(tǒng)可以以10 mA的步長進(jìn)行0～1 A的負(fù)載電流控制，負(fù)載電流穩(wěn)態(tài)誤差小于1%，紋波小于0.5%。

圖6 電子負(fù)載樣機(jī)

3 結(jié)束語

系統(tǒng)設(shè)計了以低成本模擬電路為控制核心，以MSP430F169單片機(jī)為人機(jī)接口控制器的恒流電子負(fù)載，實現(xiàn)了電子負(fù)載的電流精確可控和過壓保護(hù)，很好地實現(xiàn)了系統(tǒng)參數(shù)設(shè)置和顯示，滿足了電工實驗室常規(guī)實驗的要求。

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