道康寧公司首次推出電力電子行業碳化硅晶圓分級結構

道康寧公司首次推出電力電子行業碳化硅晶圓分級結構

本刊訊全球有機硅及寬帶隙半導體技術領先企業道康寧公司近期推出全新碳化硅（SiC）晶體分級結構，為碳化硅晶體創立了行業新標準。新分級結構對相關致命性產品缺陷，如微管位錯（MPD）、螺紋螺位錯（TSD）、和基面位錯（ BPD）等，具有更嚴格的容忍度。

這一開創性分級結構旨在優化使用道康寧高品質Prime Grade系列100mm碳化硅晶片設計和制造的新一代電力電子器件的設計自由度、性能和成本。道康寧公司目前向市場提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三種不同品質的新型碳化硅襯底。

道康寧公司新產品分級結構中的各個Prime Grade系列晶圓產品為缺陷密度及其他關鍵性能設置了更嚴格的公差范圍，客戶可以根據特定器件的應用要求，在硅片質量和價格之間獲得最好的平衡。雖然已有不少碳化硅襯底制造商承諾要降低微管密度，但道康寧公司是首家對包括TSD及BPD在內的其他致命性缺陷公差作出明確定義的企業。這些缺陷會降低器件的成品率及生產效率，且會影響大面積、新一代電力電子器件制造的成本效益。