
3月的寧波下著小雨,在鄞州工業園區一片待興建的土地上,寧波鄞州中國“芯”之城正舉行奠基儀式,宣布寧波時代全芯科技有限公司的相變存儲芯片廠正式破土動工。
這是時代全芯相變存儲芯片廠的一期項目,總投資達到1.5億美元。據時代全芯董事長張龍介紹,公司將力爭在5年內啟動二期項目,最終完成總投資20億美元以上,實現自己建廠、研發及生產具有完整知識產權的芯片產品,使中國人的“芯片夢”成真。
去年11月,時代全芯發布了中國首款相變存儲技術,成為世界上除三星和美光之外第三家擁有這項技術的企業,并將打破存儲器芯片生產技術長期被國外壟斷的局面。目前,時代全芯已獲得全球57項專利。張龍介紹說,去年1月芯片廠確定選址寧波鄞州,得到了寧波市和鄞州區政府的大力支持。在不到一年的時間里,已按照相關規定完成了環保評估,并在力利記投資集團、銀創財富(中國)管理集團的力推下舉辦了奠基儀式。之后,預計5月份開始建設相變存儲器廠,并在2015年年中進入投產階段,12月份實現一期全產能8000片的生產規模。
相變存儲技術近年來得到業界關注,并正在逐漸步入商品化市場。英特爾、IBM、三星以及美光等公司和大量的高校、研究所都在這一領域投入重金進行研究。目前,該項技術只有三星、美光、中芯國際和時代全芯能實現量產。在奠基儀式的現場,記者采訪到IBM科技部副總裁Tze-Chiang Chen博士。他表示,在今天數據暴增的時代,存儲器的重要性顯而易見,IBM非常重視相變存儲,并與時代全芯合作,希望未來采用該公司生產的存儲器芯片。
時代全芯科技公司是由北京力利記投資集團與香港世峰科技有限公司合資成立的高科技企業。張龍說,公司的管理團隊由國際頂尖華裔科學家為主體組成,而科研團隊則擁有來自世界各地的40多位專家。張龍表示,相變存儲技術未來將帶來更多全新的、甚至是我們目前還無法想像的應用模式,其創造的價值以及未來的市場發展空間都十分巨大。“時代全芯的目標是在半導體產業面臨重大戰略機遇之際,憑借新的相變存儲技術和獨家專利技術,成為存儲芯片和應用的主導力量,引領新一代存儲技術和產品。”張龍說。
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相變存儲
相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)是利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的。相(phase)是物理化學上的一個概念,它指的是物體的化學性質完全相同,但是物理性質發生變化的不同狀態。物質從一種相變成另外一種相的過程叫做“相變”,例如水從液態轉化為固態。相變存儲器就是利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉化時所表現出的導電性差異來存儲數據的,因此稱為相變存儲器。
與閃存相比,PCM同樣屬于非易失性存儲,不過,它比閃存更耐用。閃存的壽命通常約為10萬次讀/寫,而PCM的耐用性則比閃存要高數千直至數百萬倍,這一特性未來將使PCM在企業級存儲應用中擁有更多的優勢。另外,PCM最值得稱道的還是其卓越的存儲性能,其編程速度與閃存相比具有數量級的優勢。