GaN肖特基紫外探測器分析

陳守迎+張聰+湯德勇

摘要隨著科學技術的不斷進步，GaN基紫外材料在社會生產已經得到了廣泛地應用，這項技術的充分發展，被認為是和發光二極管、激光器具有同樣作用的一種器材?；趯捊麕О雽w材料的GaN紫外探測器由于具有探測波長可調控性、工藝兼容性好、構造種類比較繁多等特點，現階段它已經成為了同行界廣泛研究的一個對象。GaN肖特基結構紫外探測器因為其具有很好的相應性能與很快的反應速度所以受到業界人士的如此青睞。筆者以肖特基結構探測器的不足之處作為著手點，研究并分析了這種新型的GaN肖特基結構紫外探測器。

關鍵詞GaN；肖特基結構；紫外探測器；AlGaN

中圖分類號：TN23 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）12-0009-02

現階段，GaN紫外光探測器被認為是和藍光發光二極管、藍光激光器具有同樣作用的一種器具。早在20世紀末期，US就規定在寬禁帶半導體的生產目標，凡是壽命在1000 h的紫外光探測器和壽命為1000 h的藍光發光二極管、藍光紫光激光器都將成為GaN材料的主要研究對象。全球范圍內已經有很多個不同的國家對這種GaN紫外探測儀進行了各種結構形式的探究和研制，如光電導結構、p-n結構、p-i-n、p-π-n結構、肖特基結構、MSM結構、異質結構等。在上面這些不同類型的探測儀當中，肖特基結構由于具有勢壘高度高、回避p型等特征，成為業界最常使用的一種結構類型，不過經過一段時間的使用實踐我們也可以看到它有一個明顯的不足之處：很容易受到一些狀態的影響，筆者對此進行了專門的分析，詳細情況如下。

1結構示意圖和結構參數

圖1AlGaN肖特基型紫外探測器

圖1是GaN肖特基結構紫外探測儀結構示意圖。20世紀末期的時候，就有專門的研究者對GaN的光電導性能展開了探究。在接下來的時間里，對于GaN基光電子器具的研究長時間受到下面兩個問題的困擾而不能順利進行下去：缺乏優質的單晶襯底材料（藍寶石襯底與GaN的晶格失配度很高）；找不到合適的措施對GaN完成p型摻雜這項工作。這項工作進行的步驟如下：用低壓（1.013×104 Pa）MOCVD方法在藍寶石（0001）襯底上生長六方相GaN，其他的幾種材料分別是三甲基鎵（TMGa）、氮源為高純氨氣（NH3）以及載氣為氫氣（H2）。在具體的研制過程中，用來對各種材料器件進行測試的一個APPS來自US的一所大學，通過這個軟件來完成模擬計算工作，通過這個工具我們可以完成對光伏特性的研究。在具體的測算過程中，主要的探究對象是AlGaN（在這里我們先假設Al組分約為15.1%）窗口層的數據會對器具產生一定的作用。第一步我們要在550.1℃生長一個低溫GaN緩沖層（buffer），厚度大概是20.1 nm，接下來我們要在1100.1℃生長高摻雜n型GaN外延層，厚度大概是1.1 μm，混合濃度為5.1×1018 cm-3；接著生長本征GaN外延層，厚度約為0.6 μm，電子濃度為1×10 cm-3。

在對該結構類型的紫外探測儀的暗電流以及C-V特征進行檢測的時候我們使用的是HP4280檢測儀。通過該項檢測工作，最后我們可以得到該類型的紫外探測儀能夠產生的光響應曲線的類型。在具體的測試工作中我們使用到的光源為75 W的氙燈，它發出的光通過折射，返回進入單色器具，然后又反射到器具上。探測器串聯一個2 kΩ負載電阻，與電源形成一個回路，在它的作用之下獲取光電流信號，然后通過Si紫外探測儀來對目標進行確定，從而得到GaN肖特基結構紫外探測器的光響應曲線。使用的時間的長短是檢測體系光源使用過程中325.1 nm的He-Cd激光器，在對光線進行調整以后，由高速響應的Si紫外探測器測量得到光脈沖的上升時間約為2Ls。光線會照射到探測設備上，探測設備接2 kΩ負載電阻，示波設備與負載電阻設備遵循并聯的連接形式，從示波設備能夠看到探測設備的光信號波狀，從中可以獲得該紫外探測設備的響應所需的時間的長短。

2模擬計算結果與討論

2.1 新結構與普通結構器件的性能比較

一般情況下，一些比較普通的肖特基結構類型的紫外探測設備中，表面態所引起的表面復合容易引起設備量子性能的變小，我們對不同的復合性能的結構類型與比較常見的結構類型的設備進行比較，發現它們之間在性能上的卻別。如圖2（a）、（b）所示，分別表示的是表面復合速度為1.1×107 cm/s，1.1×1010 cm/s時的結構特點、一般的結構類型，GaN紫外探測設備的響應光譜，在這種情況下，n型AlGaN層的薄厚是20.1 nm、載流子為1.1×1016 cm-3的濃度都可以看得出來，當表面復合速率為1.1×105 cm/s的情況下，不管是什么類型的結構設備它的量子性能之間的區別性都沒有太大的顯現，同時其量子性能會隨隨著其波射的長度變化發生細微的變化，響應光譜很平；當表面復合速率為1×107 cm/s時，新結構的優勢就體現出來了無論在長波、短波，新結構的量子效率都高于普通結構，但是兩者的響應光譜在短波處都有所下降；當表面復合速率為1×105 cm/s時，新的結構體系與普通的結構體系之間具有很大的區別性，新結構器件的量子效率明顯高于普通結構的探測器，涉及到的范圍值為331.1 nm到361.1 nm，該種類型的結構體系的主要特點在于量子性能要比一般的性能好得多。

圖2

2.2 對該紫外探測器的暗電流和C-V特性的測試

根據上圖顯示的檢測體系，測量得到該紫外探測器的光響應曲線，這種類型的監測體系使用的光源是75 W的氙燈，它所發出的光在經過器調設備進行轉折調節以后射入單色設備，接著又反射到探測設備上，探測設備連接著2 kΩ負載電阻，和與電源共同形成一個回路系統，通過負載電阻取得的光電流信號，在通過Si紫外探測設備進行目標的明確以后，我們可以獲得GaN肖特基體系紫外探測設備的光響應曲線。響應時間檢測體系會讓光源為325.1 nm的He-Cd激光設備，該設備產生的光線經過斬波設備調節以后，由高速響應的Si紫外探測器測量得到光脈沖的上升時間約為2Ls。

2.3 時間響應依賴于肖特基接觸面積、材料的摻雜和遷移率

在響應性能方面肖特基二極管具備一定的平滑性，適于寬帶光電探測器，響應效率的最大值要受到半透明頂部接觸的光反射狀態的限制。最初研制出來的肖特基GaN光電探測設備使用的是Ti/GaN二極管，通過這一點我們可以看到主要的限制范圍僅僅為20，而其具體的響應性能為130.1 mA/W，有專門的研究人員采用的是5nmPd在n型GaN上制成肖特基二極管，響應性能為180.1 mA/w，在RC電路的限制之下，反向偏壓為-1.35 V時，等效噪聲功率為4.0nw；E.Monroy等人。使用MOCVD該項工具的時候在藍寶石襯底上制備Au、Ni及半透明性質的Si：AIGaN肖特基光電探測設備，最后的檢測結果顯示響應性能和設備尺寸與肖特基金屬不存在任何關系，AlGaN肖特基光電探測設備的響應性能在零偏壓的情況下是29.4 mA/W，通常情況下為14.1 ns，具有相同作用的噪聲性能為41.5nw。為了研制快速反應設備，可在未摻雜的頂層用肖特基接觸，在重摻雜的底層用歐姆接觸發展垂直結構。

3結論

在研制藍光紫光和紫外光大功率短波長耐高溫設備這一項上，GaN材料已經取得了一定的進步，GaN紫外探測設備現階段仍然處在研究過程中，這對于波長超過365.1 nm的可見光和紅外光不具有任何特殊的影響，但是對于那些波長不夠長，短于365.1 nm的紫外光就能夠產生很大的作用，能夠提高探測設備的靈敏性。目前主要面對一個問題還是材料問題，所以只要能夠找到合適的方式解決這個問題，那么固態紫外探測設備依靠它本身具備有的強大的特點將可以快速替代大部分的真空紫外探測設備，并能推廣其使用范圍。

參考文獻

[1]周梅，左淑華，趙德剛.一種新型GaN基肖特基結構紫外探測器[J].物理學報，2007（09）：5513-5517.

[2]劉萬金，胡小燕，喻松林.GaN基紫外探測器發展概況[J].激光與紅外，2012（11）：1210-1214.

[3]王俊，趙德剛，劉宗順，等.GaN基肖特基結構紫外探測器[J].半導體學報，2004（06）：711-714.

[4]李雪.GaN基紫外探測器[J].紅外，2004（05）：23-27.

[5]張德恒，劉云燕.GaN紫外光探測器[J].物理，2000（02）：82-85，113.

endprint

摘要隨著科學技術的不斷進步，GaN基紫外材料在社會生產已經得到了廣泛地應用，這項技術的充分發展，被認為是和發光二極管、激光器具有同樣作用的一種器材?；趯捊麕О雽w材料的GaN紫外探測器由于具有探測波長可調控性、工藝兼容性好、構造種類比較繁多等特點，現階段它已經成為了同行界廣泛研究的一個對象。GaN肖特基結構紫外探測器因為其具有很好的相應性能與很快的反應速度所以受到業界人士的如此青睞。筆者以肖特基結構探測器的不足之處作為著手點，研究并分析了這種新型的GaN肖特基結構紫外探測器。

關鍵詞GaN；肖特基結構；紫外探測器；AlGaN

中圖分類號：TN23 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）12-0009-02

現階段，GaN紫外光探測器被認為是和藍光發光二極管、藍光激光器具有同樣作用的一種器具。早在20世紀末期，US就規定在寬禁帶半導體的生產目標，凡是壽命在1000 h的紫外光探測器和壽命為1000 h的藍光發光二極管、藍光紫光激光器都將成為GaN材料的主要研究對象。全球范圍內已經有很多個不同的國家對這種GaN紫外探測儀進行了各種結構形式的探究和研制，如光電導結構、p-n結構、p-i-n、p-π-n結構、肖特基結構、MSM結構、異質結構等。在上面這些不同類型的探測儀當中，肖特基結構由于具有勢壘高度高、回避p型等特征，成為業界最常使用的一種結構類型，不過經過一段時間的使用實踐我們也可以看到它有一個明顯的不足之處：很容易受到一些狀態的影響，筆者對此進行了專門的分析，詳細情況如下。

1結構示意圖和結構參數

圖1AlGaN肖特基型紫外探測器

圖1是GaN肖特基結構紫外探測儀結構示意圖。20世紀末期的時候，就有專門的研究者對GaN的光電導性能展開了探究。在接下來的時間里，對于GaN基光電子器具的研究長時間受到下面兩個問題的困擾而不能順利進行下去：缺乏優質的單晶襯底材料（藍寶石襯底與GaN的晶格失配度很高）；找不到合適的措施對GaN完成p型摻雜這項工作。這項工作進行的步驟如下：用低壓（1.013×104 Pa）MOCVD方法在藍寶石（0001）襯底上生長六方相GaN，其他的幾種材料分別是三甲基鎵（TMGa）、氮源為高純氨氣（NH3）以及載氣為氫氣（H2）。在具體的研制過程中，用來對各種材料器件進行測試的一個APPS來自US的一所大學，通過這個軟件來完成模擬計算工作，通過這個工具我們可以完成對光伏特性的研究。在具體的測算過程中，主要的探究對象是AlGaN（在這里我們先假設Al組分約為15.1%）窗口層的數據會對器具產生一定的作用。第一步我們要在550.1℃生長一個低溫GaN緩沖層（buffer），厚度大概是20.1 nm，接下來我們要在1100.1℃生長高摻雜n型GaN外延層，厚度大概是1.1 μm，混合濃度為5.1×1018 cm-3；接著生長本征GaN外延層，厚度約為0.6 μm，電子濃度為1×10 cm-3。

在對該結構類型的紫外探測儀的暗電流以及C-V特征進行檢測的時候我們使用的是HP4280檢測儀。通過該項檢測工作，最后我們可以得到該類型的紫外探測儀能夠產生的光響應曲線的類型。在具體的測試工作中我們使用到的光源為75 W的氙燈，它發出的光通過折射，返回進入單色器具，然后又反射到器具上。探測器串聯一個2 kΩ負載電阻，與電源形成一個回路，在它的作用之下獲取光電流信號，然后通過Si紫外探測儀來對目標進行確定，從而得到GaN肖特基結構紫外探測器的光響應曲線。使用的時間的長短是檢測體系光源使用過程中325.1 nm的He-Cd激光器，在對光線進行調整以后，由高速響應的Si紫外探測器測量得到光脈沖的上升時間約為2Ls。光線會照射到探測設備上，探測設備接2 kΩ負載電阻，示波設備與負載電阻設備遵循并聯的連接形式，從示波設備能夠看到探測設備的光信號波狀，從中可以獲得該紫外探測設備的響應所需的時間的長短。

2模擬計算結果與討論

2.1 新結構與普通結構器件的性能比較

一般情況下，一些比較普通的肖特基結構類型的紫外探測設備中，表面態所引起的表面復合容易引起設備量子性能的變小，我們對不同的復合性能的結構類型與比較常見的結構類型的設備進行比較，發現它們之間在性能上的卻別。如圖2（a）、（b）所示，分別表示的是表面復合速度為1.1×107 cm/s，1.1×1010 cm/s時的結構特點、一般的結構類型，GaN紫外探測設備的響應光譜，在這種情況下，n型AlGaN層的薄厚是20.1 nm、載流子為1.1×1016 cm-3的濃度都可以看得出來，當表面復合速率為1.1×105 cm/s的情況下，不管是什么類型的結構設備它的量子性能之間的區別性都沒有太大的顯現，同時其量子性能會隨隨著其波射的長度變化發生細微的變化，響應光譜很平；當表面復合速率為1×107 cm/s時，新結構的優勢就體現出來了無論在長波、短波，新結構的量子效率都高于普通結構，但是兩者的響應光譜在短波處都有所下降；當表面復合速率為1×105 cm/s時，新的結構體系與普通的結構體系之間具有很大的區別性，新結構器件的量子效率明顯高于普通結構的探測器，涉及到的范圍值為331.1 nm到361.1 nm，該種類型的結構體系的主要特點在于量子性能要比一般的性能好得多。

圖2

2.2 對該紫外探測器的暗電流和C-V特性的測試

根據上圖顯示的檢測體系，測量得到該紫外探測器的光響應曲線，這種類型的監測體系使用的光源是75 W的氙燈，它所發出的光在經過器調設備進行轉折調節以后射入單色設備，接著又反射到探測設備上，探測設備連接著2 kΩ負載電阻，和與電源共同形成一個回路系統，通過負載電阻取得的光電流信號，在通過Si紫外探測設備進行目標的明確以后，我們可以獲得GaN肖特基體系紫外探測設備的光響應曲線。響應時間檢測體系會讓光源為325.1 nm的He-Cd激光設備，該設備產生的光線經過斬波設備調節以后，由高速響應的Si紫外探測器測量得到光脈沖的上升時間約為2Ls。

2.3 時間響應依賴于肖特基接觸面積、材料的摻雜和遷移率

在響應性能方面肖特基二極管具備一定的平滑性，適于寬帶光電探測器，響應效率的最大值要受到半透明頂部接觸的光反射狀態的限制。最初研制出來的肖特基GaN光電探測設備使用的是Ti/GaN二極管，通過這一點我們可以看到主要的限制范圍僅僅為20，而其具體的響應性能為130.1 mA/W，有專門的研究人員采用的是5nmPd在n型GaN上制成肖特基二極管，響應性能為180.1 mA/w，在RC電路的限制之下，反向偏壓為-1.35 V時，等效噪聲功率為4.0nw；E.Monroy等人。使用MOCVD該項工具的時候在藍寶石襯底上制備Au、Ni及半透明性質的Si：AIGaN肖特基光電探測設備，最后的檢測結果顯示響應性能和設備尺寸與肖特基金屬不存在任何關系，AlGaN肖特基光電探測設備的響應性能在零偏壓的情況下是29.4 mA/W，通常情況下為14.1 ns，具有相同作用的噪聲性能為41.5nw。為了研制快速反應設備，可在未摻雜的頂層用肖特基接觸，在重摻雜的底層用歐姆接觸發展垂直結構。

3結論

在研制藍光紫光和紫外光大功率短波長耐高溫設備這一項上，GaN材料已經取得了一定的進步，GaN紫外探測設備現階段仍然處在研究過程中，這對于波長超過365.1 nm的可見光和紅外光不具有任何特殊的影響，但是對于那些波長不夠長，短于365.1 nm的紫外光就能夠產生很大的作用，能夠提高探測設備的靈敏性。目前主要面對一個問題還是材料問題，所以只要能夠找到合適的方式解決這個問題，那么固態紫外探測設備依靠它本身具備有的強大的特點將可以快速替代大部分的真空紫外探測設備，并能推廣其使用范圍。

參考文獻

[1]周梅，左淑華，趙德剛.一種新型GaN基肖特基結構紫外探測器[J].物理學報，2007（09）：5513-5517.

[2]劉萬金，胡小燕，喻松林.GaN基紫外探測器發展概況[J].激光與紅外，2012（11）：1210-1214.

[3]王俊，趙德剛，劉宗順，等.GaN基肖特基結構紫外探測器[J].半導體學報，2004（06）：711-714.

[4]李雪.GaN基紫外探測器[J].紅外，2004（05）：23-27.

[5]張德恒，劉云燕.GaN紫外光探測器[J].物理，2000（02）：82-85，113.

endprint

摘要隨著科學技術的不斷進步，GaN基紫外材料在社會生產已經得到了廣泛地應用，這項技術的充分發展，被認為是和發光二極管、激光器具有同樣作用的一種器材?；趯捊麕О雽w材料的GaN紫外探測器由于具有探測波長可調控性、工藝兼容性好、構造種類比較繁多等特點，現階段它已經成為了同行界廣泛研究的一個對象。GaN肖特基結構紫外探測器因為其具有很好的相應性能與很快的反應速度所以受到業界人士的如此青睞。筆者以肖特基結構探測器的不足之處作為著手點，研究并分析了這種新型的GaN肖特基結構紫外探測器。

關鍵詞GaN；肖特基結構；紫外探測器；AlGaN

中圖分類號：TN23 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）12-0009-02

現階段，GaN紫外光探測器被認為是和藍光發光二極管、藍光激光器具有同樣作用的一種器具。早在20世紀末期，US就規定在寬禁帶半導體的生產目標，凡是壽命在1000 h的紫外光探測器和壽命為1000 h的藍光發光二極管、藍光紫光激光器都將成為GaN材料的主要研究對象。全球范圍內已經有很多個不同的國家對這種GaN紫外探測儀進行了各種結構形式的探究和研制，如光電導結構、p-n結構、p-i-n、p-π-n結構、肖特基結構、MSM結構、異質結構等。在上面這些不同類型的探測儀當中，肖特基結構由于具有勢壘高度高、回避p型等特征，成為業界最常使用的一種結構類型，不過經過一段時間的使用實踐我們也可以看到它有一個明顯的不足之處：很容易受到一些狀態的影響，筆者對此進行了專門的分析，詳細情況如下。

1結構示意圖和結構參數

圖1AlGaN肖特基型紫外探測器

圖1是GaN肖特基結構紫外探測儀結構示意圖。20世紀末期的時候，就有專門的研究者對GaN的光電導性能展開了探究。在接下來的時間里，對于GaN基光電子器具的研究長時間受到下面兩個問題的困擾而不能順利進行下去：缺乏優質的單晶襯底材料（藍寶石襯底與GaN的晶格失配度很高）；找不到合適的措施對GaN完成p型摻雜這項工作。這項工作進行的步驟如下：用低壓（1.013×104 Pa）MOCVD方法在藍寶石（0001）襯底上生長六方相GaN，其他的幾種材料分別是三甲基鎵（TMGa）、氮源為高純氨氣（NH3）以及載氣為氫氣（H2）。在具體的研制過程中，用來對各種材料器件進行測試的一個APPS來自US的一所大學，通過這個軟件來完成模擬計算工作，通過這個工具我們可以完成對光伏特性的研究。在具體的測算過程中，主要的探究對象是AlGaN（在這里我們先假設Al組分約為15.1%）窗口層的數據會對器具產生一定的作用。第一步我們要在550.1℃生長一個低溫GaN緩沖層（buffer），厚度大概是20.1 nm，接下來我們要在1100.1℃生長高摻雜n型GaN外延層，厚度大概是1.1 μm，混合濃度為5.1×1018 cm-3；接著生長本征GaN外延層，厚度約為0.6 μm，電子濃度為1×10 cm-3。

在對該結構類型的紫外探測儀的暗電流以及C-V特征進行檢測的時候我們使用的是HP4280檢測儀。通過該項檢測工作，最后我們可以得到該類型的紫外探測儀能夠產生的光響應曲線的類型。在具體的測試工作中我們使用到的光源為75 W的氙燈，它發出的光通過折射，返回進入單色器具，然后又反射到器具上。探測器串聯一個2 kΩ負載電阻，與電源形成一個回路，在它的作用之下獲取光電流信號，然后通過Si紫外探測儀來對目標進行確定，從而得到GaN肖特基結構紫外探測器的光響應曲線。使用的時間的長短是檢測體系光源使用過程中325.1 nm的He-Cd激光器，在對光線進行調整以后，由高速響應的Si紫外探測器測量得到光脈沖的上升時間約為2Ls。光線會照射到探測設備上，探測設備接2 kΩ負載電阻，示波設備與負載電阻設備遵循并聯的連接形式，從示波設備能夠看到探測設備的光信號波狀，從中可以獲得該紫外探測設備的響應所需的時間的長短。

2模擬計算結果與討論

2.1 新結構與普通結構器件的性能比較

一般情況下，一些比較普通的肖特基結構類型的紫外探測設備中，表面態所引起的表面復合容易引起設備量子性能的變小，我們對不同的復合性能的結構類型與比較常見的結構類型的設備進行比較，發現它們之間在性能上的卻別。如圖2（a）、（b）所示，分別表示的是表面復合速度為1.1×107 cm/s，1.1×1010 cm/s時的結構特點、一般的結構類型，GaN紫外探測設備的響應光譜，在這種情況下，n型AlGaN層的薄厚是20.1 nm、載流子為1.1×1016 cm-3的濃度都可以看得出來，當表面復合速率為1.1×105 cm/s的情況下，不管是什么類型的結構設備它的量子性能之間的區別性都沒有太大的顯現，同時其量子性能會隨隨著其波射的長度變化發生細微的變化，響應光譜很平；當表面復合速率為1×107 cm/s時，新結構的優勢就體現出來了無論在長波、短波，新結構的量子效率都高于普通結構，但是兩者的響應光譜在短波處都有所下降；當表面復合速率為1×105 cm/s時，新的結構體系與普通的結構體系之間具有很大的區別性，新結構器件的量子效率明顯高于普通結構的探測器，涉及到的范圍值為331.1 nm到361.1 nm，該種類型的結構體系的主要特點在于量子性能要比一般的性能好得多。

圖2

2.2 對該紫外探測器的暗電流和C-V特性的測試

根據上圖顯示的檢測體系，測量得到該紫外探測器的光響應曲線，這種類型的監測體系使用的光源是75 W的氙燈，它所發出的光在經過器調設備進行轉折調節以后射入單色設備，接著又反射到探測設備上，探測設備連接著2 kΩ負載電阻，和與電源共同形成一個回路系統，通過負載電阻取得的光電流信號，在通過Si紫外探測設備進行目標的明確以后，我們可以獲得GaN肖特基體系紫外探測設備的光響應曲線。響應時間檢測體系會讓光源為325.1 nm的He-Cd激光設備，該設備產生的光線經過斬波設備調節以后，由高速響應的Si紫外探測器測量得到光脈沖的上升時間約為2Ls。

2.3 時間響應依賴于肖特基接觸面積、材料的摻雜和遷移率

在響應性能方面肖特基二極管具備一定的平滑性，適于寬帶光電探測器，響應效率的最大值要受到半透明頂部接觸的光反射狀態的限制。最初研制出來的肖特基GaN光電探測設備使用的是Ti/GaN二極管，通過這一點我們可以看到主要的限制范圍僅僅為20，而其具體的響應性能為130.1 mA/W，有專門的研究人員采用的是5nmPd在n型GaN上制成肖特基二極管，響應性能為180.1 mA/w，在RC電路的限制之下，反向偏壓為-1.35 V時，等效噪聲功率為4.0nw；E.Monroy等人。使用MOCVD該項工具的時候在藍寶石襯底上制備Au、Ni及半透明性質的Si：AIGaN肖特基光電探測設備，最后的檢測結果顯示響應性能和設備尺寸與肖特基金屬不存在任何關系，AlGaN肖特基光電探測設備的響應性能在零偏壓的情況下是29.4 mA/W，通常情況下為14.1 ns，具有相同作用的噪聲性能為41.5nw。為了研制快速反應設備，可在未摻雜的頂層用肖特基接觸，在重摻雜的底層用歐姆接觸發展垂直結構。

3結論

在研制藍光紫光和紫外光大功率短波長耐高溫設備這一項上，GaN材料已經取得了一定的進步，GaN紫外探測設備現階段仍然處在研究過程中，這對于波長超過365.1 nm的可見光和紅外光不具有任何特殊的影響，但是對于那些波長不夠長，短于365.1 nm的紫外光就能夠產生很大的作用，能夠提高探測設備的靈敏性。目前主要面對一個問題還是材料問題，所以只要能夠找到合適的方式解決這個問題，那么固態紫外探測設備依靠它本身具備有的強大的特點將可以快速替代大部分的真空紫外探測設備，并能推廣其使用范圍。

參考文獻

[1]周梅，左淑華，趙德剛.一種新型GaN基肖特基結構紫外探測器[J].物理學報，2007（09）：5513-5517.

[2]劉萬金，胡小燕，喻松林.GaN基紫外探測器發展概況[J].激光與紅外，2012（11）：1210-1214.

[3]王俊，趙德剛，劉宗順，等.GaN基肖特基結構紫外探測器[J].半導體學報，2004（06）：711-714.

[4]李雪.GaN基紫外探測器[J].紅外，2004（05）：23-27.

[5]張德恒，劉云燕.GaN紫外光探測器[J].物理，2000（02）：82-85，113.

endprint