激光修調產品熔絲設計小結

魏本建+顧漢玉

摘要激光修調產品生產工藝在我國剛開始發展應用，許多設計人員對于激光修調產品的設計缺少相關經驗。文章采用型號為ESI9XXX激光修調設備，通過改變對修調結果有重大影響的幾個參數進行各項試驗，總結出適合激光修調設備的金屬熔絲參數為產品設計人員提供指引，使設計的產品適合于激光修調設備，可減少新品的調試時間，提高所設計產品的良率，有利于激光修調工藝在國內能更快的推廣和應用。

關鍵詞熔絲間距；熔絲寬度；熔絲長度；熔絲厚度；氧化層厚度

中圖分類號：TN402 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）12-0050-02

由于半導體器件的發展，半導體器件集成度越來越高，傳統的電修調產品工藝已經不能滿足市場的需求，應市場需求而產生激光修調工藝技術，相對于傳統電修調工藝，激光修調工藝的優點在于：由于在芯片表面不需要設計扎針的PAD位，則可在同樣單位面積上設計更多的管芯；由于每根熔絲占用的面積很小，可設計出更多的熔絲用于調整芯片的參數，從而提高產品的精度和性能；由于利用激光修調可簡化探針卡的復雜程度，可用多SITE并行測試提高測試效率；對于熔絲設計參數是否適合激光修調設備，直接關系到修調后產品成品率及修調時間的問題。所以熔絲設計參數就成為修調產品設計的重點。

1實驗過程

1.1 主要的試驗設備簡介：ESI9XXXX激光修調機

ESI9XXX修調機由美國制造，應用于半導體晶圓修調，采用高精度磁懸浮平面馬達進行XY定位，應用激光干涉技術對平臺移動位置進行監控。HP unix操作系統，開放式的數據處理方式。可根據自身需求對數據進行轉換。ESI9XXX主要應用于修調、電源控制芯片、存儲器芯片、精確頻率調整芯片、精密電阻修調、高精度運放修調等。

1.2 激光修調熔絲的原理

ESI9XXX型號的激光修調機是由一個激光發生器，產生1.32 um波長的光束，光束通過鏡面的反射和透鏡聚焦把激光的能量聚焦在一個點，這個點的大小就是光斑尺寸，能量在0.2uj到2.0uj范圍之間，當這個能量點聚焦在熔絲上，則把熔絲氣化達到調整芯片參數的目的。而把熔絲氣化是否完全則跟熔絲的設計參數有著密切的關系，主要是同以下幾個參數相關。

1）熔絲之間的間距（Link pitch）。

2）熔絲表面的氧化層厚度（oxide thickness）。

3）熔絲的寬度（Link width）。

4）熔絲的長度（Link length）。

5）熔絲的厚度（Link thickness）。

6）熔絲所位于的METAL層（metal layer）。

修調產品有一個要求就是必須排布L MARK圖形。此圖形可位于劃片道里或是在芯片內部均可。其寬度在6.0~10 um之間，長度范圍：2~40 um。“L”的圖案要求光澤度高，平坦無雜質，棱角清晰（一般為metal層），其周邊20 um*20 um范圍內要求平坦無雜質，且與“L”黑白分明。

圖1參數定義

1.3 設計晶圓工藝布版

圓片每個BLOCK有27列FUSE排布，分別標示從fuse0到fuse26，每列有16個PAD位，分別從上到下定義為PAD1到PAD16，27列FUSE用9種不同的工藝制成。分別命名為A，B，C……I。相關的分布如表1。

每種不同工藝的熔絲設計不同的參數：寬度變化、長度變化、間距變化、氧化層厚度變化（1000A、3500A、6000A、-6000A），參數實驗的熔絲厚度統一采用5000A。

1.4 采用的修調方案

1）Fuse（0~9）修調第3根，測試第3根是否修斷。

2）Fuse （15，17，19）修調第2、4 Fuse，測試第2和第4根是否有修斷，測試第3根是否導通以此來判斷修調第2和第4根是否有對第3根Fuse有影響。

3）Fuse（16，18，20）修調第3根，測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導通以此來判斷修調第3根是否有對第2、4根Fuse有影響。

4）Fuse （21~26）修調1，3，5測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導通以此來判斷修調1、3、5是否有對 第2、4根Fuse有影響。

圖2熔絲排列順序

2結果與分析

1）對不同間距的熔絲進行修調，目的是驗證修調的效果及修調后對相鄰的熔絲的影響。相關的數據如表2。

表2不同間距的熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知Pitch 4~8 um 間距的Fuse，用0.9uj能量3.0 um光斑修條后測量相鄰的熔絲，相鄰熔絲阻值與修調前一致不受修調影響；各熔絲的修調后的阻值均大于20M ohm；在pitch為4 um間距的熔絲外觀有少許的破壞，如圖3。所以建議間距設為6 um。

圖3相鄰熔絲受影響

2）對表面氧化層厚度不同的熔絲進行修調，目的是驗證熔絲表面氧化層厚度不同對修調效果的影響。相關的數據如表3。

表3氧化層厚度不同對熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知熔絲表面氧化層厚度在1000A、3500A、6000A、（-）6000A分別用0.9uj、1.0uj、1.1uj、1.1uj能量和3.0 um光斑進行修調，測量各熔絲修調后的阻值均大于20M ohm，因此表中的四個氧化層厚度不影響修調效果。

3）對不同寬度的熔絲修調，目的是驗證在不同寬度的熔絲修調效果。相關的數據如表4。

表4不同寬度的熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0um光斑修調后的阻值均大于30M ohm，所以熔絲的寬度在0.6到1.0 um范圍內均適合于設備要求。建議值為0.8 um。

4）對于不同長度熔絲修調，目的是驗證不同長度熔絲的修調效果，相關的數據如表5。

表5不同長度熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0 um光斑修調后的電阻值均大于30M ohm，所以得出熔絲長度在4到12 um范圍內均適合于設備要求。

5）對不同METAL層數的熔絲進行修調，目的是驗證兩層或三層（Double/Triple metal）電路結構的熔絲修調效果，相關數據如表6。

表6不同METAL層數的熔絲進行修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0 um光斑修調后阻值均大于29M ohm。所以兩層和三層電路結構適合設備要求。

6）對Top metal進行laser trim，目的是驗證Top metal修調效果。相關數據如表7。

表7Top metal修調后的測量數據

從以上數據可知用1.1uj、3.6 um光斑修調后阻值均大于20M ohm，用高倍顯微鏡觀測到熔絲周邊有白色殘留物，由于在流片過程中Top metal參雜有一些熔點較高的材料，致使修調不易完全氣化。不推薦使用，如圖4。

圖4Top metal外觀

3結論與推薦參數

對于設計參數是否適合ESI9XXX修調設備主要判定方法是：熔絲的是否有被修斷及修調后相鄰熔絲的外觀是否受影響。如果我們通過測量兩端的阻抗值大于10M則認為是修斷，在顯微鏡下通過檢查熔絲表觀不受損則認為表觀符合要求。綜合以上的數據及圖片，得出如下的結論。

1）據實驗中所得出的數據 建議采用的尺寸：長6 um，寬0.8 um，厚：5000A，間距（Pitch）6 um。

2）Fuse上氧化層厚度在0~6kA 范圍均可采用。

3）兩層 Metal以上產品均采用Top-1 Metal Fuse。

4）Top metal fuse Laser trim后有白霧狀殘留物，不推薦用于metal fuse。

5）metal Fuse上氧化層厚度宜考慮以薄優先的原則。

4結束語

由于傳統電修調工藝的局限性不能滿足當前半導體工藝發展的需求，激光修調工藝在國內快速增長，同時由于激光修調產品有不可重復性的特點，晶圓的流片周期比較長，投入的資金大，修調設備整體價格昂貴，很多的公司無法進行相關的試驗，本次的試驗目的是為了確定ESI9XXX激光修調設備最佳修調參數，以提高修調產品的良率，并為客戶的激光修調產品設計提供參考。

參考文獻

[1]ESI9XXX Service Guide.

[2]Semiconductor Link Processing System.

[3]激光世界Laser Focus World 2013年1月1期.

[4]http：//www.doc88.com/p-348627916574.html.

endprint

摘要激光修調產品生產工藝在我國剛開始發展應用，許多設計人員對于激光修調產品的設計缺少相關經驗。文章采用型號為ESI9XXX激光修調設備，通過改變對修調結果有重大影響的幾個參數進行各項試驗，總結出適合激光修調設備的金屬熔絲參數為產品設計人員提供指引，使設計的產品適合于激光修調設備，可減少新品的調試時間，提高所設計產品的良率，有利于激光修調工藝在國內能更快的推廣和應用。

關鍵詞熔絲間距；熔絲寬度；熔絲長度；熔絲厚度；氧化層厚度

中圖分類號：TN402 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）12-0050-02

由于半導體器件的發展，半導體器件集成度越來越高，傳統的電修調產品工藝已經不能滿足市場的需求，應市場需求而產生激光修調工藝技術，相對于傳統電修調工藝，激光修調工藝的優點在于：由于在芯片表面不需要設計扎針的PAD位，則可在同樣單位面積上設計更多的管芯；由于每根熔絲占用的面積很小，可設計出更多的熔絲用于調整芯片的參數，從而提高產品的精度和性能；由于利用激光修調可簡化探針卡的復雜程度，可用多SITE并行測試提高測試效率；對于熔絲設計參數是否適合激光修調設備，直接關系到修調后產品成品率及修調時間的問題。所以熔絲設計參數就成為修調產品設計的重點。

1實驗過程

1.1 主要的試驗設備簡介：ESI9XXXX激光修調機

ESI9XXX修調機由美國制造，應用于半導體晶圓修調，采用高精度磁懸浮平面馬達進行XY定位，應用激光干涉技術對平臺移動位置進行監控。HP unix操作系統，開放式的數據處理方式。可根據自身需求對數據進行轉換。ESI9XXX主要應用于修調、電源控制芯片、存儲器芯片、精確頻率調整芯片、精密電阻修調、高精度運放修調等。

1.2 激光修調熔絲的原理

ESI9XXX型號的激光修調機是由一個激光發生器，產生1.32 um波長的光束，光束通過鏡面的反射和透鏡聚焦把激光的能量聚焦在一個點，這個點的大小就是光斑尺寸，能量在0.2uj到2.0uj范圍之間，當這個能量點聚焦在熔絲上，則把熔絲氣化達到調整芯片參數的目的。而把熔絲氣化是否完全則跟熔絲的設計參數有著密切的關系，主要是同以下幾個參數相關。

1）熔絲之間的間距（Link pitch）。

2）熔絲表面的氧化層厚度（oxide thickness）。

3）熔絲的寬度（Link width）。

4）熔絲的長度（Link length）。

5）熔絲的厚度（Link thickness）。

6）熔絲所位于的METAL層（metal layer）。

修調產品有一個要求就是必須排布L MARK圖形。此圖形可位于劃片道里或是在芯片內部均可。其寬度在6.0~10 um之間，長度范圍：2~40 um。“L”的圖案要求光澤度高，平坦無雜質，棱角清晰（一般為metal層），其周邊20 um*20 um范圍內要求平坦無雜質，且與“L”黑白分明。

圖1參數定義

1.3 設計晶圓工藝布版

圓片每個BLOCK有27列FUSE排布，分別標示從fuse0到fuse26，每列有16個PAD位，分別從上到下定義為PAD1到PAD16，27列FUSE用9種不同的工藝制成。分別命名為A，B，C……I。相關的分布如表1。

每種不同工藝的熔絲設計不同的參數：寬度變化、長度變化、間距變化、氧化層厚度變化（1000A、3500A、6000A、-6000A），參數實驗的熔絲厚度統一采用5000A。

1.4 采用的修調方案

1）Fuse（0~9）修調第3根，測試第3根是否修斷。

2）Fuse （15，17，19）修調第2、4 Fuse，測試第2和第4根是否有修斷，測試第3根是否導通以此來判斷修調第2和第4根是否有對第3根Fuse有影響。

3）Fuse（16，18，20）修調第3根，測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導通以此來判斷修調第3根是否有對第2、4根Fuse有影響。

4）Fuse （21~26）修調1，3，5測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導通以此來判斷修調1、3、5是否有對 第2、4根Fuse有影響。

圖2熔絲排列順序

2結果與分析

1）對不同間距的熔絲進行修調，目的是驗證修調的效果及修調后對相鄰的熔絲的影響。相關的數據如表2。

表2不同間距的熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知Pitch 4~8 um 間距的Fuse，用0.9uj能量3.0 um光斑修條后測量相鄰的熔絲，相鄰熔絲阻值與修調前一致不受修調影響；各熔絲的修調后的阻值均大于20M ohm；在pitch為4 um間距的熔絲外觀有少許的破壞，如圖3。所以建議間距設為6 um。

圖3相鄰熔絲受影響

2）對表面氧化層厚度不同的熔絲進行修調，目的是驗證熔絲表面氧化層厚度不同對修調效果的影響。相關的數據如表3。

表3氧化層厚度不同對熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知熔絲表面氧化層厚度在1000A、3500A、6000A、（-）6000A分別用0.9uj、1.0uj、1.1uj、1.1uj能量和3.0 um光斑進行修調，測量各熔絲修調后的阻值均大于20M ohm，因此表中的四個氧化層厚度不影響修調效果。

3）對不同寬度的熔絲修調，目的是驗證在不同寬度的熔絲修調效果。相關的數據如表4。

表4不同寬度的熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0um光斑修調后的阻值均大于30M ohm，所以熔絲的寬度在0.6到1.0 um范圍內均適合于設備要求。建議值為0.8 um。

4）對于不同長度熔絲修調，目的是驗證不同長度熔絲的修調效果，相關的數據如表5。

表5不同長度熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0 um光斑修調后的電阻值均大于30M ohm，所以得出熔絲長度在4到12 um范圍內均適合于設備要求。

5）對不同METAL層數的熔絲進行修調，目的是驗證兩層或三層（Double/Triple metal）電路結構的熔絲修調效果，相關數據如表6。

表6不同METAL層數的熔絲進行修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0 um光斑修調后阻值均大于29M ohm。所以兩層和三層電路結構適合設備要求。

6）對Top metal進行laser trim，目的是驗證Top metal修調效果。相關數據如表7。

表7Top metal修調后的測量數據

從以上數據可知用1.1uj、3.6 um光斑修調后阻值均大于20M ohm，用高倍顯微鏡觀測到熔絲周邊有白色殘留物，由于在流片過程中Top metal參雜有一些熔點較高的材料，致使修調不易完全氣化。不推薦使用，如圖4。

圖4Top metal外觀

3結論與推薦參數

對于設計參數是否適合ESI9XXX修調設備主要判定方法是：熔絲的是否有被修斷及修調后相鄰熔絲的外觀是否受影響。如果我們通過測量兩端的阻抗值大于10M則認為是修斷，在顯微鏡下通過檢查熔絲表觀不受損則認為表觀符合要求。綜合以上的數據及圖片，得出如下的結論。

1）據實驗中所得出的數據 建議采用的尺寸：長6 um，寬0.8 um，厚：5000A，間距（Pitch）6 um。

2）Fuse上氧化層厚度在0~6kA 范圍均可采用。

3）兩層 Metal以上產品均采用Top-1 Metal Fuse。

4）Top metal fuse Laser trim后有白霧狀殘留物，不推薦用于metal fuse。

5）metal Fuse上氧化層厚度宜考慮以薄優先的原則。

4結束語

由于傳統電修調工藝的局限性不能滿足當前半導體工藝發展的需求，激光修調工藝在國內快速增長，同時由于激光修調產品有不可重復性的特點，晶圓的流片周期比較長，投入的資金大，修調設備整體價格昂貴，很多的公司無法進行相關的試驗，本次的試驗目的是為了確定ESI9XXX激光修調設備最佳修調參數，以提高修調產品的良率，并為客戶的激光修調產品設計提供參考。

參考文獻

[1]ESI9XXX Service Guide.

[2]Semiconductor Link Processing System.

[3]激光世界Laser Focus World 2013年1月1期.

[4]http：//www.doc88.com/p-348627916574.html.

endprint

摘要激光修調產品生產工藝在我國剛開始發展應用，許多設計人員對于激光修調產品的設計缺少相關經驗。文章采用型號為ESI9XXX激光修調設備，通過改變對修調結果有重大影響的幾個參數進行各項試驗，總結出適合激光修調設備的金屬熔絲參數為產品設計人員提供指引，使設計的產品適合于激光修調設備，可減少新品的調試時間，提高所設計產品的良率，有利于激光修調工藝在國內能更快的推廣和應用。

關鍵詞熔絲間距；熔絲寬度；熔絲長度；熔絲厚度；氧化層厚度

中圖分類號：TN402 文獻標識碼：A 文章編號：1671-7597（2014）12-0050-02

由于半導體器件的發展，半導體器件集成度越來越高，傳統的電修調產品工藝已經不能滿足市場的需求，應市場需求而產生激光修調工藝技術，相對于傳統電修調工藝，激光修調工藝的優點在于：由于在芯片表面不需要設計扎針的PAD位，則可在同樣單位面積上設計更多的管芯；由于每根熔絲占用的面積很小，可設計出更多的熔絲用于調整芯片的參數，從而提高產品的精度和性能；由于利用激光修調可簡化探針卡的復雜程度，可用多SITE并行測試提高測試效率；對于熔絲設計參數是否適合激光修調設備，直接關系到修調后產品成品率及修調時間的問題。所以熔絲設計參數就成為修調產品設計的重點。

1實驗過程

1.1 主要的試驗設備簡介：ESI9XXXX激光修調機

ESI9XXX修調機由美國制造，應用于半導體晶圓修調，采用高精度磁懸浮平面馬達進行XY定位，應用激光干涉技術對平臺移動位置進行監控。HP unix操作系統，開放式的數據處理方式。可根據自身需求對數據進行轉換。ESI9XXX主要應用于修調、電源控制芯片、存儲器芯片、精確頻率調整芯片、精密電阻修調、高精度運放修調等。

1.2 激光修調熔絲的原理

ESI9XXX型號的激光修調機是由一個激光發生器，產生1.32 um波長的光束，光束通過鏡面的反射和透鏡聚焦把激光的能量聚焦在一個點，這個點的大小就是光斑尺寸，能量在0.2uj到2.0uj范圍之間，當這個能量點聚焦在熔絲上，則把熔絲氣化達到調整芯片參數的目的。而把熔絲氣化是否完全則跟熔絲的設計參數有著密切的關系，主要是同以下幾個參數相關。

1）熔絲之間的間距（Link pitch）。

2）熔絲表面的氧化層厚度（oxide thickness）。

3）熔絲的寬度（Link width）。

4）熔絲的長度（Link length）。

5）熔絲的厚度（Link thickness）。

6）熔絲所位于的METAL層（metal layer）。

修調產品有一個要求就是必須排布L MARK圖形。此圖形可位于劃片道里或是在芯片內部均可。其寬度在6.0~10 um之間，長度范圍：2~40 um。“L”的圖案要求光澤度高，平坦無雜質，棱角清晰（一般為metal層），其周邊20 um*20 um范圍內要求平坦無雜質，且與“L”黑白分明。

圖1參數定義

1.3 設計晶圓工藝布版

圓片每個BLOCK有27列FUSE排布，分別標示從fuse0到fuse26，每列有16個PAD位，分別從上到下定義為PAD1到PAD16，27列FUSE用9種不同的工藝制成。分別命名為A，B，C……I。相關的分布如表1。

每種不同工藝的熔絲設計不同的參數：寬度變化、長度變化、間距變化、氧化層厚度變化（1000A、3500A、6000A、-6000A），參數實驗的熔絲厚度統一采用5000A。

1.4 采用的修調方案

1）Fuse（0~9）修調第3根，測試第3根是否修斷。

2）Fuse （15，17，19）修調第2、4 Fuse，測試第2和第4根是否有修斷，測試第3根是否導通以此來判斷修調第2和第4根是否有對第3根Fuse有影響。

3）Fuse（16，18，20）修調第3根，測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導通以此來判斷修調第3根是否有對第2、4根Fuse有影響。

4）Fuse （21~26）修調1，3，5測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導通以此來判斷修調1、3、5是否有對 第2、4根Fuse有影響。

圖2熔絲排列順序

2結果與分析

1）對不同間距的熔絲進行修調，目的是驗證修調的效果及修調后對相鄰的熔絲的影響。相關的數據如表2。

表2不同間距的熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知Pitch 4~8 um 間距的Fuse，用0.9uj能量3.0 um光斑修條后測量相鄰的熔絲，相鄰熔絲阻值與修調前一致不受修調影響；各熔絲的修調后的阻值均大于20M ohm；在pitch為4 um間距的熔絲外觀有少許的破壞，如圖3。所以建議間距設為6 um。

圖3相鄰熔絲受影響

2）對表面氧化層厚度不同的熔絲進行修調，目的是驗證熔絲表面氧化層厚度不同對修調效果的影響。相關的數據如表3。

表3氧化層厚度不同對熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知熔絲表面氧化層厚度在1000A、3500A、6000A、（-）6000A分別用0.9uj、1.0uj、1.1uj、1.1uj能量和3.0 um光斑進行修調，測量各熔絲修調后的阻值均大于20M ohm，因此表中的四個氧化層厚度不影響修調效果。

3）對不同寬度的熔絲修調，目的是驗證在不同寬度的熔絲修調效果。相關的數據如表4。

表4不同寬度的熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0um光斑修調后的阻值均大于30M ohm，所以熔絲的寬度在0.6到1.0 um范圍內均適合于設備要求。建議值為0.8 um。

4）對于不同長度熔絲修調，目的是驗證不同長度熔絲的修調效果，相關的數據如表5。

表5不同長度熔絲修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0 um光斑修調后的電阻值均大于30M ohm，所以得出熔絲長度在4到12 um范圍內均適合于設備要求。

5）對不同METAL層數的熔絲進行修調，目的是驗證兩層或三層（Double/Triple metal）電路結構的熔絲修調效果，相關數據如表6。

表6不同METAL層數的熔絲進行修調后的測量數據

從以上數據可知用1.0uj、3.0 um光斑修調后阻值均大于29M ohm。所以兩層和三層電路結構適合設備要求。

6）對Top metal進行laser trim，目的是驗證Top metal修調效果。相關數據如表7。

表7Top metal修調后的測量數據

從以上數據可知用1.1uj、3.6 um光斑修調后阻值均大于20M ohm，用高倍顯微鏡觀測到熔絲周邊有白色殘留物，由于在流片過程中Top metal參雜有一些熔點較高的材料，致使修調不易完全氣化。不推薦使用，如圖4。

圖4Top metal外觀

3結論與推薦參數

對于設計參數是否適合ESI9XXX修調設備主要判定方法是：熔絲的是否有被修斷及修調后相鄰熔絲的外觀是否受影響。如果我們通過測量兩端的阻抗值大于10M則認為是修斷，在顯微鏡下通過檢查熔絲表觀不受損則認為表觀符合要求。綜合以上的數據及圖片，得出如下的結論。

1）據實驗中所得出的數據 建議采用的尺寸：長6 um，寬0.8 um，厚：5000A，間距（Pitch）6 um。

2）Fuse上氧化層厚度在0~6kA 范圍均可采用。

3）兩層 Metal以上產品均采用Top-1 Metal Fuse。

4）Top metal fuse Laser trim后有白霧狀殘留物，不推薦用于metal fuse。

5）metal Fuse上氧化層厚度宜考慮以薄優先的原則。

4結束語

由于傳統電修調工藝的局限性不能滿足當前半導體工藝發展的需求，激光修調工藝在國內快速增長，同時由于激光修調產品有不可重復性的特點，晶圓的流片周期比較長，投入的資金大，修調設備整體價格昂貴，很多的公司無法進行相關的試驗，本次的試驗目的是為了確定ESI9XXX激光修調設備最佳修調參數，以提高修調產品的良率，并為客戶的激光修調產品設計提供參考。

參考文獻

[1]ESI9XXX Service Guide.

[2]Semiconductor Link Processing System.

[3]激光世界Laser Focus World 2013年1月1期.

[4]http：//www.doc88.com/p-348627916574.html.

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