李雪飛,孔令男,2,沈龍海,高 銘,胡廷靜,李 明,楊景海
(1.吉林師范大學(xué) 物理學(xué)院,吉林 四平136000;2.吉林大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,長春130012;3.沈陽理工大學(xué) 理學(xué)院,沈陽110159)
AlN是一種典型的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體功能材料,由于具有良好的電導(dǎo)率和介電常數(shù)及較高的硬度,因此在光電子、冶金、化工和功能陶瓷等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛[1-3].Manjón等[4]在高壓下發(fā)現(xiàn)了巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN的Raman散射峰,通過與其聲子態(tài)密度進行比較可知,巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN的Raman散射信號主要來自巖鹽礦結(jié)構(gòu)的無序聲子散射.該現(xiàn)象在AlN納米帶中尚未發(fā)現(xiàn).本文研究AlN納米帶在0~29.83GPa內(nèi)原位高壓Raman光譜的結(jié)構(gòu)相變,獲得了AlN晶體的結(jié)構(gòu)相變信息,并發(fā)現(xiàn)了巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN納米帶的Raman散射信號.
通過直流電弧放電法合成纖鋅礦結(jié)構(gòu)AlN納米帶[5].利用金剛石對頂砧(DAC)進行原位高壓實驗,金剛石砧面直徑為500μm,高壓密封墊片為T301不銹鋼.為使樣品腔內(nèi)達到準靜水壓狀態(tài),采用V(甲醇)∶V(乙醇)∶V(水)=16∶3∶1的混合溶液作為傳壓介質(zhì),直徑約為3μm的紅寶石作為壓標,用紅寶石熒光法標定腔體內(nèi)壓力.用英國Renishaw公司生產(chǎn)的顯微激光Raman光譜儀進行原位高壓Raman光譜測量,激發(fā)光源為Ar+激光器,功率為20mW,波長為514.5nm;用電荷耦合元件(CCD)探測器獲取樣品信號,分辨率為1cm-1.
AlN納米帶的X射線衍射(XRD)譜如圖1所示.由圖1可見,所有衍射峰均對應(yīng)六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的AlN特征衍射峰,未出現(xiàn)其他雜質(zhì)衍射峰,且峰形尖銳,表明樣品具有較高的結(jié)晶度.其晶格常數(shù)a=0.313 2nm和c=0.499 1nm,與標準卡片(JCPDS 75-1620)相符.AlN納米帶的掃描電子顯微鏡(SEM)照片如圖2所示.由圖2可見,AlN晶體由厚度為幾納米、長度約為幾十微米、表面光滑的帶組成.AlN納米帶的透射電子顯微鏡(TEM)照片如圖3所示.由圖3可見,AlN納米帶的寬度約為50nm.由AlN納米帶的高分辨電子透射顯微鏡照片(圖3(B))可見,AlN晶體的面間距為0.248 7nm,與AlN的(002)相對應(yīng).

圖1 AlN納米帶的XRD譜Fig.1 XRD pattern of AlN nanobelts

圖2 AlN納米帶的SEM照片F(xiàn)ig.2 SEM image of AlN nanobelts

圖3 AlN納米帶的TEM照片F(xiàn)ig.3 TEM images of AlN nanobelts
AlN納米帶在1.09~29.83GPa的Raman光譜如圖4所示.由圖4可見:當(dāng)壓力為1.09GPa時,在617.66,661.68,675.24,915.79cm-1處存在4個 Raman散射峰,分別對應(yīng) AlN的A1(TO),E1(TO),A1(LO)4個一階Raman振動模式;此外,在1 029.34cm-1處存在1個屬于AlN的二階Raman振動(A1+E2)散射峰[6];所有Raman散射峰均隨壓力的升高而向高頻率方向移動,并逐漸寬化和減弱;當(dāng)壓力為11.97GPa時,E1(TO)散射峰在DAC中強度太弱而消失;當(dāng)壓力為17.34GPa時,A1(LO)明顯寬化和不對稱,表明在900~1 000cm-1內(nèi)產(chǎn)生了新的散射峰,將新產(chǎn)生的2個散射峰分別命名為N1和N2,新的散射峰與A1(LO)發(fā)生重疊,即AlN納米帶在17.34GPa時由纖鋅礦結(jié)構(gòu)向巖鹽礦結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變.根據(jù)Raman散射峰的特點,對在940cm-1附近的散射峰進行Gauss擬合,結(jié)果如圖5所示.由圖5可見:隨著壓力升高,A1(LO)峰逐漸減弱,直至消失;所有散射峰均向高頻率方向移動;當(dāng)壓力大于21.28GPa時,A1(TO)散射峰消失,即AlN納米帶相變完成;當(dāng)壓力為17.34~23.26GPa時,散射峰基本保持不變,當(dāng)壓力大于23.26GPa時,散射峰又開始向高頻率方向移動,表明在750~780cm-1內(nèi)的散射峰可能由和1個新的散射峰共同組成,將該新的散射峰命名為N3;在低頻方向出現(xiàn)2個新的散射峰(N4和N5),將A1+E2散射峰相變后的新峰命名為N0;在降壓過程中,巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN晶體所有Raman散射峰的移動方向與升壓過程相反,當(dāng)壓力為0時,N1,N2,N3,N4,N5,N0分別移至770,812,654,416,321,1 014cm-1處,表明AlN由纖鋅礦結(jié)構(gòu)向巖鹽礦結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的過程為不可逆相變過程[7].

圖4 高壓下AlN納米帶的Raman譜Fig.4 Raman spectra of AlN nanobelts under high pressure

圖5 940cm-1附近的散射峰在各壓力點的Gauss擬合曲線Fig.5 Gaussian curves fitting of the Raman scattering around 940cm-1 at high pressures
根據(jù)巖鹽礦結(jié)構(gòu)的選擇規(guī)則,巖鹽礦結(jié)構(gòu)沒有Raman散射峰.因此,高壓下發(fā)生纖鋅礦向巖鹽礦結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變時,常伴隨Raman散射信號的消失,但在纖鋅礦GaN和InN薄膜的高壓Raman譜中出現(xiàn)了Raman散射信號,通過與第一性原理計算的巖鹽礦結(jié)構(gòu)GaN和InN的聲子態(tài)密度比較,發(fā)現(xiàn)巖鹽礦結(jié)構(gòu)GaN和InN的Raman散射信號來自巖鹽礦結(jié)構(gòu)的無序聲子散射[8-9].當(dāng)壓力從25GPa降至1.3GPa時,在300,470,650cm-1附近觀察到巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN的Raman散射信號,采用與GaN和InN相同的方法進行比較,最終確定巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN的Raman散射信號來自巖鹽礦結(jié)構(gòu)中的無序聲子散射[4].本文在321,416,654cm-1處觀察到巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN的Raman散射峰.由文獻[4]可知,該巖鹽礦結(jié)構(gòu)AlN的Raman散射信號來自其無序聲子散射.此外,在770,812cm-1附近的Raman散射信號主要來自AlN納米帶的表面缺陷[7];在1 014cm-1處的Raman散射峰屬于AlN晶體的二階Raman散射[6].
纖鋅礦AlN在0~29.83GPa內(nèi)的Raman振動模式頻率隨壓力的變化關(guān)系如圖6所示.由圖6可見,所有振動模式的頻率均隨壓力的升高而呈線性增加.利用線性關(guān)系式[9]

圖6 AlN納米帶的聲子頻率與壓力間的關(guān)系Fig.6 Dependence of pressure and AlN nanobelt phonon frequencies

擬合纖鋅礦AlN的A1(TO),和A1(LO)模式頻率隨壓力的變化關(guān)系.其中:wi0表示零壓的振動頻率;p表示施加壓力;ai=(?wi/?p)p=0表示線性壓力系數(shù).通過Raman振動模式的壓力系數(shù)可計算 Grüneisen常數(shù)[10],表達式為

其中:wi為各振動模式的波數(shù);V為摩爾體積,β為等溫體積壓縮率;B0為體彈模量,本文以AlN納米線的體模量303GPa作為B0.計算結(jié)果列于表1.由表1可見:A1(TO)和A1(LO)3個振動模式的壓力系數(shù)均小于文獻[4]結(jié)果,且A1(TO)和對壓力的變化較A1(LO)更敏感,這與AlN納米帶的特殊形貌有關(guān);3個振動模式的理論計算值均小于實驗值,這是由于本文所用材料為納米帶狀A(yù)lN,其體模量大于體材料AlN的體模量所致.

表1 各振動模式的壓力系數(shù)和Grüneisen常數(shù)Table 1 Pressure coefficients and Grüneisen parameters of differrnt vibration modes
綜上,本文研究了AlN納米帶的原位高壓Raman光譜,并計算了對A1(TO)和A1(LO)3個振動模式的壓力系數(shù)及Grüneisen常數(shù).結(jié)果表明:當(dāng)壓力為17.34GPa時,AlN納米帶由纖鋅礦結(jié)構(gòu)向巖鹽礦結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,在21.28GPa時相變結(jié)束,并產(chǎn)生新的Raman散射信號.該高壓相Raman信號來自巖鹽礦AlN的無序聲子散射;A1(TO)和個振動模式比A1(LO)振動模式易于壓縮,Grüneisen常數(shù)的理論計算值小于實驗值.
[1]WANG Zhong-wu,Tait K,ZHAO Yu-sheng,et al.Size-Induced Reduction of Transition Pressure and Enhancement of Bulk Modulus of AlN Nanocrystals[J].J Phys Chem B,2004,108(31):11506-11508.
[2]Branicio P S,Kalia R K,Nakano A,et al.Shock-Induced Structural Phase Transition,Plasticity,and Brittle Cracks in Aluminum Nitride Ceramic[J].Phys Rev Lett,2006,96(6):065502.
[3]Shen L H,Li X F,Ma Y M,et al.Pressure-Induced Structural Transition in AlN Nanowires[J].Appl Phys Lett,2006,89(14):141903.
[4]Manjón F J,Errandonea D,Romero A H,et al.Lattice Dynamics of Wurtzite and Rocksalt AlN under High Pressure:Effect of Compression on the Crystal Anisotropy of Wurtzite-Type Semiconductors[J].Phys Rev B,2008,77(20):205204.
[5]Shen L H,Li X F,Zhang J,et al.Synthesis of Single-Crystalline Wurtzite Aluminum Nitride Nanowires by Direct Arc Discharge[J].Applied Physics A,2006,84(1):73-75.
[6]Weinstein B A,Zallen R.Pressure-Raman Effects in Covalent and Molecular Solids [J].Topics in Applied Physics:Light Scattering in SolidⅣ,1984,54:463-527.
[7]SHEN Long-h(huán)ai,CUI Qi-liang,MA Yan-mei,et al.Raman Scattering Study of AlN Nanowires under High Pressure[J].J Phys Chem C,2010,114(18):8241-8244.
[8]Halshall M P,Harmer P,Parbrook P J,et al.Raman Scattering and Absorption Study of the High-Pressure Wurtzite to Rocksalt Phase Transition of GaN [J].Phys Rev B,2004,69(23):235207.
[9]Pinquier C,Demangeot F,F(xiàn)randon J,et al.Raman Scattering Study of Wurtzite and Rocksalt InN under High Pressure[J].Phys Rev B,2006,73(11):115211.
[10]Fan H M,Ni Z H,F(xiàn)eng Y P,et al.High-Pressure Raman and Photoluminescence of Highly Anisotropic CdS Nanowires[J].Journal of Raman Spectroscopy,2007,38(9):1112-1116.
[11]Wagner J M,Bechstedt F.Pressure Dependence of the Dielectric and Lattice-Dynamical Properties of GaN and AlN [J].Phys Rev B,2000,62(7):4526-4534.
[12]Kuball M,Hayes J M,Shi Y,et al.Raman Scattering Studies on Single-Crystalline Bulk AlN:Temperature and Pressure Dependence of the AlN Phonon Modes[J].Journal of Crystal Growth,2001,231(3):391-396.