郝金中,張 瑜
(中國電子科技集團公司第13研究所,石家莊 050051)
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基于LTCC基板的K頻段多通道發射組件
郝金中,張 瑜
(中國電子科技集團公司第13研究所,石家莊 050051)
介紹了一種基于LTCC基板的K頻段多通道發射組件。為了更好地滿足散熱要求,盒體采用了高導熱率的無氧銅材料。針對無氧銅盒體與LTCC基板間熱膨脹系數的差異,提出了一種將LTCC基板過渡到鉬銅載體,再將鉬銅載體燒焊到無氧銅盒體的工藝流程。組件有8個通道,各路通道輸出功率為25 dBm,具有6位移相、5位衰減。研制結果表明組件性能優越、尺寸小、散熱好,在高溫85℃條件下工作時可以保證殼溫≤90℃,長期工作可靠性高。
發射組件;K頻段;無氧銅;散熱
隨著現代電子技術的發展,頻譜資源越來越擁擠,K頻段以及更高頻段的微波、毫米波系統將迅速興起[1]。K頻段是目前電子技術發展的主要頻段之一,介于微波和毫米波之間,因此它的特性集中反映了毫米波和微波的許多優點,廣泛應用于雷達、衛星通信、電子對抗和測試技術等方面[2]。K頻段T組件的功能是將發射信號進行配相和高功率放大后,饋送至天線輻射單元。
本文介紹的八通道發射組件,基板采用了低溫共燒陶瓷 (LTCC)多層互連基板,不但在基板上實現了K頻段一分八功分器,還集成了低頻、控制、電源保護等電路,提高了組件的集成度。盒體材料的選取更注重散熱性能,選取了高導熱率材料無氧銅,末級功率芯片直接安裝到盒體上,通過ANSYS等有限元分析軟件建立分析模型,進行熱仿真,證明其在小尺寸空間內符合長期工作的可靠性要求。由于LTCC基板與無氧銅盒體熱膨脹系數的不匹配,文中提出了一種將LTCC基板燒焊到熱膨脹系數相近的鉬銅載體上進行一次過渡匹配,再將鉬銅載體燒焊到無氧銅盒體上的工藝裝配方法,研制結果表明,組件微波性能滿足要求,散熱好,有完善的工藝措施進行保證。
K頻段發射組件用于完成對射頻信號的功分、移相、預放大、衰減、末級放大、波束控制等,每個發射組件包括一分八功分網絡和8個發射通道,其原理框圖如圖1所示。射頻輸入信號后,經過一分八功分網絡,分別輸入每路發射通道,先后經過數控移相器、數控衰減器、驅動放大器、功率放大器,最后輸出。每個通道都有數控衰減器、數控移相器來進行幅度和相位的控制,在組件內采用了串并轉換芯片,從而可以使到組件的波控數據信號的數量減少。

圖1 發射組件(1×8)原理框圖
1.1 指標計算
微波信號傳輸路線依次為:放大器(在公共通道中)、功分網絡、數控移相器、數控衰減器、推動放大器、末級功率放大器。各個元件的具體指標和整個支路的指標分配情況如圖2所示,末級功放的飽和輸出功率為25 dBm。

圖2 指標分配圖
1.1.1 功耗計算
公共通道中的第1級放大器工作電壓5 V,電流50 mA;第2級放大器工作電壓5 V,電流55 mA;第3級放大器按低溫26.5 dBm的輸出、30%的效率計算,工作電流為298 mA。8個通道的功耗為:
P=(U1I1+U2I2)N=[5×(298+55+50)+ -5×20]×8=15.17 W
(1)
式中:P為組件總功耗;N為通道數,此時N=8;U1為+5 V電源;I1為+5 V電源電流,等于3級放大器的電流之和;U2為5 V電源;I2為-5 V電源電流,數值很小,此處按20 mA估算。
1.1.2 衰減精度
衰減精度公式:
(2)
式中:Paj為衰減量為aj時的衰減精度;A衰減態;fiaj為頻率為fi、衰減為aj時的增益(i為在帶內所取的頻點數);aj為各態衰減量,aj=0,-0.5dB,-1dB,…,-15.5dB,j=32。
頻率為fj時衰減的均方根誤差值PRMSfi為:
(3)
將各態衰減下的增益值代入公式(3)中即可得到該發射組件的衰減精度。
1.1.3 移相精度
移相器選用6位移相器芯片,芯片的64態均方根誤差≤4°,能夠滿足指標的要求。移相精度θj為:
(4)
式中:i為在帶內所取的頻點數;P實際fij為頻率為fi時某態的移相值;P理論為該態理論基態值。
頻率為fj時移相精度衰減的均方根誤差值θRMSfi為:
(5)
將各態移相的實際值代入公式(4)即可得到該發射組件的移相精度。
1.2 LTCC基板的設計
電路基板采用LTCC板,利用多層布線技術,提高了組件布線密度,減小了電路尺寸。選擇LTCC多層互連基板,通過合理的走線布局進行數字微波隔離、濾波、電磁屏蔽等來解決信號串擾問題,而且實現了組件的小型化設計。LTCC板不僅大大提高了微波組件的密度;而且采用Au、Ag良導體,導體損耗≤0.002;熱膨脹系數(CTE)為4~7 ppm,可以與Si芯片、GaAs芯片達到良好的熱匹配。
LTCC板最終加工為8層介質層板,每層厚度約為0.1 mm,板材整體厚度0.8 mm。頂層圖形包括微波信號的傳輸、控制、電源等信號。為了保證微帶線的寬度,適當增加微波到地的厚度。將頂層下面的中間1層和中間2層加工成白瓷,中間3層為地層。這樣,微波到地的厚度為0.3 mm。LTCC基板的介電常數為5.9,由微帶線計算工具得出阻抗為50 Ω的微帶線寬度約為0.45 mm。圖3為設計的LTCC電路板。

圖3 LTCC基板定義及實物
1.3 熱設計
熱設計首先在保證發射輸出功率的情況下,盡量提高組件的發射效率,然后盡可能改善組件的散熱環境。為了功率較大的管芯熱膨脹系數與盒體匹配得更好,在裝配中使用了過渡的載體。管芯燒焊在一個鉬銅載體上,載體燒焊在盒體上。
盒體材料選擇零號無氧銅,該材料導熱性好,可以采用激光封焊工藝;在加工工藝上,對影響接觸熱阻的表面粗糙度提出嚴格要求,組件表面平整度需≤1.6。采用熱分析軟件仿真建立組件的熱仿真模型,分析末級功率芯片的穩態溫度分布和散熱狀況,外殼溫度≤90℃。

圖4 +85℃工作時組件熱仿真
為了使產品達到小型化,控制電路除阻容元器件及溫度監測器件外,其余器件全部為裸芯片,這樣大大減小了整個組件的體積和尺寸。根據多年組件研制的經驗,把AuSn共晶焊料釬焊、鉛錫焊料燒結、環氧樹脂導電膠粘接3種工藝固定方式有機結合起來,形成了一套科學合理的工藝裝配流程。通過合理地設置工藝流程,解決裝配溫度梯度的問題。微波接頭和饋電用絕緣子均采用燒結工藝,組件整體采用激光封焊工藝,從而保證組件的密封性。
為了使末級放大器具有更好的散熱條件,盒體選用一種將LTCC基板先燒焊到鉬銅載體,再將載體燒焊到無氧銅盒體上的工藝裝配方式。表1給出了各材料的導熱率和熱膨脹系數,可以看出,無氧銅材料的導熱率較高,具有良好的散熱性,但與LTCC基板的熱膨脹系數差異較大,而鉬銅材料的熱膨脹系數與LTCC基板相近[3-4]。采用這種工藝方式,可以避免組件由于熱脹不均造成的開裂。

表1 各材料的導熱率和熱膨脹系數
基于以上的設計分析,成功研制出8通道K頻段發射組件。該組件結構尺寸為55 mm×73 mm×6 mm,尺寸小,散熱性好。圖5為產品外形圖。圖6為該產品某一通道的測試結果,圖6(a)為該通道的輸出功率,可見整個帶內輸出功率大于25 dBm,帶內平坦度好;圖6(b)、圖6(c)分別為通道的移相精度和衰減精度曲線,精度較高。

圖5 產品外形圖


圖6 產品測試結果
本文介紹的K頻段發射組件體積小,散熱好,在電路設計、工藝設計、盒體設計上均采取了先進措施。工藝裝配中,提出了一種載體過渡的實現方式,提高了產品的可靠性。目前,該組件在電性能指標和結構性能指標方面都已通過測試,達到了總體技術要求。該組件有完善的工藝措施來保證,性能好,可靠性高,市場前景廣闊。
[1] 白明強.K波段LTCC天線技術研究[D].成都:電子科技大學, 2013.
[2] 田兵.K頻段八路功率合成器設計[J].數字技術與應用,2014(1):136-138.
[3] 牛通,韓宗杰,張梁娟,等.金剛石/銅復合散熱材料的制備和檢測[J].電子與封裝,2014(2):9-12.
[4] 劉征,高隴橋.俄羅斯真空電子器件用無氧銅的現狀和應用[J].真空電子技術,2005(1):62-65.
K-band Multi-channel Transmitting Module Based on LTCC Base Plate
HAO Jin-zhong,ZHANG Yu
(The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China)
This paper introduces a K-band multi-channel transmitting module based on LTCC base plate.In order to meet the requirements of heat dissipation,the oxygen-free copper material with high thermal conductivity is adopted for the box.Aiming at the difference of thermal-expansion coefficients between oxygen-free copper box and LTCC base plate,this paper puts forward a process flow that combines LTCC base plate with Mo-Cu carrier,and then sinters the Mo-Cu carrier on oxygen-free copper box.The module has eight channels,and the output power of each channel is 25 dBm.Each channel has 6-bit phase-shift and 5-bit attenuation.The development results indicate that the module has perfect performance,small size and good heat dissipation,when the module works in the condition of 85℃,the shell temperature can be ensured no more than 90℃,and the reliability is good while long-term working.
transmitting module;K-band;oxygen-free copper;heat dissipation
2014-12-18
TN832
B
CN32-1413(2015)01-0114-04
10.16426/j.cnki.jcdzdk.2015.01.027