立體端面光刻工藝研究

蘆 剛，周占福

(中國電子科技集團公司第四十五研究所，北京100176)

立體端面光刻工藝研究

蘆 剛，周占福

(中國電子科技集團公司第四十五研究所，北京100176)

立體端面的特種器件，要求在其單側或者雙側表面光刻出有位置要求的圖形。針對這一特種器件的要求，研制了一種可適應立體端面基體的對準工作臺及楔形誤差補償機構，并根據立體端面的物理特性，在旋轉涂膠法的基礎上，研制了適應其涂膠工藝的裝夾機構，通過工藝實驗，驗證了該光刻工藝的可行性。

立體端面；楔形誤差補償；涂膠；光刻工藝；曝光分辨率

在光刻技術工藝中，掩模與基片的貼服程度，是影響曝光分辨率的主要因素之一，在我們傳統的光刻工藝中采用的是三點找平機構，或球碗找平機構，用來調整基片與掩模的楔形誤差補償，然而此種對準機構只能適應基片厚度臆5 mm的基片，隨著半導體科技的發展，在一些特殊應用領域中，要求在立體端面基體兩個表面進行光刻工藝，其基體的高度在10～80 mm，端面最大角度為±8°，但是目前的光刻技術無法滿足在立體端面晶體表面作光刻的要求，這就要求我們研究出適應此種工藝要求的光刻技術。

1 立體端面曝光工藝實驗裝置及工作原理

根據立體端面基體的物理特性分析，其基體重，且具有非常大的高度，那么我們可以采用基片固定不動，掩模移動，即以立體端面基體工作面為基準固定不動，使掩模版相對于立體端面基體作運動，完成二者間的楔形誤差補償及對準。我們依照這種思路，研究設計出適應立體端面基體的楔形誤差補償機構及對準工作臺（見圖1）。

圖1 立體端面光刻實驗裝置示意圖

1.1 對準工作臺系統

立體端面光刻實驗裝置對準工作臺由x-y-θ三維運動組成，用于完成上、下掩模之間的相互對準。對準臺x、y、θ向分別由三對微分頭調節。

1.2 上版架系統

上版架機構用于支撐上掩模和對準臺一起完成兩掩模的相互對準，它由一高精度導軌和楔形誤補償裝置構成，上掩模沿精密導軌做Z向運動，楔形誤差補償裝置用來消除兩掩模之間的楔形誤差，補償完成后由4個氣缸將上掩模版架鎖定在框架上。該新型楔形誤差補償裝置能夠達到滿足立體端面基體光刻技術工藝要求的技術（見圖2）。

2 立體端面涂膠工藝實驗裝置

我們在涂膠工藝中，利用現有的涂膠設備，采用旋轉涂膠法涂膠。

但是由于立體端面結構的特殊性，其對在轉動中的平穩性的控制提出了更高的要求，傳統的基片涂膠工藝設備無法對立體端面表面進行涂膠，根據立體端面的結構特點，設計了可以滿足立體端面表面涂膠的涂膠裝置（見圖3）。

圖2 掩模版楔形誤差補償機構

圖3 涂膠裝夾機構

立體端面涂膠工序為：

（1）立體端面基體處理：將立體端面涂膠表面清理干凈；

（2）焙烘：將清洗干凈的立體端面放入烘箱中，溫度控制在85～100℃，烘烤15 min；

（3）涂膠：將準備好的立體端面置于涂膠工裝中，調整測角滑臺，保證立體端面涂膠表面處于水平位置，轉動調速旋鈕，低速旋轉，觀察旋轉體重心偏移情況，通過調整重心調節板，保證旋轉體重心與旋轉主軸在同一軸線。將準備好的光刻膠滴在立體端面基體表面，轉動調速旋鈕，先低速旋轉（300 r/min），使光刻膠涂布在基體表面，然后高速旋轉（750 r/min），使光刻膠均勻且以所需的厚度（2滋m左右）涂布在基體表面；

（4）前烘：將涂完光刻膠的立體端面基體放入烘箱中，溫度控制在85～100℃，烘烤10 min；

（5）準備曝光……。

3 立體端面光刻工藝實驗

3.1 實驗基體種類（見表1）

表1 實驗基體種類

3.2 曝光實驗過程

3.2.1 雙平行平面雙面曝光（雙平行斜面）

應用前面所述的涂膠裝置及對準工作臺和楔形誤差補償機構，在我們現有光刻機的基礎上進行改造，便可以進行立體端面光刻工藝實驗（見圖4）。

圖4 雙平行平面立體端面曝光

3.2.2 曝光分辨率檢測分析

我們將立體端面基體曝光顯影后在顯微鏡下觀察（見圖5、圖6）。

圖5 雙平面上表面3D檢測圖片

圖6 雙平面下表面3D檢測圖片

3.2.3 曝光分辨率質量特性分析

通過上述試驗方法，選用不同的曝光參數找到最佳的曝光參數，從而得到了3滋m的曝光線條，采用實驗設計（DOE），在此基礎上通過多次的重復試驗證明立體端面試驗裝置曝光質量穩定可靠。

在光學制版中，其CD精度在±0.15滋m，而我們采用的接觸式曝光方式，其基體通過曝光后，在基體表面上得到的線寬誤差希望控制在±0.25滋m范圍內。

將曝光分辨率3滋m看成應當加以研究并由控制圖加以控制的重要質量特性；

以基體曝光面的4個角及中間位置的曝光線條為一個樣本，即樣本容量n＝5。每25片為一個循環，抽取一個樣本。收集25個樣本數據，即樣本個數k為25，并按讀取順序將其記錄于表中，見表2、表3。

表2 雙平行平面立體端面上表面曝光線寬（μm）和樣本統計量

表3 雙平行平面立體端面下表面曝光線寬（μm）和樣本統計量

根據以上計算公式計算并將其控制圖繪制的Xbar-R圖如下：

3.3 單斜面立體端面單面曝光

圖7 雙平面上表面曝光線寬的Xbar-R圖

圖8 雙平面下表面曝光線寬的Xbar-R圖

由于我們研制的上版架楔形誤差補償機構的調整角度有限，不能滿足端面最大角度±8°的技術要求，為此設計了單軸測角滑臺，用來調整角度，來滿足大角度立體端面的曝光需求（見圖9）。

圖9 單斜面立體端面單面曝光

通過以上的工藝實驗及數據檢測分析，得出單斜面單面曝光的上表面線寬控制圖如圖10所示。

圖10 單斜面上表面曝光線寬的Xbar-R圖

3.4 雙斜面立體端面雙面曝光如圖11所示

圖11 雙斜面立體端面雙面曝光

3.4.1 曝光分辨率檢測分析如圖12、13

圖12 雙斜面上表面OLYMPUS 3D檢測圖片

圖13 雙斜面下表面OLYMPUS 3D檢測圖片

3.4.2 曝光分辨率質量特性分析

我們采用同樣的統計學方法對雙斜面雙面曝光的曝光分辨率進行研究及數據分析得出其上下表面線寬控制圖如14、15所示。

圖14 雙斜面上表面曝光線寬的Xbar-R圖

4 結束語

通過對立體端面光刻工藝的分類試驗及對所得數據的分析，驗證了我們所研制的立體端面對準工作臺及楔形誤差補償機構完全可以滿足立體端面的光刻工藝，為該類特種器件的光刻工藝研究奠定了基礎。

圖15 雙斜面下表面曝光線寬的Xbar-R圖

[1] 王志越.雙面對準曝光中關鍵技術研究[J].電子工業專用設備，2000.29(3)：13-18

[2] Michael Quirk Julian Serda著，韓鄭生譯.半導體制造技術[M].北京：電子工業出版社，2004.

[3] 王海涌，吳志華.玻璃基片雙面光刻工藝流程的研究[J].半導體技術，2012.31(8)：576-578.

Solid Surface Lithography Technics Research

LU Gang，ZHOU Zhanfu

(The 45thResearch Institute of CETC，Beijing 100176，China)

Solid surface special type device need to generate lithography figure on single side or double side of the device.According to the requirement of the special device，an alignment stage and a wedge error compensation framework are developed to adapt it，and also based on the physics characteristic of the solid surface，a clamping framework is designed to adapt its coating technology，and according to the technics experiment，the feasibility of the lithography technics is confirmed.

Solid surface;Wedge error compensation;Coating technology;Lithography technics; Exposure resolution

TN305.7

：B

：1004-4507(2015)07-0023-06

蘆剛（1972-），男，甘肅平涼人，畢業于甘肅電視大學，現主要從事半導體光刻設備的研究。

2015-04-14