DDR4時(shí)代選擇8GB還是16GB內(nèi)存

新平臺的誘惑

與Skylake平臺搭配的主板芯片組有Intel Z170和B150，除了支持DDR4內(nèi)存外還具備Ultra M.2（具備32Gb/s傳輸速率，走PCI-E 3.0×4通道的M.2接口）、SATA Express和USB3.1接口的全新特性，吸引了很多DIY玩家的關(guān)注。

DDR4內(nèi)存的尷尬

在DDR3時(shí)代，其最小內(nèi)存容量為2GB，預(yù)算有限的玩家也能輕松搭建起2GB+2GB的雙通道內(nèi)存模塊（圖1）。步入DDR4時(shí)代后，其最小內(nèi)存容量就達(dá)到了4GB，此時(shí)就會有很多用戶開始糾結(jié)：是購買4GB+4GB湊合著用，還是一步到位選擇8GB+8GB內(nèi)存呢？4GB×2和8GB×2的差別大嗎？

大內(nèi)存對性能的影響

為此，筆者通過實(shí)際測試，對4GB×2和8GB×2內(nèi)存模式的性能進(jìn)行了對比。測試平臺為英特爾i7-6700K處理器、Z170主板、GTX960和GTX950顯卡，測試內(nèi)存為HyperX Predator DDR4 2400 4GB×2和十銓DDR4 2400 8GB×2，兩組內(nèi)存的時(shí)序、延遲等參數(shù)基本一致。

從測試結(jié)果來看（見表），在DDR4時(shí)代，4GB×2和8GB×2的內(nèi)存組合對整機(jī)性能幾乎毫無影響，4GB×2的內(nèi)存就可滿足絕大多數(shù)主流應(yīng)用的運(yùn)行需求了。與其將投資放在更大的內(nèi)存容量上，還不如購買一塊M.2 SSD來給磁盤性能提速，如此才能帶來立竿見影的體驗(yàn)升級。

兩個(gè)芯片組的最大差異體現(xiàn)在PCI-E 3.0總線數(shù)量上。B150為8條，Z170達(dá)到了20條。此外，Z170支持超頻、支持更多的原生USB3.0和SATA-E接口數(shù)量，且支持英特爾PCI-E快速儲存技術(shù)。雖然B150沒有自帶USB3.1，但卻可通過SATA Express接口和前置USB3.1面板曲線獲得該功能。