高壓雙向觸發二極管工藝改良

潘英飛

【摘 要】高壓雙向觸發二極管是負離子發生器不可缺少的元器件。針對客戶在使用過程中反映的各類問題，我們對產品進行了持續改進，以期解決問題，使我們的產品能夠達到客戶的使用要求。測試結果證明，我們的改進是合理和有效的，各參數性能滿足客戶使用要求，達到進口產品效果。

【關鍵詞】高壓雙向觸發二極管；負離子發生器

【Abstract】High voltage bidirectional Diode is essential semiconductor device to anion generator. Customer met some problem during their utilization of the diode. We take some measures to improve the parameters of SIDAC to solve the problem and meet the requirement of customer. The test result prove that the amendment is effective. Improvement activity brings good feedback and can achieve the standard of imported products .

【Key words】

0 引言

我公司近年來積極推動高壓雙向觸發二極管（簡稱：SIDAC）的銷售工作，主要應用領域是負離子發生器產品，該產品在空氣凈化（家居、車內、公共場所）、消毒等終端應用領域具有廣泛前景。市場上現在主用的是日本SHINDENGEN公司生產的K1V系列產品。推廣初期，我公司生產的SIDAC產品在替代SHINDENGEN產品過程中遇到了一些問題，主要表現在輸出高壓輸出電壓低，負離子發生器效果降低。針對這一問題，我們對進行了改進，以期解決問題，使我們的產品能夠達到日本產品的水平，滿足客戶的使用要求。

1 實驗目的

改進芯片生產工藝，封裝后驗證在輸出電壓和輸出波形上改進的有效性。

2 改進前后實驗數據對比

3 結論

本次實驗著重改善了磷擴工藝，同時加寬了芯片邊緣二氧化硅層的寬度，以更好的適用封裝要求，減少封裝過程中造成的應力，大大提高了后道封裝良率。從測試數據來看，參數保持穩定，良率提高到了99%。在以后的工作中，我們還需繼續深入研究，讓我們的產品更加有競爭優勢。

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[責任編輯：王楠]