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CoFe2O4薄膜的制備及磁性研究

2016-05-30 04:29:45吳鈺涵
科技尚品 2016年4期

吳鈺涵

摘 要:采用溶膠凝膠旋涂法在LaNiO3-Si(100)襯底上制備不同厚度的CoFe2O4薄膜。分別用XRD、SEM和VSM對其結(jié)構(gòu)和磁性進(jìn)行分析。結(jié)果表明,隨著厚度的增加,飽和磁化強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),n=8的樣品飽和磁化強(qiáng)度達(dá)到了750emu/cm3。

關(guān)鍵詞:CoFe2O4薄膜;磁性

尖晶石鈷鐵氧體CoFe2O4(CFO)薄膜作為一種典型的硬磁材料,被認(rèn)為是高密度存儲(chǔ)媒介優(yōu)質(zhì)的候選材料,具有較強(qiáng)的各向異性、室溫下高的矯頑力、良好的機(jī)械硬度以及化學(xué)穩(wěn)定性。由于CFO薄膜具有的這些特性,使其引起了人們的廣泛關(guān)注。

常用的CFO薄膜制備方法有以下幾種:金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)、磁控濺射法、溶膠凝膠(sol-gel)旋涂法、水熱法和脈沖激光沉積法(PLD)。sol-gel旋涂法由于制備方法簡單、過程可控、產(chǎn)量高、成本低且能夠在大面積的襯底上制備薄膜等特點(diǎn),已經(jīng)在微電子器件等領(lǐng)域得到應(yīng)用。本實(shí)驗(yàn)采用sol-gel旋涂法在LaNiO3-Si襯底上制備了不同厚度的CFO薄膜,研究了厚度結(jié)構(gòu)及其性能的影響。

1 實(shí)驗(yàn)過程

①以Co(NO3)2·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O、檸檬酸、聚乙二醇為原料,以酒精和去離子水為溶劑,按比例配制CoFe2O4溶液,靜置在空氣中72h形成溶膠。②旋涂法制備薄膜。將CFO溶膠滴在LaNiO3-Si襯底上進(jìn)行旋涂。旋涂儀的轉(zhuǎn)速和時(shí)間分別設(shè)為4000rmp和30s。再將旋涂之后的硅片放在烤膠臺(tái)上進(jìn)行烘烤,200℃保溫10min,然后400℃保溫20min。重復(fù)此步驟2、4、8次,就得到了3個(gè)不同厚度的樣品。③將得到的樣品放在CVD低溫退火爐中進(jìn)行退火,700℃退火10min。這樣,就得到了不同厚度的CFO薄膜。

2 結(jié)果與分析

圖1是樣品的XRD圖。從圖中可以看出,薄膜結(jié)晶較好,為多晶結(jié)構(gòu)。圖中的衍射峰可以分為兩組,其中一組屬于LaNiO3,另一組屬于CoFe2O4,沒有其他相的存在。另外,從圖中可以觀察到,CoFe2O4的衍射峰強(qiáng)度隨著層數(shù)的增多而增強(qiáng),結(jié)晶度變好。根據(jù)Scherrer公式,得到了CoFe2O4薄膜的晶粒尺寸,2、4、8層CoFe2O4薄膜的晶粒尺寸分別為18.13nm、19.73nm、20.36nm??梢钥闯鲭S著CoFe2O4層數(shù)的增加,晶粒逐漸增大,但增大幅度不明顯。

圖2是n=8樣品的斷面FESEM圖,薄膜部分已用紅色線標(biāo)出。從圖中可以看出,薄膜厚度均勻。經(jīng)過測量,厚度約為400nm。另外,可以看出CoFe2O4是以顆粒狀生長的,顆粒尺寸約為60nm。

圖3是對不同層數(shù)CoFe2O4薄膜分別平行樣品表面測試的磁滯回線圖。從圖中可以看出,磁滯回線屬于典型的鐵磁材料的磁滯回線,樣品具有不為零的剩余磁化強(qiáng)度(Mr)和矯頑力(Hc)??梢钥闯?,隨著層數(shù)的增加,樣品的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不斷增強(qiáng),n=8的樣品Ms達(dá)到了750emu/cm3。這是可以理解的,薄膜越厚,薄膜內(nèi)部的磁疇就越多,當(dāng)對樣品施加磁場的時(shí)候,沿著一個(gè)方向排列的磁矩就會(huì)越多。

3 結(jié)論

XRD結(jié)果表明,在LaNiO3-Si襯底上成功地制備了CoFe2O4薄膜,沒有產(chǎn)生雜相。隨著厚度的增加,結(jié)晶越來越好。SEM結(jié)果表明,CoFe2O4在襯底上以顆粒狀生長,顆粒尺寸約為60 nm。磁性分析表明,CoFe2O4的飽和磁化強(qiáng)度隨著層數(shù)的增加而增強(qiáng),n=8的樣品飽和磁化強(qiáng)度達(dá)到了750emu/cm3。

參考文獻(xiàn)

[1]Ding,J.W.Cheah,L.Chen,T.Sritharan,J.L.Wang,Electric-field control of magnetic properties of CoFe2O4 films on Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 substrate[J].Thin Solid Films,2012,(522):420-424.

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(作者單位:重慶大學(xué)城市科技學(xué)院)

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