離子注入對插入損耗和隔離度影響的研究

吳憶茹，侯飛凡，張俊龍，郝　志

(1. 上海理工大學 光電信息與計算機工程學院，上海 210094；2. 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 研發部，上海 201203)

離子注入對插入損耗和隔離度影響的研究

吳憶茹1，侯飛凡2，張俊龍2，郝志2

(1. 上海理工大學 光電信息與計算機工程學院，上海 210094；2. 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 研發部，上海 201203)

摘要基于一個典型的0.13 μm絕緣體上硅，射頻開關電路工藝流程，分析了離子摻雜工藝流程對射頻開關導通電阻Ron和關斷電容Coff的影響。通過N型MOS管的淺摻雜注入后熱退火溫度和N型MOS管淺摻雜能量的分批實驗，證實了退火溫度可影響射頻開關的導通電阻和關斷電容。進一步實驗結果顯示，淺摻雜注入的砷(As)和磷(P)注入的劑量是主導因素，各自對導通電阻和關斷電容值的影響均為線性且趨勢相反，為基于0.13 μm SOI的射頻開關性能的優化提供了依據。

關鍵詞SOI；射頻開關；插入損耗；隔離度；摻雜能量；劑量

射頻(RF-Radio Frequency)收發開關(T/R Switch)是射頻信號傳輸路徑的控制器件之一，在無線通信系統中起著重要作用。隨著無線通信領域的發展，對其性能也有了更高的要求。低插入損耗和高隔離度一直是優質射頻開關的設計目標之一[1]，絕緣體上硅(Silicon On Insulator，SOI)[2-3]器件因其固有的低損耗的優勢常被應用于射頻開關電路的設計中[4]。本文基于SOI襯底的0.13 μm射頻開關電路工藝，對輕摻雜離子注入過程的劑量和能量進行討論，尋找獲得高擊穿電壓(BV)和較小品質因數[4]的方案。

1射頻開關電路的插入損耗和隔離度